KR850005165A - 반도체 장치 - Google Patents

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KR850005165A
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미쓰다 가쓰시게
가부시기가이샤 히다찌 세이사꾸쇼
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Abstract

내용 없음

Description

반도체 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도 및 제4도는 각각 본 발명의 트랜지스터의 단면도 및 게이트 전극아래의 에너지 밴드도.
제5a도~제5c도 및 제6도는 외부 전위 인가시의 에너지 밴드도.
제7a도~제7c도는 본 발명의 트랜지스터의 기호를 설명하는 도면.

Claims (9)

  1. 제1의 반도체층(12) 및 제2의 반도체층(17)이 헤테로 접합을 규정하도록 배치되고 제2의 반도체층 및 제3의 반도체층(18)이 접합을 규정하도록 배치되는 3층 구조, 상기 헤테로 접합 계면부근에 축적되는 2차원 형상 캐리어에 접속된 소오스 전극(29), 상기 제2의 반도체층과 상기 제3의 반도체층의 접합과 상기 제3의 반도체층으로 형성된 직렬 접속 경로만을 거쳐서 상기 헤테로 접합에서 상기 2차원 형상 캐리어에 전기적으로 접속되는 드레인 전극(31)과 상기 제1의 반도체층에 접속되고 2차원 형상 캐리어를 위한 제어수단으로서 가능하는 게이트 전극(30)을 적어도 포함하며, 상기 제3의 반도체층은 반절연성 기판(10)에 선택적으로 형성되고, 상기 반절연성 기판은 위면 및 아래면을 갖고, 상기 제3의 반도체층은 상기 위면에 형성되고, 상기 소오스, 드레인 및 게이트 전극은 모두 상기 반절연성 기판의 위면상에 형성되는 반도체 장치.
  2. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 제1의 반도체층(12)의 전자 친화력은 상기 제2의 반도체층(17)의 전자 친화력보다 작은 반도체 장치.
  3. 특허청구의 범위 제2항에 있어서, 상기 제1의 반도체층(12)는 어떠한 불순물도 도오우프되지 않은 (1015cm-3의 농도이하) 반도체층 또는 n형 반도체층이고, 상기 제2의 반도체층(17)은 어떠한 불순물도 도우프되지 않은(1015cm-3의 농도이하)반도체층 또는 p형 반도체층이고, 상기 제3의 반도체층(18)은 n형 반도체층인 반도체 장치.
  4. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 제1의 반도체층(12)의 밴드 캡 및 전자 친화력은 값의 합은 상기 제2의 반도체층(17)의 밴드 캡 및 전자 친화력의 값의 합보다 큰 반도체 장치.
  5. 특허청구의 범위 제4항에 있어서, 상기 제1의 반도체층(12)의 p형 또는 어떠한 불순물도 도우프되지 않고, 상기 제2의 반도체층(17)은 n형 또는 어떠한 불순물도 도우프되지 않고, 상기 제3의 반도체층은 p형인 반도체 장치.
  6. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 제3의 반도체층(18)은 상기 제2의 반도체층(17)과 동일한 도전형을 갖는 반도체 기판에 선택적으로 형성되는 반도체 장치.
  7. 특허청구의 범위 제3항에 있어서, 상기 제1의 반도체층(12)는 AlxGa1-xAs(x~0.3)으로 형성되고, 상기 제2의 반도체층(17)은 GaAs인 반도체 장치.
  8. 특허청구의 범위 제3항에 있어서, 상기 제3의 반도체층(18)은 GaAs로 형성되는 반도체 장치.
  9. 제1의 반도체층(12)와 제2의 반도체층(17)이 헤테로 접합을 규정하도록 배치되고, 제2의 반도체층과 제3의 반도체층(18)이 접합을 규정하도록 배치되는 3층구조, 상기 헤테로 접합계면 부근에 축적되는 2차원 형상 캐리어에 접속된 소오스 전극(29), 상기 제2의 반도체층과 제3의 반도체층의 접합 및 상기 제3의 반도체층으로 형성된 직렬 접속 경로만을 거쳐서 상기 헤테로 접합에서 상기 2차원 형상 캐리어에 전기적으로 접속되는 드레인 전극(31)과, 상기 제1의 반도체층에 접속되고 상기 2차원 형상 캐리어를 위한 제어 수단으로서 기능하는 게이트 전극(30)을 적어도 포함하며, 사익 제3의 반도체층은 반절연성 기판(10)에 선택적으로 형성되고, 상기 반절연성 기판은 위면 및 아래면을 갖고, 상기 제3의 반도체층은 상기 위면에 형성되고, 상기 제1 및 제2의 반도체층은 상기 제3의 반도체층의 정상에 적층되고, 상기 소오스, 드레인 및 게이트 전극은 모두 상기 반절연성 기판의 위면상에 형성되는 반도체 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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