KR930001389A - 메탈 콘택 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 종래의 메탈 콘택방법을 설명하기 위한 단면도.
제 2 도는 본 발명의 메탈 콘택방법을 설명하기 위한 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
11, 21 : 실리콘기판 12, 22 : 절연층
13 : 알미늄 14 : 노듈
15 : 콘택홀 23 : 알미늄
26 : 콘택홀 27 : 이온 임프랜테이션공정
Claims (2)
- 알미늄을 사용하여 메탈 콘택을 형성하는 방법에 있어서, 반도체 기판상에 통상의 방법으로 회로소자들을 형성한후, 최상부에 절연층을 형성하고 ; 상기 절연층을 통과하여 소정의 부위까지 도달하는 콘택홀을 형성하고 ; 실리콘이 함유되지 않은 알미늄층을 데포지션한후 플로잉하고 ; 상기 알미늄위에 포토레지스터로서 메탈 패턴을 형성하여 알미늄층을 식각하고 ; 식각되고 남은 알미늄층을 부분과 최상부 절연층 전반에 걸쳐 실리콘이온주입 공정을 진행하고 ; 상기 알미늄을 열처리하는 공정들을 포함하여 이루어지는 메탈 콘택 형성방법.
- 알미늄을 사용하여 메탈 콘택을 형성하는 방법에 있어서, 반도체 기판상에 통상의 방법으로 회로소자들을 형성한 후 최상부에 절연층을 형성하고 ; 상기 절연층을 통과하여 소정의 부위까지 도달하는 콘택홀을 형성하고, 실리콘이 함유되지 아니한 알미늄층을 데포지션한후, 플로잉하고 ; 실리콘이온주입 공정을 진행하고 ; 포토레지스터로서 메탈 패턴을 형성하여 알미늄층을 소정부분을 식각하고 ; 상기 알미늄을 열처리하는 공정들을 포함하여 이루어지는 메탈 콘택 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| KR940009591B1 (ko) | 1994-10-15 |
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