JPH04111478A - 受光素子 - Google Patents
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- JPH04111478A JPH04111478A JP2230207A JP23020790A JPH04111478A JP H04111478 A JPH04111478 A JP H04111478A JP 2230207 A JP2230207 A JP 2230207A JP 23020790 A JP23020790 A JP 23020790A JP H04111478 A JPH04111478 A JP H04111478A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
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-
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- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
- H01L31/02164—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors for shielding light, e.g. light blocking layers, cold shields for infrared detectors
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体レーザの出力モニタ用、あるいは光通
信システムの受光器用等に用いられる受光素子に関する
ものである。
信システムの受光器用等に用いられる受光素子に関する
ものである。
第６図は、従来の受光素子の構造を上面図、及びそのｘ
−ｘ’断面図で示したものである。同図に示されている
様に従来の受光素子は、裏面に第１導電側電極が設けら
れている高濃度の第１導電型半導体基板１の表面上に、
低濃度の第１導電型半導体結晶層２が形成されている。
−ｘ’断面図で示したものである。同図に示されている
様に従来の受光素子は、裏面に第１導電側電極が設けら
れている高濃度の第１導電型半導体基板１の表面上に、
低濃度の第１導電型半導体結晶層２が形成されている。
なお、この半導体結晶層２は、バッファ層２ａ、受光層
２ｂ。
２ｂ。
窓層２Ｃが順次積層されたものである。この様な半導体
結晶層２には不純物が選択拡散されて、第２導電型領域
３が形成されている。この部分が半導体基板１をＮ層（
またはＰ層）、半導体結晶層２を１層、第１の領域３を
Ｐ層（またはＮ層）とするＰＩＮフォトダイオード構造
となり、ここに受光領域９を形成している。この様な構
造を有する半導体結晶層２の表面には、領域３上に第２
導電側電極５が設けられており、その電極５の内側であ
る領域３上は反射防止膜４で、また外側である半導体結
晶層２上は素子保護膜８で覆われている。
結晶層２には不純物が選択拡散されて、第２導電型領域
３が形成されている。この部分が半導体基板１をＮ層（
またはＰ層）、半導体結晶層２を１層、第１の領域３を
Ｐ層（またはＮ層）とするＰＩＮフォトダイオード構造
となり、ここに受光領域９を形成している。この様な構
造を有する半導体結晶層２の表面には、領域３上に第２
導電側電極５が設けられており、その電極５の内側であ
る領域３上は反射防止膜４で、また外側である半導体結
晶層２上は素子保護膜８で覆われている。
上述の構造を有する半導体装置に逆バイアスを印加する
ことによって半導体結晶層２中のｐｎ接合部分に空乏層
が生じる。すると空乏層中に電界が生じ、受光領域９に
入射された光によって生じた電子、正孔の各々は、互い
に導電型の異なる第１導電型半導体基板１と第２導電型
領域３に振り分けられて加速される。このため光電流を
外部に取り出すとかでき、光信号を検出することができ
る。
ことによって半導体結晶層２中のｐｎ接合部分に空乏層
が生じる。すると空乏層中に電界が生じ、受光領域９に
入射された光によって生じた電子、正孔の各々は、互い
に導電型の異なる第１導電型半導体基板１と第２導電型
領域３に振り分けられて加速される。このため光電流を
外部に取り出すとかでき、光信号を検出することができ
る。
上述の第６図に示す構造では、受光領域９の外側に光が
入射した場合、発生したキャリアは密度勾配により拡散
してｐｎ接合に達し、光電流として取り出される。拡散
によるキャリアの移動は遅いために、光パルスに対する
応答波形は第３図（ａ）に示される様に、終端に尾を引
いた波形となる。
入射した場合、発生したキャリアは密度勾配により拡散
してｐｎ接合に達し、光電流として取り出される。拡散
によるキャリアの移動は遅いために、光パルスに対する
応答波形は第３図（ａ）に示される様に、終端に尾を引
いた波形となる。
この様な受光素子を光通信に用いる場合、光ファイバか
ら出射した光は受光領域９に入射する様に集光される。
ら出射した光は受光領域９に入射する様に集光される。
しかし、一部の光が受光領域９の外側に漏れた場合、上
記の理由で受光素子の応答速度の低下に繋がる。特に、
高速の受光素子では接合容量を小さくするために受光領
域９の面積を小さくしているので、受光領域９の外側に
入射する光の割合が増加してしまう。そのため、応答速
度の遅い拡散成分が増加し、応答速度の劣化に繋がる。
記の理由で受光素子の応答速度の低下に繋がる。特に、
高速の受光素子では接合容量を小さくするために受光領
域９の面積を小さくしているので、受光領域９の外側に
入射する光の割合が増加してしまう。そのため、応答速
度の遅い拡散成分が増加し、応答速度の劣化に繋がる。
また、半導体レーザの光出力を一定に制御するために、
半導体レーザの後端面から出射する光を受光素子で受け
て半導体レーザの駆動電流を帰還制御する方法がとられ
るが、この場合半導体レーザから出射した光が受光素子
の受光領域９の外側にも広がってしまうと、前述した様
に拡散による応答速度の遅い成分が生成し、帰還制御に
悪影響を与える。
半導体レーザの後端面から出射する光を受光素子で受け
て半導体レーザの駆動電流を帰還制御する方法がとられ
るが、この場合半導体レーザから出射した光が受光素子
の受光領域９の外側にも広がってしまうと、前述した様
に拡散による応答速度の遅い成分が生成し、帰還制御に
悪影響を与える。
本発明は、これらの問題を解決した受光素子を提供する
ためのものである。
ためのものである。
本発明は、第１導電型半導体層の一部に第２導電型領域
を選択的に設けることによって形成されるｐｎ接合部分
を受光領域とする受光素子において、第２導電型領域の
周囲の第１導電型半導体結晶層上に金属膜が形成されて
いることを特徴とする。
を選択的に設けることによって形成されるｐｎ接合部分
を受光領域とする受光素子において、第２導電型領域の
周囲の第１導電型半導体結晶層上に金属膜が形成されて
いることを特徴とする。
本発明によれば、受光領域に入射すべき光が受光領域の
外側に広がった場合、その光は受光領域の周囲の半導体
結晶層表面に設けられた金属膜によって反射される。従
って、その光は半導体結晶層内の受光層まで達しないた
め、不要な電荷の生成を防ぐことができる。
外側に広がった場合、その光は受光領域の周囲の半導体
結晶層表面に設けられた金属膜によって反射される。従
って、その光は半導体結晶層内の受光層まで達しないた
め、不要な電荷の生成を防ぐことができる。
以下、本発明の実施例について図に基づいて説明する。
第１図は、本発明に係る受光素子の基本構造を示してお
り、同図（ａ）は上面図、同図（ｂ）はそのｘ−ｘ’断
面図である。同図に示される様に、裏面に第１導電側電
極７が施された高濃度の第１導電型半導体基板１の表面
上には低濃度の第１導電型受光層２が形成され、不純物
拡散により第２導電型領域３が設けられている。この領
域３を設けることによって形成されたｐｎ接合部分を、
受光領域９とする構造が形成されている。半導体装・品
層２の表面には、第１の領域３上にｐ側電極５が設けら
れ、その内側の第１の領域３上には反射防止膜４が、外
側の半導体結晶層２上には素子保護膜８が形成され、さ
らに素子保護膜８上には電Ｉ！ｌ１ｉ５と所定の間隔を
おいて、金属膜６が被覆されている。
り、同図（ａ）は上面図、同図（ｂ）はそのｘ−ｘ’断
面図である。同図に示される様に、裏面に第１導電側電
極７が施された高濃度の第１導電型半導体基板１の表面
上には低濃度の第１導電型受光層２が形成され、不純物
拡散により第２導電型領域３が設けられている。この領
域３を設けることによって形成されたｐｎ接合部分を、
受光領域９とする構造が形成されている。半導体装・品
層２の表面には、第１の領域３上にｐ側電極５が設けら
れ、その内側の第１の領域３上には反射防止膜４が、外
側の半導体結晶層２上には素子保護膜８が形成され、さ
らに素子保護膜８上には電Ｉ！ｌ１ｉ５と所定の間隔を
おいて、金属膜６が被覆されている。
上記の構造を有する半導体装置に逆バイアスを印加する
ことによって半導体結晶層２中のｐｎ接合部分に空乏層
が生じる。すると空乏層中に電界が生じ、受光領域９に
入射した光によって生じた電子、正孔の各々は第１導電
型半導体基板１、第２導電型領域３に振り分けられて加
速される。このため光電流を外部に取り出すことができ
、光信号を検出することができる。一方、受光領域９に
入射すべき光が受光領域９の外側に広がった場合でも、
領域３の周囲の半導体結晶層２の表面に金属膜６が設け
られている事によって、前述の光は反射される。従って
その光は半導体結晶層２中の受光層内に達しないため、
不要な電荷の生成を防ぐことができる。
ことによって半導体結晶層２中のｐｎ接合部分に空乏層
が生じる。すると空乏層中に電界が生じ、受光領域９に
入射した光によって生じた電子、正孔の各々は第１導電
型半導体基板１、第２導電型領域３に振り分けられて加
速される。このため光電流を外部に取り出すことができ
、光信号を検出することができる。一方、受光領域９に
入射すべき光が受光領域９の外側に広がった場合でも、
領域３の周囲の半導体結晶層２の表面に金属膜６が設け
られている事によって、前述の光は反射される。従って
その光は半導体結晶層２中の受光層内に達しないため、
不要な電荷の生成を防ぐことができる。
次に、上述の基本構造に基づいた具体的な実施例につい
て説明する。
て説明する。
第２図は、本発明に係る受光素子の第１の実施例の構造
を示しており、同図（ａ）はその上面図、同図（ｂ）は
そのｘ−ｘ’断面図である。図示されている様に、裏面
にｎ側電極が施されたｎ＋型ＩｎＰ （インジウム・リ
ン）基板１（キャリア濃度； ｎ＝２Ｘ１０１８ｃｍ
３）の表面上ニハ、ノンドープＩｎＰバッファ層２ａ
（ｎ−２Ｘ１０１５ｃｍ−３厚さ２μｍ）、ノンドープ
１ｎＧａＡｓ （インジウム・ガリウム・ヒ素）受光層
２ｂ（ｎ−２Ｘ１０ （至）、厚さ３．５μａ＋）、ノ
ンドープＩｎＰ窓層２ｃ（ｎ−２Ｘ１０ ｅｍ 、
厚さ２μｌ）が成長されている。これら光吸収層には、
封管法によるＺｎ（亜鉛）の選択拡散により、ｐ型頭域
３が形成されている。半導体結晶層２の表面には、第１
の領域３上にｐ側電極５が設けられ、その内側の第１の
領域３上には反射防止膜４が、外側の半導体結晶層２上
には素子保護膜８が形成されている。さらに素子保護膜
８上には金属膜６が形成されているが、この金属膜６と
ｐ型電極５０間は５μ利の一定の間隔を保っており、こ
の場合、ｐ型頭域３の直径は金属膜６の内径より小さく
、金属膜６はｎ型領域上のみに存在している。
を示しており、同図（ａ）はその上面図、同図（ｂ）は
そのｘ−ｘ’断面図である。図示されている様に、裏面
にｎ側電極が施されたｎ＋型ＩｎＰ （インジウム・リ
ン）基板１（キャリア濃度； ｎ＝２Ｘ１０１８ｃｍ
３）の表面上ニハ、ノンドープＩｎＰバッファ層２ａ
（ｎ−２Ｘ１０１５ｃｍ−３厚さ２μｍ）、ノンドープ
１ｎＧａＡｓ （インジウム・ガリウム・ヒ素）受光層
２ｂ（ｎ−２Ｘ１０ （至）、厚さ３．５μａ＋）、ノ
ンドープＩｎＰ窓層２ｃ（ｎ−２Ｘ１０ ｅｍ 、
厚さ２μｌ）が成長されている。これら光吸収層には、
封管法によるＺｎ（亜鉛）の選択拡散により、ｐ型頭域
３が形成されている。半導体結晶層２の表面には、第１
の領域３上にｐ側電極５が設けられ、その内側の第１の
領域３上には反射防止膜４が、外側の半導体結晶層２上
には素子保護膜８が形成されている。さらに素子保護膜
８上には金属膜６が形成されているが、この金属膜６と
ｐ型電極５０間は５μ利の一定の間隔を保っており、こ
の場合、ｐ型頭域３の直径は金属膜６の内径より小さく
、金属膜６はｎ型領域上のみに存在している。
上述の受光層２ｂの厚さは入射光の吸収効率を良くする
ため１〜７μ■の範囲にある事が望ましいが、特にこの
範囲に限定するものではない。またｐ側電極５と周囲の
金属膜６との間の幅は、応答速度特性、及び膜形成の安
定性等から２〜３０μ膠の範囲であることが望ましいが
、特にこの範囲に限定するものではない。
ため１〜７μ■の範囲にある事が望ましいが、特にこの
範囲に限定するものではない。またｐ側電極５と周囲の
金属膜６との間の幅は、応答速度特性、及び膜形成の安
定性等から２〜３０μ膠の範囲であることが望ましいが
、特にこの範囲に限定するものではない。
この受光素子について測定した応答速度の測定結果を、
第３図（ｂ）に示す。受光領域の外側に広がった迷光が
受光層内に達しないため、応答速度の劣化が改善されて
いることが確認された。さらに、受光素子のｐ側電極５
と周囲の金属膜６との幅が狭いほど、応答速度の劣化が
改善されることが確認された。
第３図（ｂ）に示す。受光領域の外側に広がった迷光が
受光層内に達しないため、応答速度の劣化が改善されて
いることが確認された。さらに、受光素子のｐ側電極５
と周囲の金属膜６との幅が狭いほど、応答速度の劣化が
