KR920008976A - 폴리전극의 경사를 이용한 ldd 제조방법 - Google Patents
폴리전극의 경사를 이용한 ldd 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR920008976A KR920008976A KR1019900016301A KR900016301A KR920008976A KR 920008976 A KR920008976 A KR 920008976A KR 1019900016301 A KR1019900016301 A KR 1019900016301A KR 900016301 A KR900016301 A KR 900016301A KR 920008976 A KR920008976 A KR 920008976A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- slope
- poly
- poly electrode
- ldd manufacturing
- ldd
- Prior art date
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본발명 공정의 단면도.
Claims (1)
- 기판위에 폴리를 형성하고 P/R을 입혀 이 P/R을 선택적으로 제거하는 공정과, 상기 P/R을 제거한 부분을 N+또는 P+이온을 주입하는 공정과, 상기 폴리를 경사지게 식각하는 공정과, N-또는 P-이온을 주입하여 경사진 폴리 밑부분으로 침투되게 하는 공정을 차례로 실시함을 특징으로 하는 폴리전극의 경사을 이용한 LDD 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900016301A KR920008976A (ko) | 1990-10-15 | 1990-10-15 | 폴리전극의 경사를 이용한 ldd 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900016301A KR920008976A (ko) | 1990-10-15 | 1990-10-15 | 폴리전극의 경사를 이용한 ldd 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920008976A true KR920008976A (ko) | 1992-05-28 |
Family
ID=67739230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019900016301A KR920008976A (ko) | 1990-10-15 | 1990-10-15 | 폴리전극의 경사를 이용한 ldd 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR920008976A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100678501B1 (ko) * | 2006-03-08 | 2007-02-02 | 주식회사 새 한 | 그루브가 생성된 시스-코어형 피브릴 폴리에스테르 복합섬유 및 그 제조방법 |
-
1990
- 1990-10-15 KR KR1019900016301A patent/KR920008976A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100678501B1 (ko) * | 2006-03-08 | 2007-02-02 | 주식회사 새 한 | 그루브가 생성된 시스-코어형 피브릴 폴리에스테르 복합섬유 및 그 제조방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR870005459A (ko) | 반도체장치 | |
| KR930024086A (ko) | 고에너지에서 이온 주입후 열처리를 통하여 제조된 깊고 얇은 산화물층을 갖는 에스오아이(soi) 구조물 | |
| KR850005009A (ko) | 엣칭 방법 | |
| KR910013438A (ko) | 필드 전자 방출 장치 및 그 생산 공정 | |
| KR870000031A (ko) | 고려인삼 엑기스의 추출법 | |
| KR920008976A (ko) | 폴리전극의 경사를 이용한 ldd 제조방법 | |
| KR910001943A (ko) | 바이포울러 씨모스의 제조방법 | |
| KR930014807A (ko) | 반도체 기판의 불순물 제거방법 | |
| KR920001758A (ko) | 이온주입을 이용한 커패시터 제조방법 | |
| KR860001489A (ko) | 반도체장치 | |
| KR910013582A (ko) | 웰 완충물질을 이용한 모스소자 제조방법 | |
| KR910005473A (ko) | 바이폴라 리니어 ic의 제조방법 | |
| KR920010823A (ko) | 필드산화막 형성방법 | |
| KR920007072A (ko) | 옥사이드 사이드월 locos 제조방법 | |
| KR890016681A (ko) | I^2l디지탈 소자 제조방법 | |
| KR920001649A (ko) | 폴리에치 잉여물의 제거방법 | |
| KR920007240A (ko) | 포토디텍터 제조방법 | |
| KR900019263A (ko) | Mnos의 산소이온 주입을 이용한 커패시터 제조방법 | |
| KR920005369A (ko) | 리세트 게이트 제조방법 | |
| KR920005386A (ko) | 리세트 게이트 제조방법 | |
| KR970048947A (ko) | 위상반전 마스크의 제조방법 | |
| KR890017815A (ko) | 옥사이드층 위에 이온주입하여 얇은 접합을 형성하는 방법 | |
| KR920003501A (ko) | 반도체 소자의 ldd 구조 형성방법 | |
| KR910010673A (ko) | 코팅용액속의 기포 제거방법 | |
| KR970053440A (ko) | 반도체의 소자격리방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |