JPS60785A - 半導体光検出装置 - Google Patents
半導体光検出装置Info
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- JPS60785A JPS60785A JP58108342A JP10834283A JPS60785A JP S60785 A JPS60785 A JP S60785A JP 58108342 A JP58108342 A JP 58108342A JP 10834283 A JP10834283 A JP 10834283A JP S60785 A JPS60785 A JP S60785A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、なだれ増倍効果を有する半導体光検出装置に
関する。
関する。
なだれ増倍効果を有する半導体光検出装置として、従来
、第１図に示寸ように、例えばｎ＋型の半導体基板１と
、その半導体基板１上にｐＨ接合２を形成１゛るように
形成されたｐ＋型の半導体層３どを有する構成のものが
提案されている。
、第１図に示寸ように、例えばｎ＋型の半導体基板１と
、その半導体基板１上にｐＨ接合２を形成１゛るように
形成されたｐ＋型の半導体層３どを有する構成のものが
提案されている。
このＪ：うな構成を右する半導体光検出装置は半導体基
板１及び半導体層３間に、例えば負部４を介して、バイ
アス電源５を、ｐｎ接合２が逆バイアスされる極性で接
続しているどき、第２図に示すようなエネルギバンドギ
ャップを有し、ｐＨ接合２から、その両側に拡がってい
る空乏層６を形成している。
板１及び半導体層３間に、例えば負部４を介して、バイ
アス電源５を、ｐｎ接合２が逆バイアスされる極性で接
続しているどき、第２図に示すようなエネルギバンドギ
ャップを有し、ｐＨ接合２から、その両側に拡がってい
る空乏層６を形成している。
従って、このＪ：うな状態で、半導体層３側の外部から
、光７を、半導体層３を通じて、空乏層６内に入射させ
れば、その光７が空乏層６で吸収されて、その空乏層６
内に、電子・正孔対が発生する。
、光７を、半導体層３を通じて、空乏層６内に入射させ
れば、その光７が空乏層６で吸収されて、その空乏層６
内に、電子・正孔対が発生する。
そして、その電子・正孔対の電子８及び正孔９が、空乏
層６にｄ３ける電界によって加速され、そして、なだれ
増倍効果を伴なって、それぞれ半導体基板１の半導体層
３側とは反対側及び半導体層３側の半導体基板１側とは
反対側到達覆る。
層６にｄ３ける電界によって加速され、そして、なだれ
増倍効果を伴なって、それぞれ半導体基板１の半導体層
３側とは反対側及び半導体層３側の半導体基板１側とは
反対側到達覆る。
このため、負荷５に、入射する光４の強さに応じて増倍
された電流が供給される、という光検出機能を呈する。
された電流が供給される、という光検出機能を呈する。
ところで、第１図に示す従来の半導体）■検出装置の場
合、光４が、半導体基板１及び半導体層３を構成してい
る半導体材料固有のエネルギバンドギャップよりも長い
波長を有している場合、その先４が空乏層６に到達しな
いので、その光に対してほどんど感度を有しない。例え
ば、半導体基板１及び半導体層３がＳ；でなる場合、可
視光から１μｍ以下の波長領域を右する光に対しては感
度を有しているが、それ以上に長い波長領域の光に対し
ては感度をはとｌυどイｊしない。また、半導体基板１
及び半導体層３がＱｅでなる場合、１・〜１，８μｍの
波長領域を右りる光に対”しては感度を有しているも、
それ以上に長い波長領域の光に対しては感度をほとんど
有していない。
合、光４が、半導体基板１及び半導体層３を構成してい
る半導体材料固有のエネルギバンドギャップよりも長い
波長を有している場合、その先４が空乏層６に到達しな
いので、その光に対してほどんど感度を有しない。例え
ば、半導体基板１及び半導体層３がＳ；でなる場合、可
視光から１μｍ以下の波長領域を右する光に対しては感
度を有しているが、それ以上に長い波長領域の光に対し
ては感度をはとｌυどイｊしない。また、半導体基板１
及び半導体層３がＱｅでなる場合、１・〜１，８μｍの
波長領域を右りる光に対”しては感度を有しているも、
それ以上に長い波長領域の光に対しては感度をほとんど
有していない。
従って、第１図に示ず従来の半導体光検出装置場合、そ
れを構成している半導体のエネルギバンドギャップによ