改善されることが確認された。
次に、第４図を用いて第２の実施例について説明する。
同図（ａ）はその上面図、同図（ｂ）はそのｘ−ｘ’断
面図である。本実施例では、裏面にｎ側電極が施された
ｎ 型１ｎＰ基板１（ｎ−２×１０１８ｃＩＴｌ−３）
の表面上に、ノンドープＩｎＰバッファ層２ａ（ｎ−２
Ｘ１０ （！Ｉｌｌ ｓ厚さ２μｌｌ１）、ノンド
ープＩｎＧａＡｓ受光層２ｂ（ｎ−２×１０１５ｃｌ＋
１−３、厚さ３．５．ｕ＋ａ）、ノンドープＩｎＰ窓層
２ｃ （ｎ−２ｘｌ Ｏ’ｃｍ−”、厚さ２μｍ）が順
次積層され、Ｚｎの選択拡散によってｐ型頭域３が形成
されている。このｐ型頭域３の直径は５０μｍであり、
その領域３上にはｐ側電極５が設けられている。そして
ｐ側電極５の内側の第１の領域３上には反射防止膜４が
、外側の半導体結晶層２Ｃ上には素子保護膜８が形成さ
れている。さらに、素子保護膜８及び第１導電型半導体
結晶層２Ｃ上には金属膜６が形成されている。ここで、
ｐ側電極５と周囲の金属膜６との間の幅は１０μｍであ
る。
面図である。本実施例では、裏面にｎ側電極が施された
ｎ 型１ｎＰ基板１（ｎ−２×１０１８ｃＩＴｌ−３）
の表面上に、ノンドープＩｎＰバッファ層２ａ（ｎ−２
Ｘ１０ （！Ｉｌｌ ｓ厚さ２μｌｌ１）、ノンド
ープＩｎＧａＡｓ受光層２ｂ（ｎ−２×１０１５ｃｌ＋
１−３、厚さ３．５．ｕ＋ａ）、ノンドープＩｎＰ窓層
２ｃ （ｎ−２ｘｌ Ｏ’ｃｍ−”、厚さ２μｍ）が順
次積層され、Ｚｎの選択拡散によってｐ型頭域３が形成
されている。このｐ型頭域３の直径は５０μｍであり、
その領域３上にはｐ側電極５が設けられている。そして
ｐ側電極５の内側の第１の領域３上には反射防止膜４が
、外側の半導体結晶層２Ｃ上には素子保護膜８が形成さ
れている。さらに、素子保護膜８及び第１導電型半導体
結晶層２Ｃ上には金属膜６が形成されている。ここで、
ｐ側電極５と周囲の金属膜６との間の幅は１０μｍであ
る。
この構造においても、ｐ型頭域３周辺の金属膜によって
迷光の入射が防げるため応答速度の劣化を防ぐことがで
きる。
迷光の入射が防げるため応答速度の劣化を防ぐことがで
きる。
次に、第３の実施例について第５図を用いて説明する。
同図（ａ）はその上面図、同図（ｂ）はそのｘ−ｘ’断
面図である。本実施例では、裏面にｎ側電極が施された
ｎ 型ＩｎＰ基板１ （ｎ −２Ｘ １０１８ｃ＋ｎ−
”）の表面上にノンドープＩ ｎＧａＡｓ受光層２ （
ｎ ＝ ２ Ｘ １０１５ｃｍ−３、厚さ５．ｃｚｍ）
が形成されており、Ｚｎの選択拡散によりｐ型頭域３が
形成されている。この領域３の直径は、１００μ詣であ
り、その領域３上にはｐ側電極５が形成されている。そ
して、ｐ側電極５の内側の第１の領域３上には反射防止
膜４が、外側の半導体結晶層２上には素子保護膜８が形
成されている。
面図である。本実施例では、裏面にｎ側電極が施された
ｎ 型ＩｎＰ基板１ （ｎ −２Ｘ １０１８ｃ＋ｎ−
”）の表面上にノンドープＩ ｎＧａＡｓ受光層２ （
ｎ ＝ ２ Ｘ １０１５ｃｍ−３、厚さ５．ｃｚｍ）
が形成されており、Ｚｎの選択拡散によりｐ型頭域３が
形成されている。この領域３の直径は、１００μ詣であ
り、その領域３上にはｐ側電極５が形成されている。そ
して、ｐ側電極５の内側の第１の領域３上には反射防止
膜４が、外側の半導体結晶層２上には素子保護膜８が形
成されている。
さらに、素保護膜８上には金属膜６が設けられている。
ここで、ｐ側電極５と周囲の金属膜６との間の幅は１５
μｍである。この場合、ｐ型頭域３の直径は金属膜６の
内径より大きく、金属膜６がｎ型領域上、及びｐ型頭域
３上の一部に存在することを特徴とするものである。こ
の金属膜６はｐ型頭域３上に１μｍ以上せり出している
こと、さらに、ｐ側電極５の周囲から２μｍ以上離れて
いることが望ましいが、特にこれは前記の範囲に限定す
るものではない。
μｍである。この場合、ｐ型頭域３の直径は金属膜６の
内径より大きく、金属膜６がｎ型領域上、及びｐ型頭域
３上の一部に存在することを特徴とするものである。こ
の金属膜６はｐ型頭域３上に１μｍ以上せり出している
こと、さらに、ｐ側電極５の周囲から２μｍ以上離れて
いることが望ましいが、特にこれは前記の範囲に限定す
るものではない。
上記の構造によっては、受光領域９の外側に入射した光
は金属膜６によってすべて反射され、光は受光領域９で
のみ吸収されるために受光領域９の外側では電荷は生じ
得す、応答速度の劣化を防ぐことができる。
は金属膜６によってすべて反射され、光は受光領域９で
のみ吸収されるために受光領域９の外側では電荷は生じ
得す、応答速度の劣化を防ぐことができる。
