KR920007222A - Lpcvd질화막 제조공정을 이용한 p-n접합 제조방법 - Google Patents
Lpcvd질화막 제조공정을 이용한 p-n접합 제조방법 Download PDFInfo
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 공정단면도.
Claims (1)
- 기판위에 산화막을 형성시키고, 그 위에 LPCVD공정에 의해 질화막을 형성하는 공정과, 상기 질화막을 건식식각하여 제거하는 공정과, 산화막을 사진/식각하여 트렌치를 형성하는 공정과, 상기 트렌치 부위에 금속을 형성하는 공정을 차례로 실시함을 특징으로 하는 LPCVD질화막 제조공정을 이용하는 P-N접합 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900014381A KR100226800B1 (ko) | 1990-09-12 | 1990-09-12 | Lpcvd질화막 제조공정을 이용한 p-n접합 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900014381A KR100226800B1 (ko) | 1990-09-12 | 1990-09-12 | Lpcvd질화막 제조공정을 이용한 p-n접합 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920007222A true KR920007222A (ko) | 1992-04-28 |
| KR100226800B1 KR100226800B1 (ko) | 1999-10-15 |
Family
ID=19303495
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019900014381A KR100226800B1 (ko) | 1990-09-12 | 1990-09-12 | Lpcvd질화막 제조공정을 이용한 p-n접합 제조방법 |
Country Status (1)
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|---|---|
| KR (1) | KR100226800B1 (ko) |
-
1990
- 1990-09-12 KR KR1019900014381A patent/KR100226800B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100226800B1 (ko) | 1999-10-15 |
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