KR100516594B1 - 포토다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents
포토다이오드 및 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100516594B1 KR100516594B1 KR10-2002-0044402A KR20020044402A KR100516594B1 KR 100516594 B1 KR100516594 B1 KR 100516594B1 KR 20020044402 A KR20020044402 A KR 20020044402A KR 100516594 B1 KR100516594 B1 KR 100516594B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- forming
- photodiode
- type electrode
- substrate
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 25
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 31
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 31
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 7
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 claims description 6
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 10
- 238000004891 communication Methods 0.000 abstract description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 77
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
본 발명은 광통신용 광 수신 소자에 이용되는 포토다이오드(Photo Diode) 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 포토다이오드의 전송속도를 증가시키기 위해서 정전용량(capacitance)은 작게 하면서 수광 효율은 높게, 그리고 광섬유와의 결합 효율은 높게 구현한 포토다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.
이를 위해 본 발명에서는 일반 유전막인 SiNx막의 유전상수보다 훨씬 낮은 유전상수를 갖고, 또한 흡습성이 낮으면서, 유전막의 두께를 두껍게 형성시킬 수 있는 BCB 물질을 P-전극 아래에 형성함으로써 정전용량을 현저히 줄일 수 있다.
Description
본 발명은 광통신용 광 수신 소자에 이용되는 포토다이오드(Photo Diode) 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 광통신 시스템에 사용되는 1.3㎛와 1.5㎛ 근처 파장을 검출하는 디텍터 제작에 화합물 반도체가 가장 적합한 재료로 많은 관심이 쏠리고 있다.
한편, 최근의 광통신의 발달은 초당 데이터의 전송송도가 높아지면서 가능하게 되었는데 이를 만족시키기 위해서는 디텍터 소자의 초당 데이터 전송속도의 다른 척도인 대역폭(bandwidth)을 증가시켜야만 한다. 대역폭은 전송되어온 최대 신호의 중간지점에서의 파장을 의미하는 것으로 그 단위는 Hz로 표시한다. 이러한 대역폭에 영향을 미치는 요소(factor)는 여러 가지가 있지만 이론적으로 소자의 저항(resistance)과 정전용량(capacitance)이 가장 큰 영향을 미친다. 이 중 저항의 경우는 모든 소자가 극소화하므로 크게 영향을 미치지 않기 때문에 거시적으로는 정전용량이 소자의 속도 향상에 중요한 요소가 된다. 따라서 포토다이오드의 전송속도를 증가시키기 위해서는 칩의 정전용량을 줄여 주어야 하고, 이 경우 활성영역의 면적을 점점 더 줄여 주어야 한다. 그러나, 활성영역의 면적 감소와 비례하여 수광 면적도 줄어들게 된다. 수광 면적이 줄어들면 포토다이오드의 광전변환 효율이 저하될 뿐만 아니라 패키지 공정에서 광섬유와의 결합효율이 나빠지게 되어 후속 공정의 자유도가 감소하게 되므로 문제점이 발생한다. 따라서, 정전용량(capacitance)은 작게 하면서 수광 효율은 높게, 그리고 광섬유와의 결합 효율은 높게 구현하는 것이 필요하다.
도 1은 일반적인 종래의 포토다이오드의 구조를 나타내는 도면으로, 이를 참조하여 종래기술을 설명하면 다음과 같다.
도 1은 메사 형태의 포토다이오드 구조를 나타낸 것으로, 이 구조의 특징은 정전 용량을 좌우하는 P-전극(5) 아래의 p-InP층(3)과 u-InGaAs층(2)을 에칭을 통해 제거하고 SiNx막(4)을 이용해서 다이오드의 표면전류(surface current)를 차단(blocking)하고 있다는 것이다.
이러한 메사 구조의 장점은 확산 공정 없이 단결정 성장시에 p-InP층을 성장시키기 때문에 공정 단순화의 장점이 있다.
그러나 종래의 메사 구조는 도 1의 '가' 부분에서와 같이 에칭된 p-InP층과 u-InGaAs층이 공정 도중 대기에 노출되고 또한 절연막인 SiNx층과 접합(junction)이 형성되는데 이때 에너지 밴드갭이 적은 InGaAs막의 경우 누설 전류가 매우 커서 소자의 신뢰성이 급격히 저하되는 단점이 있다.
따라서 본 발명의 목적은 칩의 정전용량을 감소시켜 20GHz 이상까지 고속 동작할 수 있는 포토다이오드 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 메사구조의 단점인 누설전류를 최대한 억제할 수 있는 포토다이오드 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 세라믹 광 벤치(ceramic optical bench)와의 결합시 결합효율을 최적화하는 포토다이오드 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 포토다이오드는 기판 위에 형성된 버퍼층, 광 흡수층, 캡층을 포함하는 에피택시 웨이퍼와; 상기 캡층의 활성영역에 선택적으로 형성된 활성층과; 상기 활성층 위에 형성된 옴 접촉 금속층과; 상기 옴 접촉 금속층 측벽 및 상기 캡층 위에 형성된 절연층과; 상기 옴 접촉 금속층 위에 형성된 P형 전극과; 상기 P형 전극 측벽 및 상기 절연층 위에 형성된 유전층과; 상기 P형 전극 위에 형성되고 상기 유전층 위에까지 신장되어 형성된 본딩 메탈과; 상기 기판 쪽에 형성된 무반사층 및 N형 전극을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 유전층은 폴리머계 또는 BCB(Benzocyclobutene)로 이루어진 것을 특징으로 한다.
더욱 바람직하게는, 상기 에피택시 웨이퍼부분인 P-확산된 활성층의 기판이 볼록렌즈 형태로 형성된 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 포토다이오드 제조방법은 기판 위에 버퍼층, 광 흡수층, 캡층을 차례로 성장시켜 에피택시 웨이퍼를 형성하는 공정과; 상기 캡층 위에 절연층을 형성하되 활성영역의 상기 캡층을 노출시키는 과정과; 상기 노출된 활성영역의 캡층에 불순물을 주입하여 활성층을 형성하는 과정과; 상기 활성층 위에 옴 접촉층을 형성하는 과정과; 상기 옴 접촉층 위에 P형 전극을 형성하는 과정과; 상기 P형 전극 측벽 및 상기 절연층 위에 유전층을 형성하는 과정과; 상기 P형 전극 위에 형성되고 상기 절연층으로 신장되도록 본딩 메탈을 형성하는 과정 및 상기 기판 쪽에 무반사층, N형 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 유전층은 폴리머계 또는 BCB(Benzocyclobutene)로 이루어진 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 첨부한 도 2 및 도 3a 내지 도 3f를 참조하여 상세히 설명한다. 도면에서 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 참조번호 및 부호로 나타내고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다.
먼저, 도 2는 본 발명의 포토다이오드 디텍터의 구조를 나타내는 수직 단면도이다.
도 2에 도시된 바와 같이 본 발명의 포토다이오드는 u-InP 기판(21)위에 형성된 u-InP 버퍼층(도시하지 않음), u-InGaAs 광 흡수층(22), u-InP 캡층(23)과, u-InP 캡층(23) 위에 형성되고 개구를 갖는 SiNx층(24)과, 상기 개구를 통해 u-InP 캡층에 선택적으로 형성된 p-InP 활성영역(25)과, p-InP 활성영역(25) 위의, SiNx 절연층(24) 사이의 개구에 형성된 옴 접촉(Ohmic contact) 금속층(26)과, 상기 옴 접촉 금속층(26) 위에 형성된 P-폴 전극(27)과, 상기 P-폴 전극(27) 측벽 및 상기 SiNx 절연층(24) 위에 형성된 BCB 유전층(28)과, P-폴 전극(27) 위에 형성되고 상기 유전층 위에까지 신장되어 형성된 본딩 메탈(29)과 u-InP 기판(21)쪽에 형성된 SiNx 무반사층(30) 및 N-전극(31)으로 구성된다.
상기 구성에서 BCB(Benzocyclobutene - based polymer dielectrics)란 폴리머(polymer) 계통으로 SiO2계가 첨가되어 있다. 이러한 BCB 물질은 낮은 유전율(low dielectric constant), 낮은 고주파 손실, 낮은 흡습성(low moisture absorption), 낮은 경화 온도(low cure temperature), 높은 평탄도, 열적 안정성, 우수한 케미컬 레지스턴스(excellent chemical resistance) 등의 특성이 있다.
한편, 정전용량은
정전용량(C) = 유전상수 * 활성층 면적 / 유전막 두께
로 표현되는 바와 같이 유전상수에 비례하고, 유전막의 두께에 반비례한다.
따라서, SiNx막의 유전상수보다 훨씬 낮은 유전상수를 갖고, 유전막의 두께를 두껍게 형성시킬 수 있는 BCB 물질을 P-전극 아래에 형성함으로써 정전용량을 현저히 줄일 수 있다.
