KR850700180A - 개량된 p-i-n 및 에벌란치 광 다이오드 - Google Patents
개량된 p-i-n 및 에벌란치 광 다이오드Info
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- KR850700180A KR850700180A KR1019850700113A KR850700113A KR850700180A KR 850700180 A KR850700180 A KR 850700180A KR 1019850700113 A KR1019850700113 A KR 1019850700113A KR 850700113 A KR850700113 A KR 850700113A KR 850700180 A KR850700180 A KR 850700180A
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- layer
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도의 본 발명의 한 실시예에 의한 반도체 광다이오드 구조의 횡단면도
Claims (2)
- 제1의 도전성 형태이며 비교적 높은 불순물 농도의 반도체기판(12)과, 동일한 도전형태이며 비교적 낮은 불순물 농도의 제1의 반도체층(16)과, 반대극성의 도전성 형태이며 상기 제1층과 광감지 반도체 접합을 구성하는 비교적 높은 불순물 농도의 제1도 반도체영역(18)을 가지는 반도체 광다이오드에 있어서, 제1의 도전성 형태이며 제1층과 기판간에 샌드위츠된 반도체 기판보다 더 높은 불순물 농도의 제2의 반도체층(14)을 특징으로 하는 개량된 P-I-N 및 에벌란치 광다이오드.
- 제1항에 의한 반도체 광다이오드에 있어서, 제1의 도전성 형태의 제2의 반도체영역(제2도, 36)이 상기 제1의 영역(180)과 상기 접합을 제공하면서 상기 제1의 층에 부분을 형성하는 제1의 반도체층(160)의 불순물 농도보다 더 높은 불순물 농도를 가지는 것을 특징으로 하는 개량된 P-I-N 및 에벨란치 광다이오드.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US550230 | 1983-11-10 | ||
| PCT/US1984/001761 WO1985002296A1 (en) | 1983-11-10 | 1984-11-02 | IMPROVED p-i-n AND AVALANCHE PHOTODIODES |
| US55023085A | 1985-11-10 | 1985-11-10 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR850700180A true KR850700180A (ko) | 1985-10-25 |
Family
ID=69103992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019850700113A KR850700180A (ko) | 1984-11-02 | 1984-11-02 | 개량된 p-i-n 및 에벌란치 광 다이오드 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR850700180A (ko) |
-
1984
- 1984-11-02 KR KR1019850700113A patent/KR850700180A/ko not_active Application Discontinuation
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |