JPS60130871A - ＩｎＧａＡｓ光検出器 - Google Patents
ＩｎＧａＡｓ光検出器Info
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- JPS60130871A JPS60130871A JP58241242A JP24124283A JPS60130871A JP S60130871 A JPS60130871 A JP S60130871A JP 58241242 A JP58241242 A JP 58241242A JP 24124283 A JP24124283 A JP 24124283A JP S60130871 A JPS60130871 A JP S60130871A
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- JP
- Japan
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- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 10
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/103—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PN homojunction type
- H01L31/1035—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PN homojunction type the devices comprising active layers formed only by AIIIBV compounds
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発すＪは、ＩｎＧａＡｓ 光検出器に関するもので
ある。
ある。
従来のこの独の光検出器としては第１図に示すようなも
のがある。この図で、１はｎ（基板）側ｍ”Ｑ’ｌ□：
’、’）、ｉ ｉ’！ ｎ ｇ１’ｎ’Ｐ基板、３はｎ
製ＩｎＧａＡｓ層、４はｐ型ＩｎＧａＡ＋ｓ拡！に層、
５は表面保護膜、６はｐ（拡散層）側′電極である。
のがある。この図で、１はｎ（基板）側ｍ”Ｑ’ｌ□：
’、’）、ｉ ｉ’！ ｎ ｇ１’ｎ’Ｐ基板、３はｎ
製ＩｎＧａＡｓ層、４はｐ型ＩｎＧａＡ＋ｓ拡！に層、
５は表面保護膜、６はｐ（拡散層）側′電極である。
次ＶＣ１Ｉｉ１１作について説明する。ｎｌｌｌ１ｉＪ
！極１とｐ側’＋ｌＵ ４ｆｊ６との間に逆バイアス電
圧ｔかける。ｐ型ＩｎＧａＡｓ層４側から元が入って来
た場合、ｎ側電極１とｐ側電極６量Ｋかけられた逆バイ
アス電圧によってｐｎ接合部に生じた空乏層領域に、１
に予圧孔対が生じる。この電子正孔対のうち、電子はｎ
側電極１とｐＨ電極６間にかけらｔＩｋ電界によってｎ
１ＩＱ＠極１の方へ移動し、正孔はｐ側１ヒ極６の方へ
移動する。こうｊることにより、光が入ってきたことに
よりｎ側電極１とｐＨｌ電極６間に電流が流れ、光検出
器として動作することになる、。。
！極１とｐ側’＋ｌＵ ４ｆｊ６との間に逆バイアス電
圧ｔかける。ｐ型ＩｎＧａＡｓ層４側から元が入って来
た場合、ｎ側電極１とｐ側電極６量Ｋかけられた逆バイ
アス電圧によってｐｎ接合部に生じた空乏層領域に、１
に予圧孔対が生じる。この電子正孔対のうち、電子はｎ
側電極１とｐＨ電極６間にかけらｔＩｋ電界によってｎ
１ＩＱ＠極１の方へ移動し、正孔はｐ側１ヒ極６の方へ
移動する。こうｊることにより、光が入ってきたことに
よりｎ側電極１とｐＨｌ電極６間に電流が流れ、光検出
器として動作することになる、。。
このような従来の光検出器では、表面保１膜５としてシ
リコン窒化膜が用いられてきた。ところかシリコン窒化
膜を用いた場合、ｐｎ接合面とシリコン窒化膜との間の
界面でのリーク電流が大きく、動作の際の暗電流が太き
（なるという欠点があった。
リコン窒化膜が用いられてきた。ところかシリコン窒化
膜を用いた場合、ｐｎ接合面とシリコン窒化膜との間の
界面でのリーク電流が大きく、動作の際の暗電流が太き
（なるという欠点があった。
この発明は、上記のような従来のものの欠点ン除去する
ｋめになさｊたもので、表面保頗膜としてＺｎＳ層を用
いることにより、暗電流を低減することを目的としてい
る。
ｋめになさｊたもので、表面保頗膜としてＺｎＳ層を用
いることにより、暗電流を低減することを目的としてい
る。
以下、この発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第２図（ａ）〜（ｄ）はこの発明の光検出器の製造工程
を示す図で、まず、第２図（ａ）のようＫｎ型ＩｎＰ
基板２＋ ｎ型ＩｎＧａＡｓ層３の上に選択拡散膜１を
形成する。次に第２図（ｂ）のよ５に拡散によりｐ型Ｉ
ｎＧａＡｓ ）鰻４を形成し、次いで、第２図（ｃ）の
よ５に選択拡散膜７を除去し、新Ｔ、−に第２図（ｄ）
のように表面保護膜としてＺｎ８層８と、ｎ側電極１お
よびｐＨ１ＩＩＩｒＬ極６を形成する。
を示す図で、まず、第２図（ａ）のようＫｎ型ＩｎＰ
基板２＋ ｎ型ＩｎＧａＡｓ層３の上に選択拡散膜１を
形成する。次に第２図（ｂ）のよ５に拡散によりｐ型Ｉ
ｎＧａＡｓ ）鰻４を形成し、次いで、第２図（ｃ）の
よ５に選択拡散膜７を除去し、新Ｔ、−に第２図（ｄ）
のように表面保護膜としてＺｎ８層８と、ｎ側電極１お
よびｐＨ１ＩＩＩｒＬ極６を形成する。
このようにして作ら１″Ｉた光検出器に逆バイアス電圧
をかけ暗電流Ｉを測定したところ、第３図に示すように
従来の光検出器のＶ−Ｉ特性曲線９に本 対しこの発明による表面保穫膜赤としてＺｎＳＪＭを用
いに光検出器のＶ−Ｉ特性曲線１０は暗電流が低下して
いることがわかる。
をかけ暗電流Ｉを測定したところ、第３図に示すように
従来の光検出器のＶ−Ｉ特性曲線９に本 対しこの発明による表面保穫膜赤としてＺｎＳＪＭを用
いに光検出器のＶ−Ｉ特性曲線１０は暗電流が低下して
いることがわかる。
なお、上記実施例では拡散型によるｐｎ接合の保護膜に
