KR920007240A - 포토디텍터 제조방법 - Google Patents
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- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도(a)(b)는 본 발명에 따른 포토디텍터 제조 공정도
제3도(a)(b)는 포텐셜 상태도
Claims (1)
- P+/N/P 구조의 포토 디텍터를 갖는 CCD이 제조공정에 있어서, 도핑된 폴리를 디포지션한후 패터닝하고, 어넬링하여 P웰과 포토디텍터 표면상에 디퓨젼시켜 얕은 P+영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 포토 디텍터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019900014508A KR940000260B1 (ko) | 1990-09-13 | 1990-09-13 | 포토디텍터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019900014508A KR940000260B1 (ko) | 1990-09-13 | 1990-09-13 | 포토디텍터 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR920007240A true KR920007240A (ko) | 1992-04-28 |
KR940000260B1 KR940000260B1 (ko) | 1994-01-12 |
Family
ID=19303585
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019900014508A KR940000260B1 (ko) | 1990-09-13 | 1990-09-13 | 포토디텍터 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR940000260B1 (ko) |
-
1990
- 1990-09-13 KR KR1019900014508A patent/KR940000260B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR940000260B1 (ko) | 1994-01-12 |
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