ここに記載した半導体材料並びにその寸法などはあくま
で一例であり、用途・対象とする波長等により異なる。
で一例であり、用途・対象とする波長等により異なる。
例えば、半導体材料についてはＧａＡｓ （ガリウム・
ヒ素） 、Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ（インジウム・
ガリウム・ヒ素・リン）、ＡΩＧａＡｓ （アルミニ
ウム・ガリウム・ヒ素）、ＣｄＴｅ （カドミウム・テ
ルル） 、ＨｇＣｄＴｅ（水銀・カドミウム中テルル）
Ｉｎ５ｂ（インジウム・アンチモン）等の化合物
半導体や、Ｓｉ（ケイ素）、Ｇｅ（ゲルマニウム）など
でも良い。
ヒ素） 、Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ（インジウム・
ガリウム・ヒ素・リン）、ＡΩＧａＡｓ （アルミニ
ウム・ガリウム・ヒ素）、ＣｄＴｅ （カドミウム・テ
ルル） 、ＨｇＣｄＴｅ（水銀・カドミウム中テルル）
Ｉｎ５ｂ（インジウム・アンチモン）等の化合物
半導体や、Ｓｉ（ケイ素）、Ｇｅ（ゲルマニウム）など
でも良い。
また、不純物にはＢｅ（ベリリウム）、Ｃｄ（カドミウ
ム）等の材料を用いても良い。
ム）等の材料を用いても良い。
以上説明した様に、受光領域の周囲の第１の導電型であ
る半導体結晶上に蒸着等で形成した金属膜によって、受
光領域外に入射した光を反射させるという簡単な構造を
用いることにより、応答速度の劣化を防ぐことができる
受光素子を得ることができる。
る半導体結晶上に蒸着等で形成した金属膜によって、受
光領域外に入射した光を反射させるという簡単な構造を
用いることにより、応答速度の劣化を防ぐことができる
受光素子を得ることができる。
第１図は本発明に係る受光素子の基本構造を示す図、第
２図は本発明の第１の実施例に係る受光素子構造を示す
図、第３図は従来構造及び第１の実施例に係る受光素子
について測定した光パルス応答特性を示す図、第４図は
本発明の第２の実施例に係る受光素子構造を示す図、第
５図は本発明の第３の実施例に係る受光素子構造を示す
図、第６図は従来の受光素子構造を示す図である。 １・・・第１導電型半導体基板、２・・・半導体結晶層
、２ａ・・・バッファ層、２ｂ・・・受光層、２ｃ・・
・窓層、３・・・受光領域、４・・・反射防止膜、５・
・・第２導電側電極、６・・・金属膜、７・・・第１導
電側電極、８・・・素子保護膜、９・・・受光領域。
２図は本発明の第１の実施例に係る受光素子構造を示す
図、第３図は従来構造及び第１の実施例に係る受光素子
について測定した光パルス応答特性を示す図、第４図は
本発明の第２の実施例に係る受光素子構造を示す図、第
５図は本発明の第３の実施例に係る受光素子構造を示す
図、第６図は従来の受光素子構造を示す図である。 １・・・第１導電型半導体基板、２・・・半導体結晶層
、２ａ・・・バッファ層、２ｂ・・・受光層、２ｃ・・
・窓層、３・・・受光領域、４・・・反射防止膜、５・
・・第２導電側電極、６・・・金属膜、７・・・第１導
電側電極、８・・・素子保護膜、９・・・受光領域。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、第１導電型半導体層の一部に、第２導電型領域を選
択的に設けることによって形成されるｐｎ接合部分を受
光領域とする受光素子において、前記第２導電型領域の
周囲の第１導電型半導体層上には、金属膜が形成されて
いることを特徴とする受光素子。 ２、前記第１導電型半導体層上には、絶縁膜を介して金
属膜が形成されていることを特徴とする、請求項１記載
の受光素子。 ３、前記第１導電型半導体層と前記金属膜とは、接触し
ていることを特徴とする請求項１記載の受光素子。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2230207A JPH04111478A (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | 受光素子 |
| CA002050363A CA2050363A1 (en) | 1990-08-31 | 1991-08-30 | Photo-sensing device |
| KR1019910015189A KR950004550B1 (ko) | 1990-08-31 | 1991-08-31 | 수광소자 |
| EP91114758A EP0473196A1 (en) | 1990-08-31 | 1991-09-02 | Photo-sensing device |
| US08/124,661 US5315148A (en) | 1990-08-31 | 1993-09-09 | Photo-sensing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2230207A JPH04111478A (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | 受光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04111478A true JPH04111478A (ja) | 1992-04-13 |
Family
ID=16904254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2230207A Pending JPH04111478A (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | 受光素子 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5315148A (ja) |
| EP (1) | EP0473196A1 (ja) |
| JP (1) | JPH04111478A (ja) |
| KR (1) | KR950004550B1 (ja) |
| CA (1) | CA2050363A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100516594B1 (ko) * | 2002-07-27 | 2005-09-22 | 삼성전자주식회사 | 포토다이오드 및 그 제조방법 |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09289333A (ja) * | 1996-04-23 | 1997-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体受光素子 |
| JP4450454B2 (ja) * | 1999-08-26 | 2010-04-14 | Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 | 半導体受光素子 |
| US6593636B1 (en) * | 2000-12-05 | 2003-07-15 | Udt Sensors, Inc. | High speed silicon photodiodes and method of manufacture |
| KR100464367B1 (ko) * | 2002-01-08 | 2005-01-03 | 삼성전자주식회사 | 포토다이오드 디텍터 및 그 제조방법 |
| US8120023B2 (en) | 2006-06-05 | 2012-02-21 | Udt Sensors, Inc. | Low crosstalk, front-side illuminated, back-side contact photodiode array |
| US8686529B2 (en) | 2010-01-19 | 2014-04-01 | Osi Optoelectronics, Inc. | Wavelength sensitive sensor photodiodes |
| US9178092B2 (en) | 2006-11-01 | 2015-11-03 | Osi Optoelectronics, Inc. | Front-side illuminated, back-side contact double-sided PN-junction photodiode arrays |
| US7935546B2 (en) * | 2008-02-06 | 2011-05-03 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for measurement and control of photomask to substrate alignment |
| WO2010031011A2 (en) | 2008-09-15 | 2010-03-18 | Udt Sensors, Inc. | Thin active layer fishbone photodiode with a shallow n+ layer and method of manufacturing the same |