つ−Ｃ決められた波長以下の短い波長を右する光に対し
てしか、光検出機能を早しないので、長波長の光検出機
能を得ることができない、という欠点を有していた。
れを構成している半導体のエネルギバンドギャップによ
つ−Ｃ決められた波長以下の短い波長を右する光に対し
てしか、光検出機能を早しないので、長波長の光検出機
能を得ることができない、という欠点を有していた。
よって、本発明は、−に述した欠点のない、新規な半導
体光検出装置提案せんとづ−るもので、以下詳述すると
ころから明らかとなるであろう。
体光検出装置提案せんとづ−るもので、以下詳述すると
ころから明らかとなるであろう。
第３図は、本願第１番目の発明による半導体光検出装置
の一例を示し、次に述へる構造を有する。
の一例を示し、次に述へる構造を有する。
づ′なりち、例えは、ｎ＋型の半導イホ見板１１ど、そ
の半導体基板１１上に形成された超格子構造体層１２と
、その超格子１７／、造体層１２上に形成されたｌ）＋
型の半導体層１３とを右する。
の半導体基板１１上に形成された超格子構造体層１２と
、その超格子１７／、造体層１２上に形成されたｌ）＋
型の半導体層１３とを右する。
この場合、半導体基板１１、超格子構造体層１２及び半
導体層１３がともに、３ｉ、Ｑｅ、ＱａＡｓＸｌｎＧａ
Ａｓ系、ｌｎ Ｑａ ＡＳ系などの同じ半導体で１？４
成されている。
導体層１３がともに、３ｉ、Ｑｅ、ＱａＡｓＸｌｎＧａ
Ａｓ系、ｌｎ Ｑａ ＡＳ系などの同じ半導体で１？４
成されている。
また、超格子構造体層１２が、例えば１００〜２００Ｏ
Ａの極薄の厚さを有づる例えばｎ＋型の超薄半導体膜１
４と、同様に極薄の厚さを有する例えばｐ＋型の超薄半
導体膜１５どが順次交互に積層され、全体として、ｐ型
を有し且つ半導体層１３に比し低い不輔物淵度を右する
、すなわち、例えばｐ−型を有する、それ自体は公知の
超格子構造体層の構成を有−リ”る。
Ａの極薄の厚さを有づる例えばｎ＋型の超薄半導体膜１
４と、同様に極薄の厚さを有する例えばｐ＋型の超薄半
導体膜１５どが順次交互に積層され、全体として、ｐ型
を有し且つ半導体層１３に比し低い不輔物淵度を右する
、すなわち、例えばｐ−型を有する、それ自体は公知の
超格子構造体層の構成を有−リ”る。
以上が、本願第１番目の発明による半導体光検出装置の
一例構成である。
一例構成である。
このような構成を有する半導体光検出装置によれば、半
導体基板１１と半導体層１３どの間に、例えば負荷１６
を介して、バイアス電源１７を、半導体基板１１側が正
極性となるように接続しているとき、第４図に示Ｊよう
なＬネルギバンド構造を有し、半導体基板１１と超格子
構造体層１２との間の接合１８（全体としてみたときｐ
ｎ接合）から、その両側に拡がっている空乏層１９を形
成している。一方、超格子構造体層１２は、ｎ型の超薄
半導体膜１４及びｐ型の超薄半導体膜１５が交Ｈ順次に
積層されいるのに応じた周期性のエネルギボテフシ１フ
ルを有している。
導体基板１１と半導体層１３どの間に、例えば負荷１６
を介して、バイアス電源１７を、半導体基板１１側が正
極性となるように接続しているとき、第４図に示Ｊよう
なＬネルギバンド構造を有し、半導体基板１１と超格子
構造体層１２との間の接合１８（全体としてみたときｐ
ｎ接合）から、その両側に拡がっている空乏層１９を形
成している。一方、超格子構造体層１２は、ｎ型の超薄
半導体膜１４及びｐ型の超薄半導体膜１５が交Ｈ順次に
積層されいるのに応じた周期性のエネルギボテフシ１フ
ルを有している。
従って、このような状態で、半導体層１３の外側から、
光２０を入用させれば、その光２０が主として、超格子
構造体層１２の空乏層１９が形成されていない領域２１
で吸収され、ぞしてその領域２１で電子・正孔対が発生
する。
光２０を入用させれば、その光２０が主として、超格子
構造体層１２の空乏層１９が形成されていない領域２１
で吸収され、ぞしてその領域２１で電子・正孔対が発生
する。
また、このように領域２１に発生覆る電子・正孔対中の
電子２２は、空乏層１９ての電界によって加速され、よ
って、なだれ増倍効果を伴なって、半導体基板１１の超
格子（ｊ４構造層１２側とは反対側に到着し、また、正
孔２３が、半導体□層１３に到達り−る。
電子２２は、空乏層１９ての電界によって加速され、よ
って、なだれ増倍効果を伴なって、半導体基板１１の超
格子（ｊ４構造層１２側とは反対側に到着し、また、正
孔２３が、半導体□層１３に到達り−る。
このため、負荷１６に、入射する光２０の強さに応じて
増倍された電流が供給されるという光検出機能を呈する
。
増倍された電流が供給されるという光検出機能を呈する
。
しかしながら、第３図に示り本願第１番目の発明による
半導体光検出装置によれば、光２０の波長が、電子２２
のエネルギー準位２４と正孔２３のエネルギ準位２５と
の差に対応する波長よりも短い波長であるとぎ、超格子
構造体層１２内に電子・正孔対が発生し、そして、その
エネルギ準位２４及び２５の差は、超格子構造体層１２
を構成している半導体の■ネルギバンドギＡ・ツブに比
し小さい。このため、超格子構造体層１２を構成してい
る半導体のエネルギバンドギャップに対応する波長より
も長い波長を有する光に対しても光検出（環化を有づる
。
半導体光検出装置によれば、光２０の波長が、電子２２
のエネルギー準位２４と正孔２３のエネルギ準位２５と
の差に対応する波長よりも短い波長であるとぎ、超格子
構造体層１２内に電子・正孔対が発生し、そして、その
エネルギ準位２４及び２５の差は、超格子構造体層１２
を構成している半導体の■ネルギバンドギＡ・ツブに比
し小さい。このため、超格子構造体層１２を構成してい
る半導体のエネルギバンドギャップに対応する波長より
も長い波長を有する光に対しても光検出（環化を有づる
。
よって、第３図に示ず本願第１番目の発明による半導体
光検出装置によれば、同じ半導体を使用した第１図で上
述した従来の半導体光検出装置に比し、長い波長を有す
る光に対しても光検出機能を早する、という大なる特徴
を右する。
光検出装置によれば、同じ半導体を使用した第１図で上
述した従来の半導体光検出装置に比し、長い波長を有す
る光に対しても光検出機能を早する、という大なる特徴
を右する。
次に、本願第２番目の発明による半導体光検出装置につ
いて述べよう。
いて述べよう。
第５図は、本願第２番目の発明による半導体光検出装置
の一例を示し、次に述べる構成を有する。
の一例を示し、次に述べる構成を有する。
第５図において、第３図どの対応部分には同一符号をイ
リして詳細説明を省略する。
リして詳細説明を省略する。
第５図に示づ一本願第１’目の発明による半導体光検出
装置は、第３図に示す本願第１番目の発明による半導体
光検出装置の構成にＪ３いて、その半導体基板１１と超
格子構造体層１２との間に、その半導体基板１１側の例
えばｐ−型の半導体層６１と、超格子ＩＭ造体層１２側
の半導体層６１に比し高い不純物潤度のｐ型の半導体層
６２どが積層された状態で介挿されていることを除いて
、祥）３図に示Ｊ＊願第１番目の発明による半導体光検
出装置と同様の構成を有ηる。
装置は、第３図に示す本願第１番目の発明による半導体
光検出装置の構成にＪ３いて、その半導体基板１１と超
格子構造体層１２との間に、その半導体基板１１側の例
えばｐ−型の半導体層６１と、超格子ＩＭ造体層１２側
の半導体層６１に比し高い不純物潤度のｐ型の半導体層
６２どが積層された状態で介挿されていることを除いて
、祥）３図に示Ｊ＊願第１番目の発明による半導体光検
出装置と同様の構成を有ηる。
以−［が、本願第２番目の発明による半導体光検出装置
の一例構成である。
の一例構成である。
このような構成を右する半導イホ光検出装置ににれば、
それが上述した事項を除いて、第３図に示゛り本願第１
番目の発明にＪ：る半導１ホ光検出装置と同様の構成を
右づるので、詳細説明は省略するが、第３図に示づ°本
願第１番目の発明による半導体光検出装置で上述した場
合と同様に、半導体基板１１及び半導体層１３間に、負
荷１６を通じてバイアス電源１７を接続し−Ｃいるとき
、第６図に示すエネルギバンド構造を有し、そして、そ
のバイアス電源１７の電圧を予め適当に選定してお１プ
ば、半導体基板１１と半導体層６１との間のｐｎ接合６
３から、主として半導体層６２側に拡がり、その半導体
層６２内で終息する空乏層６４を形成−リ−ることがで
きる。
それが上述した事項を除いて、第３図に示゛り本願第１
番目の発明にＪ：る半導１ホ光検出装置と同様の構成を
右づるので、詳細説明は省略するが、第３図に示づ°本
願第１番目の発明による半導体光検出装置で上述した場
合と同様に、半導体基板１１及び半導体層１３間に、負
荷１６を通じてバイアス電源１７を接続し−Ｃいるとき
、第６図に示すエネルギバンド構造を有し、そして、そ
のバイアス電源１７の電圧を予め適当に選定してお１プ
ば、半導体基板１１と半導体層６１との間のｐｎ接合６
３から、主として半導体層６２側に拡がり、その半導体
層６２内で終息する空乏層６４を形成−リ−ることがで
きる。
このため、このような状態で、第３図で上述した本願第
１番目の発明による半導体光検出装置の場合と同様に、
半導体層１３側の外部から、光を２０を入射させれば、
超格子構造体層１２の全域内で、電子・正孔対が発生し
、そしてその電子２２が空乏層６４にＪ３ける電界にＪ
：つて加速され、従って、なだれ増倍効果を伴なって、
半導体基板１１に到達し、また、正孔２３が半導体層１
３に到着し、にって、入射される光２０の強さに応じた
、増倍された電流を負葡１６に供給することができる。
１番目の発明による半導体光検出装置の場合と同様に、
半導体層１３側の外部から、光を２０を入射させれば、
超格子構造体層１２の全域内で、電子・正孔対が発生し
、そしてその電子２２が空乏層６４にＪ３ける電界にＪ
：つて加速され、従って、なだれ増倍効果を伴なって、
半導体基板１１に到達し、また、正孔２３が半導体層１
３に到着し、にって、入射される光２０の強さに応じた
、増倍された電流を負葡１６に供給することができる。
従って、第５図に示ず本願第２番目の発明による半導体
光検出装置の場合も、第３図に示づ本願第１番目の発明
による半導体光検出装置の場合と同様の光検出機能を呈
づ゛る。
光検出装置の場合も、第３図に示づ本願第１番目の発明
による半導体光検出装置の場合と同様の光検出機能を呈
づ゛る。
しかしながら、第５図に示１本願第２？５目の発明によ
る半導体光検出装置の場合、半導体基板１１及び半導体
層６１間の１１１１接合６３から拡がっているが、超格
子構造体層１２内に実質的に拡がっていない空乏層６４
で、なだれ増倍効果が得られるので、第３図に示１本願
第１番目の発明にＪ、る半導体光検出装置の揚台に比し
、効果的に、なだれ増倍効果を得ることができ、また、
空乏層６４による電界にＪ：つて、超格子構造体層１２
がブレイクダウンする１ｍれを有しない、などの特徴を
有する。
る半導体光検出装置の場合、半導体基板１１及び半導体
層６１間の１１１１接合６３から拡がっているが、超格
子構造体層１２内に実質的に拡がっていない空乏層６４
で、なだれ増倍効果が得られるので、第３図に示１本願
第１番目の発明にＪ、る半導体光検出装置の揚台に比し
、効果的に、なだれ増倍効果を得ることができ、また、
空乏層６４による電界にＪ：つて、超格子構造体層１２
がブレイクダウンする１ｍれを有しない、などの特徴を
有する。
なお、上述においては、本願第１番目の発明による半導
体光検出装置、及び本願第２番目の発Ｉｌｌによる半導
体光検出装置のそれぞれについて、１つの例を述べたに
留まり、本発明の精神を１１１２することなしに、種々
の変型、変更をなし得るであろう。
体光検出装置、及び本願第２番目の発Ｉｌｌによる半導
体光検出装置のそれぞれについて、１つの例を述べたに
留まり、本発明の精神を１１１２することなしに、種々
の変型、変更をなし得るであろう。
第１図は、従来の半導体光検出装置を原理的に示す路線
的断面図である。 第２図は、第１図に示ず従来の半導体光検出装置をエネ
ルギバンド構造で示す図である。 第３図は、本願第１番目の発明による半導体光検出装置
の一例を原理的に示づ゛路線的断面図である。 第４図は、第３図に示−４本願第１番［］の発明による
半導体光検出装置をエネルギバンド構造で示す図である
。 第５図は、本願第２番目の発明による半導体光検出装置
の一例を原理的に示す路線的断面図である。 第６図は、第５図に示す本願第２番目の発明による半導
体光検出装置をエネルギバンド構造で示す図である。 １１・・・・・・・・・・・・・・・半導体基板１２・
・・・・・・・・・・・・・・超格子構造体層１３・・
・・・・・・・・・・・・・半導体層１４．１５・・・
・・・超薄半導体膜 １６・・・・・・・・・・・・・・・負荷１７・・・・
・・・・・・・・・・・バイアス電源１８・・・・・・
・・・・・・・・・接合１９・・・・・・・・・・・・
・・・空乏層２０・・・・・・・・・・・・・・・光２
１・・・・・・・・・・・・・・・半導体層１３の空乏
層１９が形成されていない領域 ２２・・・・・・・・・・・・・・・電子２３・・・・
・・・・・・・・・・・正孔２４・・・・・・・・・・
・・・・・電子のエネルギ単位２５・・・・・・・・・
・・・・・・正孔のエネルギ単位６１．６２・・・・・
・半導体層 ６３・・・・・・・・・・・・・・・ｐＨ接合出願人
日本電信電話公社
的断面図である。 第２図は、第１図に示ず従来の半導体光検出装置をエネ
ルギバンド構造で示す図である。 第３図は、本願第１番目の発明による半導体光検出装置
の一例を原理的に示づ゛路線的断面図である。 第４図は、第３図に示−４本願第１番［］の発明による
半導体光検出装置をエネルギバンド構造で示す図である
。 第５図は、本願第２番目の発明による半導体光検出装置
の一例を原理的に示す路線的断面図である。 第６図は、第５図に示す本願第２番目の発明による半導
体光検出装置をエネルギバンド構造で示す図である。 １１・・・・・・・・・・・・・・・半導体基板１２・
・・・・・・・・・・・・・・超格子構造体層１３・・
・・・・・・・・・・・・・半導体層１４．１５・・・
・・・超薄半導体膜 １６・・・・・・・・・・・・・・・負荷１７・・・・
・・・・・・・・・・・バイアス電源１８・・・・・・
・・・・・・・・・接合１９・・・・・・・・・・・・
・・・空乏層２０・・・・・・・・・・・・・・・光２
１・・・・・・・・・・・・・・・半導体層１３の空乏
層１９が形成されていない領域 ２２・・・・・・・・・・・・・・・電子２３・・・・
・・・・・・・・・・・正孔２４・・・・・・・・・・
・・・・・電子のエネルギ単位２５・・・・・・・・・
・・・・・・正孔のエネルギ単位６１．６２・・・・・
・半導体層 ６３・・・・・・・・・・・・・・・ｐＨ接合出願人
日本電信電話公社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、第１の導電型を有する第１の半導体層乃至半導体基
板と、 該第１の半導体層上に形成された超格子構造体層と、 該超格子構造体層上に形成された、第１の導電型とは逆
の第２の導電型を有する第４の半導体層とを右し、 上記超格子構造体層が、第１の導電型を右する第１の超
薄半導体膜と、第２の導電型を有する第２の超薄半導体
膜とが順次交互に積層され、全体どして、」上記第２の
導電型を有し且つ上記第４の半導体層に比し低い不純物
８度を有−リ°ることを特徴とする半導体光検出装置。 ２、第１の導電型を有りる第１の半導体層乃至半導体基
板と、 該第１の半導体層乃至半導体基板上に形成された、第１
の導電型とは逆の第２の導電型を有し且つ上記第１の半
導体層に比し低い不純物８度を有する第２−の半導体層
と、該第２の半導体層上に形成された、第２の導電型を
有し且つ上記第２の半導体層に比し高い不純物濃度を有
ターる第３の半導体層と、該第３の半導体層上に形成さ
れた超格子構造体層と、 該超格子構造体層上に形成された、第２の導電型を有す
る第４の半導体層とを有し、上記超格子構造体層が、第
１の導電型を有する第１の超薄半導体膜と、第２の導電
型を有する第２の超薄半導体膜とが順次交互に積層され
、全体として、上記第２の導電型を有し且つ上記第４の
半導体層に比し低い不純物濃度を有することを特徴と１
６半導体光検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58108342A JPS60785A (ja) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | 半導体光検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58108342A JPS60785A (ja) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | 半導体光検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60785A true JPS60785A (ja) | 1985-01-05 |
Family
ID=14482254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58108342A Pending JPS60785A (ja) | 1983-06-16 | 1983-06-16 | 半導体光検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60785A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0299841A2 (fr) * | 1987-07-17 | 1989-01-18 | Thomson-Csf | Détecteur d'onde électromagnétique, et analyseur d'image comportant un tel détecteur |
| US4829355A (en) * | 1985-12-20 | 1989-05-09 | Thomson-Csf | Photocathode having internal amplification |
| US4907042A (en) * | 1986-12-12 | 1990-03-06 | Thomson-Csf | Device for the multiplication of charge carriers by an avalanche phenomenon and application of the said device to photosensors, photocathodes and infrared viewing devices |
| JPH03292774A (ja) * | 1990-04-10 | 1991-12-24 | Nec Corp | 赤外線検知器 |
| US6780718B2 (en) | 1993-11-30 | 2004-08-24 | Stmicroelectronics, Inc. | Transistor structure and method for making same |
-
1983
- 1983-06-16 JP JP58108342A patent/JPS60785A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4829355A (en) * | 1985-12-20 | 1989-05-09 | Thomson-Csf | Photocathode having internal amplification |
| US4907042A (en) * | 1986-12-12 | 1990-03-06 | Thomson-Csf | Device for the multiplication of charge carriers by an avalanche phenomenon and application of the said device to photosensors, photocathodes and infrared viewing devices |
| EP0299841A2 (fr) * | 1987-07-17 | 1989-01-18 | Thomson-Csf | Détecteur d'onde électromagnétique, et analyseur d'image comportant un tel détecteur |
| FR2618221A1 (fr) * | 1987-07-17 | 1989-01-20 | Thomson Csf | Detecteur d'onde electromagnetique et analyseur d'image comportant un tel detecteur. |
| US5160991A (en) * | 1987-07-17 | 1992-11-03 | Thomson-Csf | Electromagnetic wave detector and image analyzer comprising a detector of this type |
| JPH03292774A (ja) * | 1990-04-10 | 1991-12-24 | Nec Corp | 赤外線検知器 |
| US6780718B2 (en) | 1993-11-30 | 2004-08-24 | Stmicroelectronics, Inc. | Transistor structure and method for making same |
| US7459758B2 (en) | 1993-11-30 | 2008-12-02 | Stmicroelectronics, Inc. | Transistor structure and method for making same |
| US7704841B2 (en) | 1993-11-30 | 2010-04-27 | Stmicroelectronics, Inc. | Transistor structure and method for making same |
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