또한, BCB나 폴리이미드(polyimide) 등은 메탈과의 접착성이 극히 불량해서 소자 제작 후 세라믹 광 벤치에 접속하거나 본딩 메탈에 직접 와이어 본딩을 할 경우 메탈이 BCB와 분리될 가능성이 높다. 그러나 본 발명에서는 본딩 메탈을 BCB 유전층 위에 직접 형성하지 않고 P-폴 전극 위에 성막하여 BCB 유전층 위에 걸치도록 연결시킴으로써 결합력을 극대화시킬 수 있다.
상술한 구조의 포토다이오드 제조과정을, 도 3a 내지 도 3g의 본 발명의 일 실시예에 따른 포토다이오드 제조과정을 나타내는 공정 단면도를 참조하여 살펴보면 다음과 같다.
먼저, 도 3a에 도시된 바와 같이 u-InP 기판(21) 위에 u-InP 버퍼층(도시하지 않음), u-InGaAs 광 흡수층(22), u-InP 캡층(23)을 순차적으로 단결정 성장시킨 다음, u-InP 캡층(23) 위에 SiNx 절연층(24')을 형성한다.
이어서, 도 3b에서 SiNx 절연층(24') 위에 포토레지스트 도포 및 일반적인 포토리소그래피 공정을 통해 포토레지스트 패턴을 형성한 다음, 이를 식각 마스크로 이용하여 하부의 SiNx 절연층(24')을 식각하여 개구를 형성한 후, Zn을 확산시켜 노출된 u-InP 캡층(23)에 p-InP 활성영역(25)을 형성한다.
다음으로, 도 3c에서 p-InP 활성영역(25)이 형성된 구조 전체 상부에 SiNx 보호막(24'')을 증착 및 식각하여 이후 소자의 통전성을 확보하기 위한 옴 접촉(Ohmic contact)층이 형성될 부분에 개구를 형성한다. 계속해서, 금속 증착 및 식각공정을 통해 노출된 p-InP 활성영역(25) 위의, SiNx 절연층(24'') 사이의 개구에 옴 접촉 금속층(26)을 형성한다.
이어서, 도 3d에서 일반적인 포토 리소그래피 및 금속증착 공정을 실시하여 상기 옴 접촉 금속층(26) 위에 P-폴 전극(27)을 형성한다. 이때, P-폴 전극은 p-전극을 폴(pole) 형태로 형성함을 의미한다.
계속해서, 도 3e에서 상기 구조 전체 상부에 BCB 유전층(28)를 형성한 다음, 포토리소그래피 공정으로 상기 P-폴 전극(27) 상부를 일부 노출시킨다. 이때, BCB 유전층(28)은 폴리머 계통으로 유전율 및 흡습성이 SiNx막의 그것보다 훨씬 낮고, 유전층의 두께를 두껍게 형성시킬 수 있으므로 정전용량을 현저히 줄일 수 있다.
끝으로, 도 3f에서 포토 리소그래피 공정을 통한 마스크 및 금속증착 공정을 통해 노출된 P-폴 전극(27) 및 BCB 유전층(28) 위에 본딩 메탈(29)을 형성한다. 이와 같이 본딩 메탈을 BCB 유전층 위에 직접 형성하지 않고 P-폴 전극 위에 성막하여 BCB 유전층 위에 걸치도록 연결시킴으로써 BCB나 폴리이미드(polyimide) 등과 메탈과의 접착성 불량으로 인해 소자 제작 후에 세라믹 광 벤치에 접속하거나 본딩 메탈에 직접 와이어 본딩을 할 경우 메탈이 BCB와 분리되는 것을 방지할 수 있다. 접착력(adhesion) 정도를 알아보고자 시편을 통해 테스트(die shear test)를 실시한 결과, BCB와 본딩 메탈(Ti 또는 Au) 조합은 80g/㎠ 였으나, SiNx/P-폴(Ti/Au)/본딩 메탈(Ti/Au) 조합은 최소 200g/㎠ 이상으로 급격히 증가함으로써 접착력이 크게 개선됨을 알 수 있었다.
도시하지는 않았으나, 이후 웨이퍼 배면의 두께를 얇게 하는(thinning) 공정을 진행한 후 무반사 코팅층 및 N-전극을 형성한다. 또한, InP 기판쪽을 볼록렌즈 형태로 형성함으로써 정해진 활성영역에 비해 수광면적을 넓힐 수도 있다. 볼록렌즈 형성공정은 기판에 포토레지스트 마스크 패턴 형성, 브롬메탄올 등의 렌즈형성용 식각용액에서의 식각공정 등을 통해 이루어진다.
도 4는 본 발명에 따라 형성된 포토다이오드의 주파수에 따른 응답특성을 나타내는 도면으로, 9번의 샘플 테스트를 통한 결과를 나타낸다.
