KR920005393A - N-/p구조의 포토검출기 제조방법 - Google Patents
N-/p구조의 포토검출기 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR920005393A KR920005393A KR1019900012462A KR900012462A KR920005393A KR 920005393 A KR920005393 A KR 920005393A KR 1019900012462 A KR1019900012462 A KR 1019900012462A KR 900012462 A KR900012462 A KR 900012462A KR 920005393 A KR920005393 A KR 920005393A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- manufacturing
- photo detector
- oval
- ion
- note
- Prior art date
Links
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명 포토검출기의 단면도.
제4도는 본 발명의 평면도.
제5도는 본 발명의 공정순서를 나타낸 단면도.
Claims (1)
- P형 기판에 필드산화막을 형성하고 액티브 영역을 타원형으로 습식 식각한 후 N-이온을 주입함을 특징으로 하는 N-/P구조의 포토검출기 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019900012462A KR920005393A (ko) | 1990-08-13 | 1990-08-13 | N-/p구조의 포토검출기 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019900012462A KR920005393A (ko) | 1990-08-13 | 1990-08-13 | N-/p구조의 포토검출기 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR920005393A true KR920005393A (ko) | 1992-03-28 |
Family
ID=67542856
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019900012462A KR920005393A (ko) | 1990-08-13 | 1990-08-13 | N-/p구조의 포토검출기 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR920005393A (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100883718B1 (ko) * | 2001-04-23 | 2009-02-12 | 세이코 인스트루 가부시키가이샤 | 광 센서 |
-
1990
- 1990-08-13 KR KR1019900012462A patent/KR920005393A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100883718B1 (ko) * | 2001-04-23 | 2009-02-12 | 세이코 인스트루 가부시키가이샤 | 광 센서 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR920007254A (ko) | 반도체장치 | |
KR920005395A (ko) | 광전장치 | |
KR910010756A (ko) | 수광수자 | |
KR920005393A (ko) | N-/p구조의 포토검출기 제조방법 | |
KR880010495A (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
KR910008853A (ko) | 반도체장치와 그 제조방법 | |
KR890001206A (ko) | 포토 센서 | |
KR910008873A (ko) | 반도체발광소자 | |
KR920013824A (ko) | 레이저 다이오드 제조방법 | |
KR920007240A (ko) | 포토디텍터 제조방법 | |
KR920007222A (ko) | Lpcvd질화막 제조공정을 이용한 p-n접합 제조방법 | |
KR910017666A (ko) | 트랜지스터 제조방법 | |
KR890005897A (ko) | 더블 플랫 p-웰 구조의 고체영상소자 | |
KR910017650A (ko) | P+ s/d를 이용한 포토 검출기의 구조 | |
KR920001739A (ko) | Ccd 영상소자의 포토다이오드 구조 | |
KR850700180A (ko) | 개량된 p-i-n 및 에벌란치 광 다이오드 | |
KR920001654A (ko) | 트랜치필드 옥사이드 제조방법 | |
KR840001388A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
KR920013743A (ko) | 열산화막 공정을 이용한 게이트 형성방법 | |
KR870000468A (ko) | 정식용 타올의 제제방법 | |
KR950034862A (ko) | 다분할 포토디텍터 | |
KR920003526A (ko) | 반도체메모리 | |
KR920020603A (ko) | 씨모스 소자 제조 방법 | |
KR920003546A (ko) | 반도체 제조방법 | |
KR930015118A (ko) | 수광소자 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E601 | Decision to refuse application |