ついて示したか、その他にメサ型の光検出器の表面保画
膜として用いてもよ（、同様の効果を奏する。
ついて示したか、その他にメサ型の光検出器の表面保画
膜として用いてもよ（、同様の効果を奏する。
以上説明したように、この発明け、表面保護膜としてＺ
ｎＳ 層を用いて光検出器をＩＩＱ成したので、暗電流
のより低い光検出器が得ら九る効果がある。
ｎＳ 層を用いて光検出器をＩＩＱ成したので、暗電流
のより低い光検出器が得ら九る効果がある。
第１図は従来のＩｎＧａＡ＋ｓ元検出器の断面検出器、
第２図はこの発明の一実施例を示−ｆＩｎＧａＡｓＩｎ
ＧａＡｓ面検出器、第３図はこの発明による光検出器と
従来の光検出器のＶ−Ｉ特性曲腺の比較図である。 図中、１はｎ側Ｗｅ、２はｎ型ＩｎＰ基板、３はｎ型Ｉ
ｎＧａＡｓ層、４はｐ壓Ｉ ｎＧａＡｓ拡散層、６はＰ
側電極、１は選択拡散膜、８はＺ ｎ Ｓ ＪＣ６であ
る。 なお、図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名） 第１図 第２図 （ａ） （ｂ） （− ） （ｃ） （ｄ） 手続補正書（自発） １．事件の表示 特願昭 ５８−２４１２４２号２、発
明の名称 ＩｎＧａＡｓ光検出器：３．補正をする者 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄および図面の簡単な説明
の欄 ６、補正の内容 （１）明細書第２頁７行の「こうすることによ。 つ、」を、「こうすることにより、」と補正する。 （２）同じく第１頁最下行〜第２頁１行および第３頁８
行の［Ｐ型ＩｎＧａＡｓ層４」を、「Ｐ型ＩｎＧａＡｓ
拡散層４」と補正する。 （３）同しく第３頁１４行、１６行、第４頁ｌＯ行のｒ
Ｖ−Ｉ特性曲線」を、いずれもｒＩ −Ｖ特性曲線」と
補正する。 以七
第２図はこの発明の一実施例を示−ｆＩｎＧａＡｓＩｎ
ＧａＡｓ面検出器、第３図はこの発明による光検出器と
従来の光検出器のＶ−Ｉ特性曲腺の比較図である。 図中、１はｎ側Ｗｅ、２はｎ型ＩｎＰ基板、３はｎ型Ｉ
ｎＧａＡｓ層、４はｐ壓Ｉ ｎＧａＡｓ拡散層、６はＰ
側電極、１は選択拡散膜、８はＺ ｎ Ｓ ＪＣ６であ
る。 なお、図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名） 第１図 第２図 （ａ） （ｂ） （− ） （ｃ） （ｄ） 手続補正書（自発） １．事件の表示 特願昭 ５８−２４１２４２号２、発
明の名称 ＩｎＧａＡｓ光検出器：３．補正をする者 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄および図面の簡単な説明
の欄 ６、補正の内容 （１）明細書第２頁７行の「こうすることによ。 つ、」を、「こうすることにより、」と補正する。 （２）同じく第１頁最下行〜第２頁１行および第３頁８
行の［Ｐ型ＩｎＧａＡｓ層４」を、「Ｐ型ＩｎＧａＡｓ
拡散層４」と補正する。 （３）同しく第３頁１４行、１６行、第４頁ｌＯ行のｒ
Ｖ−Ｉ特性曲線」を、いずれもｒＩ −Ｖ特性曲線」と
補正する。 以七
Claims (1)
- ＩｎＧａＡｓのｐｎ接合を有し、表面保護膜側から検出
すべき元ビ入射させるＩｎＧａＡｇ 光検出器において
、ｈｉ＋ｉｉｉ；表面保護膜としてＺｎＳ層を用いたこ
とを特徴とするＩｎＧａＡｓ 光検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58241242A JPS60130871A (ja) | 1983-12-19 | 1983-12-19 | ＩｎＧａＡｓ光検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58241242A JPS60130871A (ja) | 1983-12-19 | 1983-12-19 | ＩｎＧａＡｓ光検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60130871A true JPS60130871A (ja) | 1985-07-12 |
Family
ID=17071316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58241242A Pending JPS60130871A (ja) | 1983-12-19 | 1983-12-19 | ＩｎＧａＡｓ光検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60130871A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6473774A (en) * | 1987-09-16 | 1989-03-20 | Sumitomo Electric Industries | Pin photodiode of ingaas/inp |
| US5053837A (en) * | 1987-09-16 | 1991-10-01 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Ingaas/inp type pin photodiodes |
-
1983
- 1983-12-19 JP JP58241242A patent/JPS60130871A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6473774A (en) * | 1987-09-16 | 1989-03-20 | Sumitomo Electric Industries | Pin photodiode of ingaas/inp |
| US5053837A (en) * | 1987-09-16 | 1991-10-01 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Ingaas/inp type pin photodiodes |
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