KR900011016A - 복합형 다이오드장치 - Google Patents

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KR900011016A
KR900011016A KR1019890018016A KR890018016A KR900011016A KR 900011016 A KR900011016 A KR 900011016A KR 1019890018016 A KR1019890018016 A KR 1019890018016A KR 890018016 A KR890018016 A KR 890018016A KR 900011016 A KR900011016 A KR 900011016A
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마사유끼 하나오까
히사나가 타까노
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고타니 고우이찌
산켄 덴끼 가부시끼가이샤
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    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
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Abstract

내용 없음

Description

복합형 다이오드장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예 1의 복합형 다이오드를 보여주는 것으로서, 제4도의 I-I선에 대응하는 부분의 단면도, 제2도는 제4도의 II-II선에 대응하는 부분의 단면도, 제3도는 실시예 1의 복합형 다이오드의 반도체의 표면을 보여주는 평면도, 제4도는 실시예 1의 복합형 다이오드의 평면도, 제5도는 실시예 2의 복합형 다이오드를 보여주는 것으로서, 제6도의 V-V선에 대응하는 부분을 보여주는 단면도, 제6도는 제5도의 반도체기체의 표면을 보여주는 평면도, 제7도는 실시예 3의 쇼트키배리어 다이오드를 보여주는 것으로서, 제8도의 VI-VI선에 대응하는 부분을 보여주는 단면도, 제8도는 제7도의 반도체기체의 표면을 보여주는 평면도.

Claims (2)

  1. 제1의 도전형의 제1의 반도체영역(3)과, 이 제1의 반도체영역(3)에 각각 인접하고 있으며, 또한 서로 이간하도록 배치되어 있는 제1의 도전형과 반대의 제2의 도전형의 제2 및 제3의 반도체영역(4), (5)와, 제1의 도전형을 가지고 있는 전극접속용 반도체영역(2)을 거쳐서 제1의 반도체영역(3)에 전기적으로 접속되어 있는 제1의 전극(13)과, 제2의 반도체영역(4)에는 전기적으로 접속되어 있는 제2의 전극(10)과 제3의 반도체영역(5)에 전기적으로 접속되어 있는 제3의 전극(12)를 구비하고 있으며, 제1의 전극(13)과 전극접속용반도체영역(2)과 제1의 반도체영역(3)과 제2의 반도체영역(4)와 제2의 전극(10)에 의하여 제1의 pn 접합다이오드(6)이 형성되고, 제1의 전극(13)과 전극접속용반도체영역(2)와 제1의 반도체영역(3)과 제3의 반도체영역(5)와 제3의 전극(12)에 의하여 제2의 pn 접합다이오드(7)가 형성되어 있는 복합형 다이오드에 있어서, 평면적으로 보아, 제2의 반도체영역(4)과 제3의 반도체영역(5)과의 사이에 제1의 반도체영역(3)을 통하여 제2의 도전형의 제4의 반도체영역(14)가 배치되고, 또한 제1의 도전형을 가지고 있는 동시에 제1의 반도체영역(3) 보다도 높운 불순물 농도를 가지고 있으며 또한 제1의 반도체영역(3)에 인접하도록 배치되어 있는 제5의 반도체영역(15)가 설치되어 있으며, 나아가서 제4의 반도체영역(14)를 제5의 반도체영역(15)에 전기적으로 접속하기 위한 전극(16)이 형성되어 있는 것을특징으로 하는 복합형 다이오드장치.
  2. 제1의 도전형의 제1의 반도체영역(3)과, 이 제1의 반도체영역(3)에 각각 인접하고 있으며 또한 서로 이간하도록 배치되어있는 제1의 도전형과 반대의 제2의 도전형의 제2 및 제3의 반도체영역(23), (24)와, 제1의 도전형을 가지고 있는 전극접속용반도체영역(2)을 거쳐, 제1의 반도체영역(3)에 전기적으로 접속되어 있는 제1의 전극(13)과, 제1 및 제2의 반도체영역(2), (23)에 전기적으로 접속되어 있는 제2의 전극(21)과, 제1 및 제3의 반도체영역(3), (24)에 전기적으로 접속되어있는 제3의 전극(22)과를 구비하고 있으며, 제2의 전극(21)과의 제1의 반도체영역(3)과의 계면에는 제1의 쇼트키배리어(25)가 형성되어 있으며, 제3의 전극(22)와 제1의 반도체영역(3)과의 계면에는 제2의 쇼트키배리어(26)가 형성되고, 제2및 제3의 반도체영역(23), (24)는 각각 제1 및 제2의 쇼트키배리어(25), (26)이 인접하여 이것을 포위하고, 제1의 전극(13)과 전극접속용반도체영역(2)과 제1의 반도체영역(3)과 제2의 반도체영역(23)과 제2의 전극(21)에 의하여 제1의 쇼트키배리어 다이오드(6)가 형성되고, 제1의 전극(13)과의 전극접속용반도체영역(2)와 제1의 반도체영역(3)과 제3의 반도체영역(24)와 제3의 전극(22)에 의하여 제2의 쇼트키배리어 다이오드(7)이 형성되어 있는 복합형 다이오드장치에 있어서,평면적으로보아, 제2의 반도체영역(23)과 제3의 반도체영역(24)과의 사이에 제1의 반도체영역(3)을 통하여 제2의 도전형의 제4도의 반도체영역(14)가 배치되고, 또한, 제1의 도전형을 가지고 있는 동시에 제1의 반도체영역(3) 보다도 높은 불순물농도를 가지고 있으며 또한 제1의 반도체영역(3)에 인접하도록 배치되어 있는 제5의 반도체영역(15)가 설치되어 있으며, 나아가서, 제4의 반도체영역(14)를 제5의 반도체영역(15)에 전기적으로 접속하기 위한 전극(16)이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 복합형 다이오드장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890018016A 1988-12-09 1989-12-06 복합형 다이오드장치 KR920010675B1 (ko)

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JP88-311067 1988-12-09

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KR920010675B1 KR920010675B1 (ko) 1992-12-12

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