JPS6343381A - 光起電力素子 - Google Patents
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
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- H02S40/40—Thermal components
- H02S40/44—Means to utilise heat energy, e.g. hybrid systems producing warm water and electricity at the same time
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/60—Thermal-PV hybrids
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
童ｌ上坐剋里立互
本発明は太陽電池等に使用される光起電力素子に関する
。
。
従来 朱とその問題点
従来の光起電力素子は、ｐｎ接合やｐｉｎ接合された非
晶質半導体に光を透過させ、光起電力効果を利用して電
力を得ていた。そして良好な特性を得るために、該光起
電力素子には、高純度の半導体が多量に使用しなければ
ならず非常に高価であるという問題点があった。
晶質半導体に光を透過させ、光起電力効果を利用して電
力を得ていた。そして良好な特性を得るために、該光起
電力素子には、高純度の半導体が多量に使用しなければ
ならず非常に高価であるという問題点があった。
さらに、該光起電力素子は、光起電力効果に用いられな
かったエネルギが熱となって捨てられ、有効なエネルギ
利用がなされていないという問題点があった。すなわち
、種々の波長を有する光が該光起電力素子に入射するが
、第４図のエネルギバンド図に示すように、半導体には
一般にバンドギャップＸを挟んで価電子帯Ｅｖと伝導帯
Ｅ、が存在しており、バンドギャップＸ以下の波長（波
長とエネルギとは相関関係がある）の光が入射しても、
キャリアが価電子帯Ｅｖから伝導帯Ｅ、に励起されず、
電気エネルギとして利用できないし、またバンドギャッ
プＸ以上の波長の光についてもキャリアが一旦伝導帯Ｅ
。の上方に励起されて後（図中、点Ｙで示す）、光子と
衝突を繰り返してエネルギを放出しつつ、上記伝導帯Ｅ
、まで降下するため、図中、Ｚ （＝Ｙ−Ｘ）に相当す
るエネルギが電気エネルギとして利用されないまま熱と
なって捨てられてしまう。この結果、変換効率が著しく
悪いという問題点があったのである。 本発明は従来の
このような問題点を解決して、安価であって、かつ変換
効率の良好な光起電力素子を提供することを目的とする
。
かったエネルギが熱となって捨てられ、有効なエネルギ
利用がなされていないという問題点があった。すなわち
、種々の波長を有する光が該光起電力素子に入射するが
、第４図のエネルギバンド図に示すように、半導体には
一般にバンドギャップＸを挟んで価電子帯Ｅｖと伝導帯
Ｅ、が存在しており、バンドギャップＸ以下の波長（波
長とエネルギとは相関関係がある）の光が入射しても、
キャリアが価電子帯Ｅｖから伝導帯Ｅ、に励起されず、
電気エネルギとして利用できないし、またバンドギャッ
プＸ以上の波長の光についてもキャリアが一旦伝導帯Ｅ
。の上方に励起されて後（図中、点Ｙで示す）、光子と
衝突を繰り返してエネルギを放出しつつ、上記伝導帯Ｅ
、まで降下するため、図中、Ｚ （＝Ｙ−Ｘ）に相当す
るエネルギが電気エネルギとして利用されないまま熱と
なって捨てられてしまう。この結果、変換効率が著しく
悪いという問題点があったのである。 本発明は従来の
このような問題点を解決して、安価であって、かつ変換
効率の良好な光起電力素子を提供することを目的とする
。
１ 占を角”°°するための
上記問題点を解決するために本発明の光起電力素子は、
ゼーベック効果を有する異種の金属膜を重合した金属層
と、絶縁体層とを交互に積層してなる超格子構造を内有
していることを特徴としている。
ゼーベック効果を有する異種の金属膜を重合した金属層
と、絶縁体層とを交互に積層してなる超格子構造を内有
していることを特徴としている。
詐二−−−尻
超格子構造とは、厚さ数人〜数百人の薄膜を多数積層し
た人工的な周期構造をいう。そして金属と絶縁体の超薄
膜が交互に積層されてなる超格子構造は、半導体的性質
を示すことが既に知られている（昭和６０年度電子通信
学会半導体・材料部門全国大会予稿集ｐ２〜ｐ１７（中
口、浅田、末松［金属・絶縁体超格子を用し；た超高速
三端子デバイス」））。すなわち、このような超格子構
造においては、金属層が井戸層に、絶縁体層がバリア層
となり、井戸層中に形成されるミニバンドにより半導体
的性質が現われるのである。
た人工的な周期構造をいう。そして金属と絶縁体の超薄
膜が交互に積層されてなる超格子構造は、半導体的性質
を示すことが既に知られている（昭和６０年度電子通信
学会半導体・材料部門全国大会予稿集ｐ２〜ｐ１７（中
口、浅田、末松［金属・絶縁体超格子を用し；た超高速
三端子デバイス」））。すなわち、このような超格子構
造においては、金属層が井戸層に、絶縁体層がバリア層
となり、井戸層中に形成されるミニバンドにより半導体
的性質が現われるのである。
したがって、本発明によれば、上記超格子構造の半導体
的性質により光起電力が発生すると共に、従来利用され
ていなかった熱エネルギが異種金属を重合した金属層の
もつゼーベック効果によって、電気エネルギに変換され
るので、従来に比し変換効率の良好な光起電力素子を得
ることができる。
的性質により光起電力が発生すると共に、従来利用され
ていなかった熱エネルギが異種金属を重合した金属層の
もつゼーベック効果によって、電気エネルギに変換され
るので、従来に比し変換効率の良好な光起電力素子を得
ることができる。
大−隻一貫
以下、図示の実施例に基づき本発明を詳説する。
第１図は、矢印Ａ方向から光が入射する光起電力素子の
一例を示したものであって、１はガラス等の透明基板、
２は熱ＣＶＤ法により形成されたｌ ｎｚ ｏ３ 、Ｉ
Ｔｏ、５ｎｏｔ等の透光性導電酸化物よりなる透明電極
を示し、光起電力素子の陽極となるものである。３はホ
ウ素をドープしたａ−５ｉＣ等のｐ型非晶質半導体から
なるｐ層、４は燐をドープしたａ−３ｔ等のｎ型非晶質
半導体からなるｎ層を示し、９層３及び０層４は共に、
グロー放電法により形成される。また５はＡＩ！等の金
属からなる裏面電極を示し、光起電力素子の陰極となる
ものである。
一例を示したものであって、１はガラス等の透明基板、
２は熱ＣＶＤ法により形成されたｌ ｎｚ ｏ３ 、Ｉ
Ｔｏ、５ｎｏｔ等の透光性導電酸化物よりなる透明電極
を示し、光起電力素子の陽極となるものである。３はホ
ウ素をドープしたａ−５ｉＣ等のｐ型非晶質半導体から
なるｐ層、４は燐をドープしたａ−３ｔ等のｎ型非晶質
半導体からなるｎ層を示し、９層３及び０層４は共に、
グロー放電法により形成される。また５はＡＩ！等の金
属からなる裏面電極を示し、光起電力素子の陰極となる
ものである。
しかして、６は、金属層７と絶縁体層８とが交互に積層
された超格子構造の薄膜であり、作用の項で示したよう
に、半導体的性質を有するものである。さらに上記金属
層７は、第１の金属膜９と、該第１の金属膜９との間で
ゼーベック効果による熱起電力を発生する第２の金属膜
１０とが互いに重合されてなる。この実施例では第１の
金属膜９としてコンスタンクン（Ｃｕｏ、ｉ Ｎ ｉ
ｏ、ａ ）が、第２の金属膜１０として銅が使用されて
いる。
された超格子構造の薄膜であり、作用の項で示したよう
に、半導体的性質を有するものである。さらに上記金属
層７は、第１の金属膜９と、該第１の金属膜９との間で
ゼーベック効果による熱起電力を発生する第２の金属膜
１０とが互いに重合されてなる。この実施例では第１の
金属膜９としてコンスタンクン（Ｃｕｏ、ｉ Ｎ ｉ
ｏ、ａ ）が、第２の金属膜１０として銅が使用されて
いる。
この超格子構造６は、絶縁体層８．第１の金属膜９．第
２の金属膜１０を一組としてこの順序で多数積層され、
周期構造を構成し、ｐｉｎ構造の光起電力素子における
１層の如き作用をなすのである。
２の金属膜１０を一組としてこの順序で多数積層され、
周期構造を構成し、ｐｉｎ構造の光起電力素子における
１層の如き作用をなすのである。
また、上記絶縁体層８．第１の金属膜９．第２の金属膜
１０の積層組数は、光が入射された状態において、光起
電力効果により発生する電圧と、第１の金属膜９−第２
の金属膜１０（コンスタンタン−銅）のゼーベック効果
によって発生する電圧とが略同一となるように設定され
る。例えば上記光起電力効果により発生する電圧がｏ、
ｓｖ、 を個の金属層７ （コンスタンクン−ｍ）か
ら発生する電圧が１ｍＶであれば５００組の金属層７と
絶縁体層８とが交互に積層され、全体として０．５■（
＝１ｍＶＸ５００組）の熱起電力が発生するように積層
組数を設定するのである。つまり、該光起電力素子の等
価回路は、第２図に示す如く、光起電力効果により発生
する電圧Ｖ、と熱起電力によって発生する電圧Ｖ！とが
並列回路を形成するため両者の電圧が相違する場合、例
えば、ｙ、＜ｖ２の場合、■１とｖｚとの間に電位差が
生じ、矢印Ｂ方向に電流が流れて回路バランスが崩れ、
最適な変換効率を得ることができないからである。
１０の積層組数は、光が入射された状態において、光起
電力効果により発生する電圧と、第１の金属膜９−第２
の金属膜１０（コンスタンタン−銅）のゼーベック効果
によって発生する電圧とが略同一となるように設定され
る。例えば上記光起電力効果により発生する電圧がｏ、
ｓｖ、 を個の金属層７ （コンスタンクン−ｍ）か
ら発生する電圧が１ｍＶであれば５００組の金属層７と
絶縁体層８とが交互に積層され、全体として０．５■（
＝１ｍＶＸ５００組）の熱起電力が発生するように積層
組数を設定するのである。つまり、該光起電力素子の等
価回路は、第２図に示す如く、光起電力効果により発生
する電圧Ｖ、と熱起電力によって発生する電圧Ｖ！とが
並列回路を形成するため両者の電圧が相違する場合、例
えば、ｙ、＜ｖ２の場合、■１とｖｚとの間に電位差が
生じ、矢印Ｂ方向に電流が流れて回路バランスが崩れ、
最適な変換効率を得ることができないからである。
もっとも上記矢印Ｂ方向の電流が流れても、熱エネルギ
に変わる場合には、ゼーベック効果により再度電気エネ
ルギに変換されるので大きく変換効率を下げることには
ならない。
に変わる場合には、ゼーベック効果により再度電気エネ
ルギに変換されるので大きく変換効率を下げることには
ならない。
上記第１の金属膜９及び第２の金属膜１０の夫々の膜厚
Ｔ、、Ｔ２は光電変換効率が最適となるように設定され
る。すなわち、井戸層となる上記金属層７は量子効果に
よりバンドギャップが形成されるが、この際上記金属層
７を薄くするとノ＼ンドギャップが狭くなって電流は沢
山流れるが電圧は低くなる。また該金属層７が厚い場合
は、電圧は高いが電流が小さくなる。つまり、膜厚Ｔ
＋ 、 Ｔ ｚは、（電圧×電流）の値がピークになる
ように決定するのである。このようにして決定された上
記第１の金属膜９及び第２の金属膜１０の夫々の膜厚Ｔ
ｌ、 Ｔ ｔの最適値は太陽電池のような吸収スペク
トルを有する場合には共に２０人であることが実験的に
確認された。
Ｔ、、Ｔ２は光電変換効率が最適となるように設定され
る。すなわち、井戸層となる上記金属層７は量子効果に
よりバンドギャップが形成されるが、この際上記金属層
７を薄くするとノ＼ンドギャップが狭くなって電流は沢
山流れるが電圧は低くなる。また該金属層７が厚い場合
は、電圧は高いが電流が小さくなる。つまり、膜厚Ｔ
＋ 、 Ｔ ｚは、（電圧×電流）の値がピークになる
ように決定するのである。このようにして決定された上
記第１の金属膜９及び第２の金属膜１０の夫々の膜厚Ｔ
ｌ、 Ｔ ｔの最適値は太陽電池のような吸収スペク
トルを有する場合には共に２０人であることが実験的に
確認された。
また、入射された光は、トンネル効果によってバリア層
となる絶縁体層７を通過する。そして該絶縁体層７がト
ンネル効果を発揮するにはその膜厚Ｔ３は一般に５０Å
以下とされており、製造上の難易性を考慮して上記金属
膜９，１０と同様２Ｏ人に設定される。尚、２層３及び
ｎ層・ｔの膜厚は従来の光起電力素子と同様９層３が１
５０人。
となる絶縁体層７を通過する。そして該絶縁体層７がト
ンネル効果を発揮するにはその膜厚Ｔ３は一般に５０Å
以下とされており、製造上の難易性を考慮して上記金属
膜９，１０と同様２Ｏ人に設定される。尚、２層３及び
ｎ層・ｔの膜厚は従来の光起電力素子と同様９層３が１
５０人。
ｎＦ１４が３００人〜４００人に形成される。
上記絶縁体層７．金属膜９，１０はいずれもスパッタ法
により形成され、その製造条件の一例は第１表に示す通
りである。
により形成され、その製造条件の一例は第１表に示す通
りである。
第１表
上述の如く構成された光起電力素子は、ＡＭ−１１００
ｍＷ／ａｎ！の条件で光が入射された場合、動作電圧を
０．５Ｖに設定すると、光起電力効果により、２０ｍＡ
／ｃｏｌの電流が得られた。一方前述の如く、熱起電力
効果による電圧と光起電力効果による電圧とが略同一に
設定されるので、熱起電力効果による電圧も０．５Ｖで
あり、この時の電流値は１０ ｍ Ａ ／ｃｒＡが得ら
れた。従って全電流は３０ｍＡ／ｃｎｌとなり、この時
の電力Ｗは、Ｗ＝ ３０ ｘＯ，５＝ １５ ｍＷ／ｃ
ａｔとなる。そして変換効率ηは、 η＝比出力れる電力／入射される電力 ＝ １５ ／ １００ −１５％ となり、従来の変換効率１０〜１２％に比べ、大幅に改
善されることが確認された。
ｍＷ／ａｎ！の条件で光が入射された場合、動作電圧を
０．５Ｖに設定すると、光起電力効果により、２０ｍＡ
／ｃｏｌの電流が得られた。一方前述の如く、熱起電力
効果による電圧と光起電力効果による電圧とが略同一に
設定されるので、熱起電力効果による電圧も０．５Ｖで
あり、この時の電流値は１０ ｍ Ａ ／ｃｒＡが得ら
れた。従って全電流は３０ｍＡ／ｃｎｌとなり、この時
の電力Ｗは、Ｗ＝ ３０ ｘＯ，５＝ １５ ｍＷ／ｃ
ａｔとなる。そして変換効率ηは、 η＝比出力れる電力／入射される電力 ＝ １５ ／ １００ −１５％ となり、従来の変換効率１０〜１２％に比べ、大幅に改
善されることが確認された。
第３図は、他の実施例を示したものであって、従来の非
晶質半導体太陽電池１１と超格子構造６を内有する太陽
電池とを重合させて、より広い吸収波長に対して適用可
能としたものである。
晶質半導体太陽電池１１と超格子構造６を内有する太陽
電池とを重合させて、より広い吸収波長に対して適用可
能としたものである。
上記非晶質半導体太陽電池１１は、ホウ素をドープした
ａ−５ｉＣ等のｐ型非晶質半導体からなる９層１２と、
不純物濃度の極めて低いａ−３ｉ等のｉ型非晶質半導体
からなる１層１３と、ｎ型微結晶シリコンからなるｎｏ
■１４とを接合してなる。該太陽電池１１は、グロ一枚
重法により形成され、膜厚は、９層１２が１５０人、１
層１３が１５００人、０層１４が７０人である。１層１
３及び０層１４を従来のそれよりも薄く形成しであるが
、これは超格子構造６を内有する太陽電池が後段に存在
する関係から最適な変換効率を得るようにするためであ
る。尚、超格子構造６の構成については前実施例と同様
であり、省略する。
ａ−５ｉＣ等のｐ型非晶質半導体からなる９層１２と、
不純物濃度の極めて低いａ−３ｉ等のｉ型非晶質半導体
からなる１層１３と、ｎ型微結晶シリコンからなるｎｏ
■１４とを接合してなる。該太陽電池１１は、グロ一枚
重法により形成され、膜厚は、９層１２が１５０人、１
層１３が１５００人、０層１４が７０人である。１層１
３及び０層１４を従来のそれよりも薄く形成しであるが
、これは超格子構造６を内有する太陽電池が後段に存在
する関係から最適な変換効率を得るようにするためであ
る。尚、超格子構造６の構成については前実施例と同様
であり、省略する。
このように形成された光起電力素子は、上記非晶質半導
体太陽電池１１を第１の太陽電池とし、超格子構造６を
第２の太陽電池として使用することにより、第２の太陽
電池では吸収しきれない波長を第１の太陽電池で吸収で
きる。つまり、太陽の光吸収スペクトルは非常に広範囲
に互っており、エネルギの大きい短波長のものを光入射
側に近い第１の太陽電池で、エネルギが小さい長波長の
ものを光入射側に遠い第２の太陽電池で吸収することに
より、エネルギの有効利用が促進され、変換効率をより
向上させることができる。加えて出力電圧も第１の太陽
電池と第２の太陽電池の合計のものが得られ、より大容
量の光起電力素子を得ることができるという効果がある
。
体太陽電池１１を第１の太陽電池とし、超格子構造６を
第２の太陽電池として使用することにより、第２の太陽
電池では吸収しきれない波長を第１の太陽電池で吸収で
きる。つまり、太陽の光吸収スペクトルは非常に広範囲
に互っており、エネルギの大きい短波長のものを光入射
側に近い第１の太陽電池で、エネルギが小さい長波長の
ものを光入射側に遠い第２の太陽電池で吸収することに
より、エネルギの有効利用が促進され、変換効率をより
向上させることができる。加えて出力電圧も第１の太陽
電池と第２の太陽電池の合計のものが得られ、より大容
量の光起電力素子を得ることができるという効果がある
。
尚、本考案は上記実施例に限定されるものではなく、要
旨を逸脱しない範囲において設計変更可能なことは勿論
である。例えば、ゼーベック効果を有する金属膜の組み
合わせとして、クロメル−アルメル、Ｂ１−３ｂ等種々
存在するが、いずれであっても本発明の目的を達成でき
るのはいうまでもない。また、異種金属膜の組み合わせ
は３種以上でも構わない。更に金属膜、絶縁膜の膜厚を
変更すれば、吸収波長も変ねこので、感度スペクトルの
変更も可能であり、光センサ等の他の光学分野にも応用
することができる。
旨を逸脱しない範囲において設計変更可能なことは勿論
である。例えば、ゼーベック効果を有する金属膜の組み
合わせとして、クロメル−アルメル、Ｂ１−３ｂ等種々
存在するが、いずれであっても本発明の目的を達成でき
るのはいうまでもない。また、異種金属膜の組み合わせ
は３種以上でも構わない。更に金属膜、絶縁膜の膜厚を
変更すれば、吸収波長も変ねこので、感度スペクトルの
変更も可能であり、光センサ等の他の光学分野にも応用
することができる。
発明のＵ
以上詳述したように本発明の光起電力素子は、ゼーベッ
ク効果を有する異種の金属膜を重合した金属層と、絶縁
体層とを交互に積層してなる超格子構造が内有されたの
で、該超格子構造の半導体的性質によって光電変換が行
われると共に、金属層のゼーベック効果によって熱電変
換が行われ、従来利用されていなかった熱エネルギの有
効利用がなされる。また、金属や絶縁体の純度は従来の
非晶質手厚体の純度はど高純度が要求されないため、コ
ストダウンも達成される。さらに、上記金属層や絶縁体
層等の膜厚を適宜選択することにより、吸収波長も変え
ることができ、種々の用途に適用することのできる光起
電力素子を容易かつ安価に得ることができるという顕著
な効果がある。
ク効果を有する異種の金属膜を重合した金属層と、絶縁
体層とを交互に積層してなる超格子構造が内有されたの
で、該超格子構造の半導体的性質によって光電変換が行
われると共に、金属層のゼーベック効果によって熱電変
換が行われ、従来利用されていなかった熱エネルギの有
効利用がなされる。また、金属や絶縁体の純度は従来の
非晶質手厚体の純度はど高純度が要求されないため、コ
ストダウンも達成される。さらに、上記金属層や絶縁体
層等の膜厚を適宜選択することにより、吸収波長も変え
ることができ、種々の用途に適用することのできる光起
電力素子を容易かつ安価に得ることができるという顕著
な効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す模式図、第２図は第１
図の等価回路図、第３図は他の実施例を示す模式図、第
４図は従来の問題点を説明するためのエネルギハンド図
である。 ６・・・超格子構造、７・・・金属層、８・・・絶縁体
層、９．１０・・・金属膜。 特 許 出 願 人 三洋電機株式会社代理人 弁理
士 中 島 ］ ラ月 第２図 第４図 ■ Ｅν
図の等価回路図、第３図は他の実施例を示す模式図、第
４図は従来の問題点を説明するためのエネルギハンド図
である。 ６・・・超格子構造、７・・・金属層、８・・・絶縁体
層、９．１０・・・金属膜。 特 許 出 願 人 三洋電機株式会社代理人 弁理
士 中 島 ］ ラ月 第２図 第４図 ■ Ｅν
Claims (2)
- （１）ゼーベック効果を有する異種の金属膜を重合した
金属層と、絶縁体層とを交互に積層してなる超格子構造
が内有されたことを特徴とする光起電力素子。 - （２）光が入射された状態において、上記ゼーベック効
果により発生する電圧と、光起電力効果により発生する
電圧とが、略同一となるように構成された特許請求の範
囲第１項記載の光起電力素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61187530A JPS6343381A (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 光起電力素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61187530A JPS6343381A (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 光起電力素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6343381A true JPS6343381A (ja) | 1988-02-24 |
Family
ID=16207696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61187530A Pending JPS6343381A (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 光起電力素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6343381A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07286908A (ja) * | 1994-04-20 | 1995-10-31 | Japan Energy Corp | 温度測定素子及び温度測定方法 |
| US6710238B1 (en) | 1999-06-02 | 2004-03-23 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Thermoelectric material and method for manufacturing the same |
| EP1911145A4 (en) * | 2005-08-05 | 2015-11-04 | Retti Kahrl | COMPOSITION AND METHOD FOR MULTI-LAYER SOLAR ENERGY STORAGE, BUCKMINSTERFULLERENE OF SOLAR ENERGY ACCUMULATION, INDUCTIVE COUPLING DEVICE; VEHICLE CHASSIS; HYDROGEN ENGINE WITH ATMOSPHERIC ADMISSION; TIRE GENERATING ELECTRICAL ENERGY; AND DEVICE FOR ACCUMULATING MECHANICAL ENERGY |
-
1986
- 1986-08-08 JP JP61187530A patent/JPS6343381A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07286908A (ja) * | 1994-04-20 | 1995-10-31 | Japan Energy Corp | 温度測定素子及び温度測定方法 |
| US6710238B1 (en) | 1999-06-02 | 2004-03-23 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Thermoelectric material and method for manufacturing the same |
| EP1911145A4 (en) * | 2005-08-05 | 2015-11-04 | Retti Kahrl | COMPOSITION AND METHOD FOR MULTI-LAYER SOLAR ENERGY STORAGE, BUCKMINSTERFULLERENE OF SOLAR ENERGY ACCUMULATION, INDUCTIVE COUPLING DEVICE; VEHICLE CHASSIS; HYDROGEN ENGINE WITH ATMOSPHERIC ADMISSION; TIRE GENERATING ELECTRICAL ENERGY; AND DEVICE FOR ACCUMULATING MECHANICAL ENERGY |
| US9837570B2 (en) | 2005-08-05 | 2017-12-05 | Kahrl L Retti | Multiple layer solar energy harvesting composition and method, solar energy harvesting buckyball, inductive coupling device; vehicle chassis; atmospheric intake hydrogen motor; electrical energy generating tire; and mechanical energy harvesting device |
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