KR920005393A - N-/p구조의 포토검출기 제조방법 - Google Patents

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KR920005393A
KR920005393A KR1019900012462A KR900012462A KR920005393A KR 920005393 A KR920005393 A KR 920005393A KR 1019900012462 A KR1019900012462 A KR 1019900012462A KR 900012462 A KR900012462 A KR 900012462A KR 920005393 A KR920005393 A KR 920005393A
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KR
South Korea
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manufacturing
photo detector
oval
ion
note
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KR1019900012462A
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Inventor
정원영
차건업
Original Assignee
문정환
금성일렉트론 주식회사
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내용 없음

Description

N-/P구조의 포토검출기 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명 포토검출기의 단면도.
제4도는 본 발명의 평면도.
제5도는 본 발명의 공정순서를 나타낸 단면도.

Claims (1)

  1. P형 기판에 필드산화막을 형성하고 액티브 영역을 타원형으로 습식 식각한 후 N-이온을 주입함을 특징으로 하는 N-/P구조의 포토검출기 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임
KR1019900012462A 1990-08-13 1990-08-13 N-/p구조의 포토검출기 제조방법 KR920005393A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100883718B1 (ko) * 2001-04-23 2009-02-12 세이코 인스트루 가부시키가이샤 광 센서

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