KR920001654A - 트랜치필드 옥사이드 제조방법 - Google Patents

트랜치필드 옥사이드 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR920001654A
KR920001654A KR1019900008549A KR900008549A KR920001654A KR 920001654 A KR920001654 A KR 920001654A KR 1019900008549 A KR1019900008549 A KR 1019900008549A KR 900008549 A KR900008549 A KR 900008549A KR 920001654 A KR920001654 A KR 920001654A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
trenchfield
oxide manufacturing
poly
forming
oxide
Prior art date
Application number
KR1019900008549A
Other languages
English (en)
Inventor
김홍선
Original Assignee
문정환
금성일렉트론 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 문정환, 금성일렉트론 주식회사 filed Critical 문정환
Priority to KR1019900008549A priority Critical patent/KR920001654A/ko
Publication of KR920001654A publication Critical patent/KR920001654A/ko

Links

Landscapes

  • Element Separation (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

트랜치필드 옥사이드 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도(A)~(D)는 본 발명에 따른 트랜치 필드 옥사이드 제조방법을 설명을 위한 구조 단면도.

Claims (1)

  1. 엑티브를 형성하여 트랜치를 형성한 다음 블로킹 옥사이드와 폴리를 차례로 증착한후 폴리를 도핑하고 RIE로 식각하며, 폴리가 열산화될때까지 옥사이드를 형성한 다음 나이트라이드를 제거하는 것을 특징으로 하는 트랜치 필드옥사이드 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900008549A 1990-06-11 1990-06-11 트랜치필드 옥사이드 제조방법 KR920001654A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019900008549A KR920001654A (ko) 1990-06-11 1990-06-11 트랜치필드 옥사이드 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019900008549A KR920001654A (ko) 1990-06-11 1990-06-11 트랜치필드 옥사이드 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR920001654A true KR920001654A (ko) 1992-01-30

Family

ID=67482403

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019900008549A KR920001654A (ko) 1990-06-11 1990-06-11 트랜치필드 옥사이드 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR920001654A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR890003038A (ko) 페데스탈 구조를 가지는 반도체 제조 공정
KR920001654A (ko) 트랜치필드 옥사이드 제조방법
KR910013547A (ko) 집적회로의 저용량 매몰층 제조방법
KR920007145A (ko) 옥사이드 절연 locos 제조방법
KR910008873A (ko) 반도체발광소자
KR920005346A (ko) 베리드 콘택의 셀프 얼라인 제조방법
KR920008970A (ko) Bgccd제조 방법
KR920003448A (ko) 바이폴라 소자의 메몰층 형성방법
KR920001637A (ko) Ldd 스페이서 제조방법
KR930014896A (ko) 디램 셀의 제조방법
KR920005393A (ko) N-/p구조의 포토검출기 제조방법
KR910015060A (ko) 자기 정열을 이용한 ccd 채널의 제조방법
KR920007222A (ko) Lpcvd질화막 제조공정을 이용한 p-n접합 제조방법
KR910010663A (ko) 콘택 제조방법
KR910001930A (ko) 자기정렬된 저도핑된 접합형성방법
KR980005261A (ko) 실리사이드를 에미터와 게이트로 갖는 전계 방출 소자의 제조방법
KR920003465A (ko) 열적산화막을 이용한 측벽 스페이서 형성방법
KR920013743A (ko) 열산화막 공정을 이용한 게이트 형성방법
KR920003468A (ko) 2층의 다결정 실리콘막을 이용한 모스 제조방법
KR920007086A (ko) 측벽 스페이서 형성방법
KR920007286A (ko) 반도체 레이저 다이오드
KR920005369A (ko) 리세트 게이트 제조방법
KR920015424A (ko) 반도체 제조 방법
KR920007234A (ko) 엔모오스 bldd 제조방법
KR980005731A (ko) 반도체 소자 제조시 실리콘 산화막의 습식 식각 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application