| US8399909B2 (en) | 2009-05-12 | 2013-03-19 | Osi Optoelectronics, Inc. | Tetra-lateral position sensing detector |
| CN103050565B (zh) * | 2012-12-26 | 2016-05-04 | 华工科技产业股份有限公司 | 突发式光模块用浅沟栅状背光探测器及其制作方法 |
| US8912615B2 (en) | 2013-01-24 | 2014-12-16 | Osi Optoelectronics, Inc. | Shallow junction photodiode for detecting short wavelength light |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54107376A (en) * | 1978-02-10 | 1979-08-23 | Nec Corp | Photo detector |
| JPS60182778A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-18 | Fujitsu Ltd | 半導体受光装置 |
| JPS6195580A (ja) * | 1984-10-17 | 1986-05-14 | Hitachi Ltd | 受光素子およびこの受光素子を内臓した光電子装置 |
| EP0205899B1 (en) * | 1985-05-20 | 1991-03-27 | Nec Corporation | Planar heterojunction avalanche photodiode |
| JPS622673A (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体受光装置 |
| EP0215290B1 (de) * | 1985-08-27 | 1989-11-29 | Siemens Aktiengesellschaft | Fotoempfindliche Anordnung auf der Basis von a-Si:H für Bildsensoren |
| JPS63207184A (ja) * | 1987-02-24 | 1988-08-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体受光素子 |
| JPH01117375A (ja) * | 1987-10-30 | 1989-05-10 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体装置 |
| US4901153A (en) * | 1988-08-10 | 1990-02-13 | Seiko Instruments Inc. | Image sensor with reduced surface reflection interference |
-
1990
- 1990-08-31 JP JP2230207A patent/JPH04111478A/ja active Pending
-
1991
- 1991-08-30 CA CA002050363A patent/CA2050363A1/en not_active Abandoned
- 1991-08-31 KR KR1019910015189A patent/KR950004550B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1991-09-02 EP EP91114758A patent/EP0473196A1/en not_active Withdrawn
-
1993
- 1993-09-09 US US08/124,661 patent/US5315148A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100516594B1 (ko) * | 2002-07-27 | 2005-09-22 | 삼성전자주식회사 | 포토다이오드 및 그 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0473196A1 (en) | 1992-03-04 |
| CA2050363A1 (en) | 1992-03-01 |
| KR950004550B1 (ko) | 1995-05-02 |
| US5315148A (en) | 1994-05-24 |
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