도시한 바와 같이 본 발명의 포토다이오드는 10Gbps급 수광소자에서 요구되는 정전용량인 0.2pF 보다 낮은 0.11pF을 얻을 수 있으며, 그 결과 현재까지의 측정장비의 한계치인 20Gbps 이상까지 작동함을 알 수 있다.
한편 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 아니 되며 후술하는 특허청구의 범위뿐만 아니라 이 특허청구의 범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
상술한 바와 같이 본 발명은 기존의 유전막에 비해 유전율이 낮고, 유전막의 두께를 두껍게 형성시킬 수 있는 BCB를 적용함으로써 원하는 정전용량(10Gbps급 디텍터의 경우 0.2pF)을 얻을 수 있어 수광 소자의 고속 동작이 가능하다.
또한, 본딩 메탈을 BCB 유전층 위에 직접 형성하지 않고 P-폴 전극 위에 성막하여 BCB 유전층 위에 걸치도록 연결시킴으로써 BCB나 폴리이미드(polyimide) 등과 메탈과의 접착성 불량으로 인해 소자 제작 후에 세라믹 광 벤치에 접속하거나 본딩 메탈에 직접 와이어 본딩을 할 경우 메탈이 BCB와 분리되는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 포토다이오드 구조를 나타내는 단면도,
도 2는 본 발명에 따른 포토다이오드의 구조를 나타내는 단면도,
도 3a 내지 도 3f는 본 발명의 일 실시예에 따른 포토다이오드 제조과정을 나타내는 공정 단면도,
도 4는 본 발명에 따라 형성된 포토다이오드의 주파수에 따른 응답특성을 나타내는 도면.
Claims (9)
- 기판 위에 형성된 버퍼층, 광 흡수층, 캡층을 포함하는 에피택시 웨이퍼와;상기 캡층의 활성영역에 선택적으로 형성된 활성층과;상기 캡층 위에 형성되며, 적어도 상기 활성층이 노출되도록 개구가 형성된 절연층과;상기 개구가 형성된 절연층 사이에 상기 활성층과 접하도록 형성된 옴 접촉 금속층과;상기 절연층 위에 형성되며, 적어도 상기 옴 접촉 금속층이 노출되도록 개구가 형성된 유전층과;상기 개구를 채우도록 폴형으로 형성된 P형 전극과;상기 P형 전극 측벽 및 상기 절연층 위에 형성된 유전층; 및상기 P형 전극 위에 형성되고 상기 유전층 위에까지 신장되어 형성된 본딩 메탈을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토다이오드.
- 제 1 항에 있어서, 상기 유전층은폴리머계 또는 BCB(Benzocyclobutene)로 이루어진 것을 특징으로 하는 포토다이오드.
- 제 1 항 또는 제 2항에 있어서, 상기 절연층은SiNx층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 포토다이오드.
- 제 1 항 또는 제 2항에 있어서, 상기 에피택시 웨이퍼는P-확산된 활성층의 기판이 볼록렌즈 형태로 된 것을 특징으로 하는 포토다이오드.
- 기판 위에 버퍼층, 광 흡수층, 캡층을 차례로 성장시켜 에피택시 웨이퍼를 형성하는 공정과;상기 캡층 위에 절연층을 형성하되 활성영역의 상기 캡층을 노출시키는 과정과;상기 노출된 활성영역의 캡층에 불순물을 주입하여 활성층을 형성하는 과정과;상기 활성층 위에 옴 접촉층을 형성하는 과정과;상기 옴 접촉층 위에 P형 전극을 형성하는 과정과;상기 P형 전극 측벽 및 상기 절연층 위에 유전층을 형성하는 과정과;상기 P형 전극 위에 형성되고 상기 유전층으로 신장되도록 본딩 메탈을 형성하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토다이오드 제조방법.
- 제 5 항에 있어서, 상기 유전층은폴리머계 또는 BCB(Benzocyclobutene)로 이루어진 것을 특징으로 하는 포토다이오드 제조방법.
- 제 5 항 또는 제 6항에 있어서, 상기 절연층은SiNx층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 포토다이오드 제조방법.
- 제 5 항에 있어서, 상기 본딩메탈 형성 후상기 기판 배면에 무반사층을 형성하는 과정: 및N형 전극을 형성하는 과정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토다이오드 제조방법.
- 제 8 항에 있어서, 상기 본딩 메탈을 형성하는 과정과 상기 기판 배면에 무반사층을 형성하는 과정과의 사이에정해진 활성영역에 비해 수광면적을 넓힐 수 있도록 상기 기판 쪽을 볼록렌즈 형태로 형성하는 공정을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토다이오드 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2002-0044402A KR100516594B1 (ko) | 2002-07-27 | 2002-07-27 | 포토다이오드 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2002-0044402A KR100516594B1 (ko) | 2002-07-27 | 2002-07-27 | 포토다이오드 및 그 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20040011066A KR20040011066A (ko) | 2004-02-05 |
| KR100516594B1 true KR100516594B1 (ko) | 2005-09-22 |
Family
ID=37319394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2002-0044402A KR100516594B1 (ko) | 2002-07-27 | 2002-07-27 | 포토다이오드 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100516594B1 (ko) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7518171B2 (en) | 2006-04-19 | 2009-04-14 | United Microelectronics Corp. | Photo diode and related method for fabrication |
| WO2010009462A2 (en) * | 2008-07-18 | 2010-01-21 | Massachusetts Institute Of Technology | Dark current reduction for large area photodiodes |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0258878A (ja) * | 1988-08-25 | 1990-02-28 | Nec Corp | 半導体受光素子アレイ |
| JPH03136282A (ja) * | 1989-10-20 | 1991-06-11 | Shimadzu Corp | フォトダイオード |
| JPH04111478A (ja) * | 1990-08-31 | 1992-04-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 受光素子 |
| JPH0621503A (ja) * | 1992-07-06 | 1994-01-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体光検出装置とその製造方法 |
| KR970024322A (ko) * | 1995-10-13 | 1997-05-30 | 김주용 | 포토 다이오드 및 그 제조방법 |
-
2002
- 2002-07-27 KR KR10-2002-0044402A patent/KR100516594B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0258878A (ja) * | 1988-08-25 | 1990-02-28 | Nec Corp | 半導体受光素子アレイ |
| JPH03136282A (ja) * | 1989-10-20 | 1991-06-11 | Shimadzu Corp | フォトダイオード |
| JPH04111478A (ja) * | 1990-08-31 | 1992-04-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 受光素子 |
| US5315148A (en) * | 1990-08-31 | 1994-05-24 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Photo-sensing device |
| JPH0621503A (ja) * | 1992-07-06 | 1994-01-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体光検出装置とその製造方法 |
| KR970024322A (ko) * | 1995-10-13 | 1997-05-30 | 김주용 | 포토 다이오드 및 그 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20040011066A (ko) | 2004-02-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106098836B (zh) | 通讯用雪崩光电二极管及其制备方法 | |
| JP4220688B2 (ja) | アバランシェホトダイオード | |
| US4879250A (en) | Method of making a monolithic interleaved LED/PIN photodetector array | |
| US6399967B1 (en) | Device for selectively detecting light by wavelengths | |
| JP4084958B2 (ja) | 半導体受光装置の製造方法 | |
| EP1063709B1 (en) | Method of fabricating a surface coupled InGaAs photodetector | |
| KR100464333B1 (ko) | 수광소자 및 그 제조방법 | |
| CN110854141A (zh) | 一种单片集成型平衡光电探测器芯片及制作方法 | |
| KR910013515A (ko) | 수신용 광전 집적회로 및 그 제조방법 | |
| JP4861388B2 (ja) | アバランシェホトダイオード | |
| US6730979B2 (en) | Recessed p-type region cap layer avalanche photodiode | |
| TWI818027B (zh) | 通用寬頻帶光偵測器設計以及製造製程 | |
| KR100516594B1 (ko) | 포토다이오드 및 그 제조방법 | |
| JP2000323746A (ja) | アバランシェフォトダイオードとその製造方法 | |
| US8072041B2 (en) | Passivated optical detectors with full protection layer | |
| JPH0582829A (ja) | 半導体受光素子 | |
| KR100464367B1 (ko) | 포토다이오드 디텍터 및 그 제조방법 | |
| US6589848B1 (en) | Photodetector device and method for manufacturing the same | |
| JP4719763B2 (ja) | 受信器の製造方法 | |
| JPH02199877A (ja) | 光受信器及び光電子集積回路 | |
| JPH04263475A (ja) | 半導体受光素子及びその製造方法 | |
| KR100654014B1 (ko) | 대구경 수광부를 위한 전극구조를 구비한 포토 다이오드 | |
| Miura et al. | Planar embedded InP/GaInAs pin photodiode for very high-speed operation | |
| JPH0316275A (ja) | 半導体受光素子の製造方法 | |
| Ho et al. | Edge-coupled InGaAs pin photodiode with the pseudowindow defined by an etching process |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E90F | Notification of reason for final refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120730 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130730 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |