JPS63224268A - 半導体受光装置 - Google Patents
半導体受光装置Info
- Publication number
- JPS63224268A JPS63224268A JP62059137A JP5913787A JPS63224268A JP S63224268 A JPS63224268 A JP S63224268A JP 62059137 A JP62059137 A JP 62059137A JP 5913787 A JP5913787 A JP 5913787A JP S63224268 A JPS63224268 A JP S63224268A
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Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、高速応答が可能な半導体受光装置（７ｒｌ
・ダイオード：Ｐｈｏｔｏ Ｄｉｏｄｅ；以下ＰＤと略
す）に関するものである。
・ダイオード：Ｐｈｏｔｏ Ｄｉｏｄｅ；以下ＰＤと略
す）に関するものである。
第２図（ａ ）、 （ｂ ）は、例えば昭和６１年度電
子通信学会総合全国大会予［４３９７８（４−１４９ペ
ージ）に記＠されている従来のＩ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ
プレーナ型ＰＤの代表的な構造を示す図である。第２図
（ａ）は平面図、第２図（ｂ）は、第２図（ａ）のＡ−
Ａ断面図で、ＰＤ動作中の断面図である。第２図におい
て、１はｎ＋−ＩｎＰ基板、２はｎ−ＩｎＰバッ’７７
層、３はｎ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層、３ａは空乏層、４
はｎ−ＩｎＰ窓層、５はＺｎが拡散されたＰ４領域、５
ａ（よＺｎ拡散領域、１０は前記ｎ＋−ＩｎＰ基板１の
裏面に設けられたｎ電極（カソード）、１１は受光面に
受光領域を取り囲んで設けられたｐ電極（アノード、後
に第１のアノードという）、２ｏは光に対して透明な表
曲保護膜、４０は入射光、５ｏは電子、５１はホールで
ある。また、３１はアノードワイヤである。
子通信学会総合全国大会予［４３９７８（４−１４９ペ
ージ）に記＠されている従来のＩ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ
プレーナ型ＰＤの代表的な構造を示す図である。第２図
（ａ）は平面図、第２図（ｂ）は、第２図（ａ）のＡ−
Ａ断面図で、ＰＤ動作中の断面図である。第２図におい
て、１はｎ＋−ＩｎＰ基板、２はｎ−ＩｎＰバッ’７７
層、３はｎ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層、３ａは空乏層、４
はｎ−ＩｎＰ窓層、５はＺｎが拡散されたＰ４領域、５
ａ（よＺｎ拡散領域、１０は前記ｎ＋−ＩｎＰ基板１の
裏面に設けられたｎ電極（カソード）、１１は受光面に
受光領域を取り囲んで設けられたｐ電極（アノード、後
に第１のアノードという）、２ｏは光に対して透明な表
曲保護膜、４０は入射光、５ｏは電子、５１はホールで
ある。また、３１はアノードワイヤである。
ＩｎＰに格子定数が合ったＩｎＧａＡｓ層のバンドギャ
ップ波長λじは、λｇ：１．６７μｍであり、ＩｎＰで
はλｇ＝０．９２−であるので、第２図の１ｎＧａＡｓ
−ＰＤの波長感度はλ＝１．０〜１．６μｍ帯にある。
ップ波長λじは、λｇ：１．６７μｍであり、ＩｎＰで
はλｇ＝０．９２−であるので、第２図の１ｎＧａＡｓ
−ＰＤの波長感度はλ＝１．０〜１．６μｍ帯にある。
そこで、入射光４０の波長が１．３μｍの場合について
動作を説明する。
動作を説明する。
ＰＤは一般に逆バイアス状態で使用されるのでアノード
１１ （すなわちアノードワイヤ３１）はカソード１０
に対し負電圧（−５〜−１０ｖ）が印加される。ｎ −
Ｉ ｎ Ｐ窓層４のキャリア濃度はＩ Ｘ １０ ”ｃ
ｍ−３程度、ｎ −−Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ光吸収層
３のキャリア濃度は５ Ｘ １０ ”ｃｍ−’程度であ
りｎ−−ＩｎＧａＡｓ光吸収Ａｓ光キャリア濃度の方が
小さいので、逆バイアス状態では空乏層３ａは主にｎ’
−−ＩｎＧａＡｓ光吸収層３内に拡がる。
１１ （すなわちアノードワイヤ３１）はカソード１０
に対し負電圧（−５〜−１０ｖ）が印加される。ｎ −
Ｉ ｎ Ｐ窓層４のキャリア濃度はＩ Ｘ １０ ”ｃ
ｍ−３程度、ｎ −−Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ光吸収層
３のキャリア濃度は５ Ｘ １０ ”ｃｍ−’程度であ
りｎ−−ＩｎＧａＡｓ光吸収Ａｓ光キャリア濃度の方が
小さいので、逆バイアス状態では空乏層３ａは主にｎ’
−−ＩｎＧａＡｓ光吸収層３内に拡がる。
受光面にλ＝１．３μｍの光が入射すると、この光４０
はλｇ：０．９２のｎ −Ｉ ｎ Ｐ窓層４には吸収さ
れず、ｎ −−Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ光吸収層３に吸
収され、電子５０．ホール５１のペアが発生する。ｎ−
−ＩｎＧａＡｓ光吸収層３内の空乏層３ａ内で発生した
キャリアは空乏層３ａ内の電界によるドリフト電流とし
て外部回路に観測される。
はλｇ：０．９２のｎ −Ｉ ｎ Ｐ窓層４には吸収さ
れず、ｎ −−Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ光吸収層３に吸
収され、電子５０．ホール５１のペアが発生する。ｎ−
−ＩｎＧａＡｓ光吸収層３内の空乏層３ａ内で発生した
キャリアは空乏層３ａ内の電界によるドリフト電流とし
て外部回路に観測される。
空乏層３ａ外のホール５１のうち、拡散により空乏層３
ａに達しなものはドリフト電流に寄与する。
ａに達しなものはドリフト電流に寄与する。
ｎ−−ＩｎＧａＡｓ光吸収Ａｓ光キャリア濃度を下げ、
空乏層３ａ幅を広くすることにより、ドリフト電流に寄
与するキャリアの割合を大きくし、光電流の値を大きく
する（感度を良くする）ことが可能である。電子・ホー
ル対の発生は入射光強度に比例するので、ＰＤに流れる
光電流は入射光強度に比例する。
空乏層３ａ幅を広くすることにより、ドリフト電流に寄
与するキャリアの割合を大きくし、光電流の値を大きく
する（感度を良くする）ことが可能である。電子・ホー
ル対の発生は入射光強度に比例するので、ＰＤに流れる
光電流は入射光強度に比例する。
従来のＩ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓプレーナＰＤは、アノー
ド以外の受光面全体が１．３ｆｌの光に対し透明な表面
保護膜２０で覆われているので、入射光束がＰＤチップ
全体に広がっている場合には、第２図（ｂ）のように空
乏層３ａから離れたところでも電子・ホール対が発生す
る。このうち拡散により空乏層３ａに達するホール５１
は光電流に寄与するが、拡散が遅いため空乏層３ａ内ま
たはその近傍で発生したキャリアに比べて光電流に寄与
する時間が遅れる。したがって、入射光がパルス状の場
合には入射光の波形に比べて受光電流波形にすそ引きが
生ずる。第３図はこの状況を説明する図であり、第３図
（ａ）の（ＩＩＩ）は入射光強度の時間的変化を示すパ
ルス波形、第３図（ｂ）の（ｎ）は光電流の応答波形で
ある。立ち下がり時間ｔ４．が入射光の波形に比べて長
くなっており、高速で変化する入射光に応答できないと
いう問題が生ずる。
ド以外の受光面全体が１．３ｆｌの光に対し透明な表面
保護膜２０で覆われているので、入射光束がＰＤチップ
全体に広がっている場合には、第２図（ｂ）のように空
乏層３ａから離れたところでも電子・ホール対が発生す
る。このうち拡散により空乏層３ａに達するホール５１
は光電流に寄与するが、拡散が遅いため空乏層３ａ内ま
たはその近傍で発生したキャリアに比べて光電流に寄与
する時間が遅れる。したがって、入射光がパルス状の場
合には入射光の波形に比べて受光電流波形にすそ引きが
生ずる。第３図はこの状況を説明する図であり、第３図
（ａ）の（ＩＩＩ）は入射光強度の時間的変化を示すパ
ルス波形、第３図（ｂ）の（ｎ）は光電流の応答波形で
ある。立ち下がり時間ｔ４．が入射光の波形に比べて長
くなっており、高速で変化する入射光に応答できないと
いう問題が生ずる。
この発明は、上記のようケ問題点、すなわち従来のＰＤ
は空間的に広がっており、かつ高速で変動する入射光に
対して応答速度が制限されるという問題点を解消するた
めになされたものであり、空間的に広がっており、高速
で変動する入射光に対しても充分応答可能なＰＤを得る
ことを目的とする。
は空間的に広がっており、かつ高速で変動する入射光に
対して応答速度が制限されるという問題点を解消するた
めになされたものであり、空間的に広がっており、高速
で変動する入射光に対しても充分応答可能なＰＤを得る
ことを目的とする。
この発明に係る半導体受光装置は、受光面に受光領域を
取り囲んで設けられた第１のアノードの周囲を取り囲む
ように第１のアノードと同一導電型の第２のアノードを
設けたものである。
取り囲んで設けられた第１のアノードの周囲を取り囲む
ように第１のアノードと同一導電型の第２のアノードを
設けたものである。
この発明においては、アノードの周囲を囲む第３の電極
を設けたことにより、アノードの空乏層から光分離れな
ところで発生する電子・ホール対を第３の電極に対する
光Ｍ流として吸収することが可能となり、アノードの光
電流応答波形に現れるホールの拡散によるすそ引き現像
を除去し、高速応答（アノード光電流の）が可能となる
。
を設けたことにより、アノードの空乏層から光分離れな
ところで発生する電子・ホール対を第３の電極に対する
光Ｍ流として吸収することが可能となり、アノードの光
電流応答波形に現れるホールの拡散によるすそ引き現像
を除去し、高速応答（アノード光電流の）が可能となる
。
以下、この発明の一実施例を第１図を用いて説明する。
第１図（ａ）はＰＤ動作中の平面図であり、第１図（ｂ
）は、第１図（ａ）のＡ−Ａ断面を示すものである。第
１図において、第２図と同一符号は同じものを示し、１
２は前記第１のアノード１１を取り囲むように設けられ
た第３の電極（第２のアノード）である。３２は前記第
２のアノード１２のワイヤ（第２のアノードワイヤ）で
ある。
）は、第１図（ａ）のＡ−Ａ断面を示すものである。第
１図において、第２図と同一符号は同じものを示し、１
２は前記第１のアノード１１を取り囲むように設けられ
た第３の電極（第２のアノード）である。３２は前記第
２のアノード１２のワイヤ（第２のアノードワイヤ）で
ある。
第２図の従来のＰＤの動作の説明で述べたように、この
実施例の場合においても、第１のアノード１１にはカソ
ード１０に対して負電圧が印加される。第２のアノード
１２もカソード１ｏに対して負電圧を印加する。ただし
、第２のアノード１２の電圧Ｖ。は第１のアノード１１
の電圧ｖ１１より低くする（例えばＶ、、＝−１０Ｖ、
Ｖ＊ｇ＝−１２ｖ）。この状態では第２のアノード１２
による空乏層幅の方が第１のアノード１１の下に形成さ
れる空乏層幅よりも大きくなる。ＰＤチップの受光面全
体に広がっている１、３−の光が入射すると、この光は
ｎ −−Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ光吸収層３内で吸収さ
れる。光はチップ全体に広がっているので、光吸収によ
り発生する電子・ホール対は第１のアノード１１の下の
ｎ −−Ｔ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ光吸収層３内にも第２
のアノード１２の下のｎ−−ＩｎＧａＡｓ光吸収層３内
にも同等に発生する。従来型ＰＤの場合と同様、空乏層
３ａ内のキャリアはドリフト電流となり、光電流として
観測されるが、空乏層３ａ外のホール５１のうち拡散に
より空乏層３ａに達するものはドリフト電流４流に寄与
する。
実施例の場合においても、第１のアノード１１にはカソ
ード１０に対して負電圧が印加される。第２のアノード
１２もカソード１ｏに対して負電圧を印加する。ただし
、第２のアノード１２の電圧Ｖ。は第１のアノード１１
の電圧ｖ１１より低くする（例えばＶ、、＝−１０Ｖ、
Ｖ＊ｇ＝−１２ｖ）。この状態では第２のアノード１２
による空乏層幅の方が第１のアノード１１の下に形成さ
れる空乏層幅よりも大きくなる。ＰＤチップの受光面全
体に広がっている１、３−の光が入射すると、この光は
ｎ −−Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ光吸収層３内で吸収さ
れる。光はチップ全体に広がっているので、光吸収によ
り発生する電子・ホール対は第１のアノード１１の下の
ｎ −−Ｔ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ光吸収層３内にも第２
のアノード１２の下のｎ−−ＩｎＧａＡｓ光吸収層３内
にも同等に発生する。従来型ＰＤの場合と同様、空乏層
３ａ内のキャリアはドリフト電流となり、光電流として
観測されるが、空乏層３ａ外のホール５１のうち拡散に
より空乏層３ａに達するものはドリフト電流４流に寄与
する。
従来型ＰＤでは第１のアノード１１の空乏層３ａの外側
の離れたところで発生したホール５１のうち拡散により
空乏層３ａに達するものはパルス応答波形のすそ引きと
なり、応答特性の速度を制限するが、この実施例では第
１のアノード１１の空乏層３ａの外側で発生したキャリ
アは第２のアノード１２の方に吸収されるので、パルス
応答波形のすそ引きは生じない。第２のアノード１２の
空乏層３ａ幅の方が広く設定しであるので、第２のアノ
ード１２の方がキャリア吸収能力が大きい。
の離れたところで発生したホール５１のうち拡散により
空乏層３ａに達するものはパルス応答波形のすそ引きと
なり、応答特性の速度を制限するが、この実施例では第
１のアノード１１の空乏層３ａの外側で発生したキャリ
アは第２のアノード１２の方に吸収されるので、パルス
応答波形のすそ引きは生じない。第２のアノード１２の
空乏層３ａ幅の方が広く設定しであるので、第２のアノ
ード１２の方がキャリア吸収能力が大きい。
第３図（ｂ）の（Ｉ）はこの実施例によるパルス応答波
形を示すものであり、パルスのすそ引きが改善されるこ
とがわかる。この実施例における第２のアノード１２は
第１の１ノード１１のスピードアップのための補助電極
である。Ｚｎ拡散したＰ＋領域５のｐ −ｎ接合がチッ
プ外周にさらされているので、第２のアノード１２のｌ
Ｊ＃電流は第１のアノード１１の暗電流に比べて大きく
なる。
形を示すものであり、パルスのすそ引きが改善されるこ
とがわかる。この実施例における第２のアノード１２は
第１の１ノード１１のスピードアップのための補助電極
である。Ｚｎ拡散したＰ＋領域５のｐ −ｎ接合がチッ
プ外周にさらされているので、第２のアノード１２のｌ
Ｊ＃電流は第１のアノード１１の暗電流に比べて大きく
なる。
なお、上記実施例ではｎ＋ＩｎＰ基板１を有するプレー
ナ型ＰＤの場合について、スピードアップのための第２
のアノード１２を設けた場合について述べたが、ｐ＋Ｉ
ｎＰ基板を用いてｐ、ｎの導電型が上記実施例とは逆転
しているＰＤを作成し、スピードアップのための第２の
アノード１２を設けることも可能である。
ナ型ＰＤの場合について、スピードアップのための第２
のアノード１２を設けた場合について述べたが、ｐ＋Ｉ
ｎＰ基板を用いてｐ、ｎの導電型が上記実施例とは逆転
しているＰＤを作成し、スピードアップのための第２の
アノード１２を設けることも可能である。
以上説明したように、この発明は、受光面に受光領域を
取り囲むように設けられた第１のアノードの周囲を取り
囲むように第２のアノードを設けなので、ＰＤチップ全
体に広がった入射光に対してもアノード光電流波形がパ
ルス光入力に対して充分高速応答をするＰＤが得られる
効果がある。
取り囲むように設けられた第１のアノードの周囲を取り
囲むように第２のアノードを設けなので、ＰＤチップ全
体に広がった入射光に対してもアノード光電流波形がパ
ルス光入力に対して充分高速応答をするＰＤが得られる
効果がある。
第１図（ａ）、（ｂ）はこの発明の一実施例を示す半導
体受光装置の平面図およびＡ−Ａ断面図、第２図（ａ）
、（ｂ）は従来の半導体受光装置の平面図およびＢ−Ｂ
断面図、第３図はこの発明と従来の半導体受光装置のパ
ルス応答特性を説明する図である。 図において、１はｎ”−ＩｎＰ基板、２はｎ−ＩｎＰｎ
ソバ９フフ 層、３ａは空乏層，４はｎ”’ＩｎＰ窓層、５はＺｎ拡
散Ｐ＋領域、１０はカソード、１１は第１のアノード、
１２は第２のアノード、２０は表面保護膜、４ｏは入射
光、５０は電子、５１はホールである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 ５５５ｇ ζ４０ ４０人Ｎ九 カ°電子 ５１ホール 第２図 第３図 手続補正書（自発） 昭和 ６充 ３月２５日 特許庁長官殿 Ｄｎ
ｌ、事件の表示 特願昭６２−５９１３７号２、発
明の名称 半導体受光装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号名
称 （６０１）三菱電機株式会社代表者志岐守哉 ４、代理人 〆一 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄２図面の簡単な説明の欄
および図面 ６、補正の内容 （１）明細書第２頁２行の「Ａ−Ａ断面図」を、ｒＢ−
Ｂ’断面図」と補正する。 （２）同じく第２頁４〜５行、第９頁１２〜１３行のｒ
ｎ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層、」を、それぞれｒ ｎ −
−Ｉ ｎＧ ａＡｓ光吸収層、」と補正する。 （３）同じく第２頁５行、第９頁１３行のｒｎ−ＩｎＰ
窓層、」を、それぞれ［−ｎ−−ＩｎＰ窓層、」と補正
する。 （４）同じく第３頁２行、９行のｒｎ ＩｎＰ窓層」
を、それぞれｒｎ”’−ＩｎＰ窓層」と補正する。 （５）同じく第３頁９行の「光４ｏ」を、「入射光４ｏ
」と補正する。 （６） 同じく第４頁５〜６行の「アノード」を、「
アノード１１」と補正する。 （７）同じく第６頁５行のｒＡ−Ａ断面」を、ｒＡ−Ａ
’断面図」と補正する。 （８）同じく第８頁１０行のｒｎ＋ＩｎＰ基板」を、「
ｎ”−ＩｎＰ基板」と補正する。 （９）同じく第８頁１３行の「ｐ”ＩｎＰ基板」を、ｒ
ｐ” ＩｎＰ基板」と補正する。 （１０）同じく第９頁６行のｒＡ−Ａ断面図、」を、ｒ
Ａ−Ａ’断面図、」と補正する。 （１１）同じく第９頁８行のｒＢ−Ｂ断面図」を、ｒＢ
−Ｂ’断面図」と補正する。 （１２）同じく第９頁１３〜１４行の「５はＺｎ拡散Ｐ
＋領域、」を、「５はＰ＋領域、」と補正する。 （１３）第１図（ａ）、（ｂ）および第２図（ｂ）を別
紙のように補正する。 以 上 第１図 ） ） ） ｉ ？−４０
体受光装置の平面図およびＡ−Ａ断面図、第２図（ａ）
、（ｂ）は従来の半導体受光装置の平面図およびＢ−Ｂ
断面図、第３図はこの発明と従来の半導体受光装置のパ
ルス応答特性を説明する図である。 図において、１はｎ”−ＩｎＰ基板、２はｎ−ＩｎＰｎ
ソバ９フフ 層、３ａは空乏層，４はｎ”’ＩｎＰ窓層、５はＺｎ拡
散Ｐ＋領域、１０はカソード、１１は第１のアノード、
１２は第２のアノード、２０は表面保護膜、４ｏは入射
光、５０は電子、５１はホールである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 ５５５ｇ ζ４０ ４０人Ｎ九 カ°電子 ５１ホール 第２図 第３図 手続補正書（自発） 昭和 ６充 ３月２５日 特許庁長官殿 Ｄｎ
ｌ、事件の表示 特願昭６２−５９１３７号２、発
明の名称 半導体受光装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号名
称 （６０１）三菱電機株式会社代表者志岐守哉 ４、代理人 〆一 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄２図面の簡単な説明の欄
および図面 ６、補正の内容 （１）明細書第２頁２行の「Ａ−Ａ断面図」を、ｒＢ−
Ｂ’断面図」と補正する。 （２）同じく第２頁４〜５行、第９頁１２〜１３行のｒ
ｎ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層、」を、それぞれｒ ｎ −
−Ｉ ｎＧ ａＡｓ光吸収層、」と補正する。 （３）同じく第２頁５行、第９頁１３行のｒｎ−ＩｎＰ
窓層、」を、それぞれ［−ｎ−−ＩｎＰ窓層、」と補正
する。 （４）同じく第３頁２行、９行のｒｎ ＩｎＰ窓層」
を、それぞれｒｎ”’−ＩｎＰ窓層」と補正する。 （５）同じく第３頁９行の「光４ｏ」を、「入射光４ｏ
」と補正する。 （６） 同じく第４頁５〜６行の「アノード」を、「
アノード１１」と補正する。 （７）同じく第６頁５行のｒＡ−Ａ断面」を、ｒＡ−Ａ
’断面図」と補正する。 （８）同じく第８頁１０行のｒｎ＋ＩｎＰ基板」を、「
ｎ”−ＩｎＰ基板」と補正する。 （９）同じく第８頁１３行の「ｐ”ＩｎＰ基板」を、ｒ
ｐ” ＩｎＰ基板」と補正する。 （１０）同じく第９頁６行のｒＡ−Ａ断面図、」を、ｒ
Ａ−Ａ’断面図、」と補正する。 （１１）同じく第９頁８行のｒＢ−Ｂ断面図」を、ｒＢ
−Ｂ’断面図」と補正する。 （１２）同じく第９頁１３〜１４行の「５はＺｎ拡散Ｐ
＋領域、」を、「５はＰ＋領域、」と補正する。 （１３）第１図（ａ）、（ｂ）および第２図（ｂ）を別
紙のように補正する。 以 上 第１図 ） ） ） ｉ ？−４０
Claims (1)
- 受光面に受光領域を取り囲んで第１のアノードが設けら
れ、裏面にカソードが設けられた半導体受光装置におい
て、前記受光面に前記第１のアノードの周囲を取り囲む
ように前記第１のアノードと同一導電型の第２のアノー
ドを設けたことを特徴とする半導体受光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62059137A JPS63224268A (ja) | 1987-03-12 | 1987-03-12 | 半導体受光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62059137A JPS63224268A (ja) | 1987-03-12 | 1987-03-12 | 半導体受光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63224268A true JPS63224268A (ja) | 1988-09-19 |
Family
ID=13104629
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62059137A Pending JPS63224268A (ja) | 1987-03-12 | 1987-03-12 | 半導体受光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63224268A (ja) |
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1987
- 1987-03-12 JP JP62059137A patent/JPS63224268A/ja active Pending
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