JPS6139576A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS6139576A JPS6139576A JP15868384A JP15868384A JPS6139576A JP S6139576 A JPS6139576 A JP S6139576A JP 15868384 A JP15868384 A JP 15868384A JP 15868384 A JP15868384 A JP 15868384A JP S6139576 A JPS6139576 A JP S6139576A
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- algaas
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- Pending
Links
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- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 17
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 claims abstract description 3
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/7606—Transistor-like structures, e.g. hot electron transistor [HET]; metal base transistor [MBT]
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ホット・エレクトロン・トランジスタの範晴
に属する高速バイポーラ半導体装置の改良に関する。
に属する高速バイポーラ半導体装置の改良に関する。
ホット・エレクトロン・トランジスタの原理はミード（
Ｃ，Ａ、Ｍｅａｄ ＪＡＰ’ ３２ ６４６ １９
６１）が提案した金属膜と酸化膜を積層した構造のもの
に依って古くから知られているが半導体装置としては実
用にはならなかった。
Ｃ，Ａ、Ｍｅａｄ ＪＡＰ’ ３２ ６４６ １９
６１）が提案した金属膜と酸化膜を積層した構造のもの
に依って古くから知られているが半導体装置としては実
用にはならなかった。
近年、前記金属膜を例えばｎ型Ｇａ″Ａｓ層に、また、
前記酸化膜を例えばＡｊ２ＧａＡｓ層にそれぞれ変えた
ホット・エレクトロン・トランジスタの開発が盛んであ
る。
前記酸化膜を例えばＡｊ２ＧａＡｓ層にそれぞれ変えた
ホット・エレクトロン・トランジスタの開発が盛んであ
る。
そのようなトランジスタに於いてベース層となるのは勿
論ｎ型ＧａＡｓ１ｉであり、その厚さを例えば１０００
（人〕とし、また、不純物濃度を２Ｘ Ｉ Ｑ”
（ｃｍ−”）程度にした場合、そのシー′ト抵抗Ｒ５は
１２５〔Ω／口〕程度となる。
論ｎ型ＧａＡｓ１ｉであり、その厚さを例えば１０００
（人〕とし、また、不純物濃度を２Ｘ Ｉ Ｑ”
（ｃｍ−”）程度にした場合、そのシー′ト抵抗Ｒ５は
１２５〔Ω／口〕程度となる。
通常、この種のトランジスタに於けるベース層を薄＜シ
て高速化することが試みられているが、例えば１００
〔人〕程度にするシート抵抗Ｒ５は１ （ＫΩ／口〕
程度にもなってしまう。
て高速化することが試みられているが、例えば１００
〔人〕程度にするシート抵抗Ｒ５は１ （ＫΩ／口〕
程度にもなってしまう。
そこで、ベース層に２次元電子ガス（以下、２０ＥＧと
する）層を用いる考えがハイプラム（Ｈｅｉｂｌｕｍ）
に依って発表された（例えば、５ｏ１ｉｄ ５ｔａｔ
ｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ２４ ３４３−３６６
１９８１ 参照）実際、２ＤＥＣ層を利用すればベー
ス層の厚さを１００〔人〕にしても、シート抵抗Ｒ３は
７７〔Ｋ〕の温度で１００ 〔Ω／口〕程度に抑えるこ
とができる。
する）層を用いる考えがハイプラム（Ｈｅｉｂｌｕｍ）
に依って発表された（例えば、５ｏ１ｉｄ ５ｔａｔ
ｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ２４ ３４３−３６６
１９８１ 参照）実際、２ＤＥＣ層を利用すればベー
ス層の厚さを１００〔人〕にしても、シート抵抗Ｒ３は
７７〔Ｋ〕の温度で１００ 〔Ω／口〕程度に抑えるこ
とができる。
前記ハイプラムが発表した半導体装置では、ベース層に
オーミック・コンタクトするベース電極を必要とするが
、開示された半導体装置では、ベース層が厚さ１００
〔人〕であるノン・ドープのＧａＡｓ層で構成されてい
る為、そこにオーミック電極を形成することは不可能で
あり、事実、ハイプラムの論文には、ベース電極の形成
方法について全く触れるところがない。
オーミック・コンタクトするベース電極を必要とするが
、開示された半導体装置では、ベース層が厚さ１００
〔人〕であるノン・ドープのＧａＡｓ層で構成されてい
る為、そこにオーミック電極を形成することは不可能で
あり、事実、ハイプラムの論文には、ベース電極の形成
方法について全く触れるところがない。
本発明は、ベース層に生成される２ＤＥＧ層を利用して
高速化する半導体装置を実現させる為、該ベース層にノ
ン・アロイでオーミック・コンタクト電極を形成できる
ようにする。
高速化する半導体装置を実現させる為、該ベース層にノ
ン・アロイでオーミック・コンタクト電極を形成できる
ようにする。
本発明の半導体装置では、コレクタ側ポテンシャル・バ
リヤ層とエミッタ側ポテンシャル・バリヤ層との間に挟
まれるベース層を２ＤＥＣＪｉが生成されるノン・ドー
プ層及びその上に積層された不純物含有層の２層で構成
し、その不純物含有層の一部を露出させ、その上に同導
電型の高濃度不純物含有層を形成してからノン・アロイ
でベース電極を形成した構成を採っている。
リヤ層とエミッタ側ポテンシャル・バリヤ層との間に挟
まれるベース層を２ＤＥＣＪｉが生成されるノン・ドー
プ層及びその上に積層された不純物含有層の２層で構成
し、その不純物含有層の一部を露出させ、その上に同導
電型の高濃度不純物含有層を形成してからノン・アロイ
でベース電極を形成した構成を採っている。
前記構成に依ると、ＺＤＥＧ層及びベース・コレクタ接
合の特性を損なうことなくベース層に対してオーミック
・コンタクトのベース電極を形成することができる。
合の特性を損なうことなくベース層に対してオーミック
・コンタクトのベース電極を形成することができる。
第１図は本発明一実施例の要部切断側面図を表している
。
。
図に於いて、１はｎ＋型ＧａＡｓ基板、２はｎ型ＧａＡ
ｓコレクタ層、３はノン・ドープＡｊ！ＧａＡｓ層、４
はｎ型、６ｊ！ＧａＡｓ層、５はノン・ドープＡＩＧａ
ＡｓＮ、６はノン・ドープＧａＡｓ層、７はｎ型ＧａＡ
ｓ層、８はグレーデッドＡβＧａ、Ａｓエミッタ側ボテ
ンシ、ヤル・バリヤ層、９はｎ＋型ＧａＡ、ｓエミッタ
層、１０はｎ＋＋型ＧａＡｓコンタクト層、１１はコレ
クタ電極、１２はエミッタ電極、１３はベース電極、１
４はＺＤＥＧ層をそれぞれ示している。
ｓコレクタ層、３はノン・ドープＡｊ！ＧａＡｓ層、４
はｎ型、６ｊ！ＧａＡｓ層、５はノン・ドープＡＩＧａ
ＡｓＮ、６はノン・ドープＧａＡｓ層、７はｎ型ＧａＡ
ｓ層、８はグレーデッドＡβＧａ、Ａｓエミッタ側ボテ
ンシ、ヤル・バリヤ層、９はｎ＋型ＧａＡ、ｓエミッタ
層、１０はｎ＋＋型ＧａＡｓコンタクト層、１１はコレ
クタ電極、１２はエミッタ電極、１３はベース電極、１
４はＺＤＥＧ層をそれぞれ示している。
ここで、前記各部分の諸データを挙げると、（ａｌ
ｎ型ＧａＡｓコレクタ層２ 厚さ：５０００ （人〕 （ｂｌ ノン・ドープＡｌＧａＡｓ層５厚さ：５００
［人〕 Ｘ値：０．４ （ｃｌ ｎ型ＡｌＧａＡｓ層４ 厚さ：１００（人〕 Ｘ値：０．４ （ｄ） ノン・ドープＡｌＧａＡｓ層５厚さ：１００
（人〕 Ｘ値：０．４ （ｅ） ノン・ドープＧａＡｓ層６ 厚さ；２００ （人〕 （［１ｎ型ＧａＡｓ層７ 厚さ２００ 〔人〕 不純物：シリコン（Ｓｉ） 不純物濃度： ２ Ｘ １０ ｌ８（ｃＩｌ−’）（ａ
グレーデッドＡＡＧａＡｓエミッタ側ポテンシャル・
バリヤＮ８ 厚さ：５００ （人〕 Ｘ値：０から０．４まで変化 （ｈｌ ｎ＋型ＧａＡｓエミフタ層９厚さ：２０００
Ｃ人〕 （１） ｎ”＋型ＧａＡｓコンタクト、＋ｍｉ。
ｎ型ＧａＡｓコレクタ層２ 厚さ：５０００ （人〕 （ｂｌ ノン・ドープＡｌＧａＡｓ層５厚さ：５００
［人〕 Ｘ値：０．４ （ｃｌ ｎ型ＡｌＧａＡｓ層４ 厚さ：１００（人〕 Ｘ値：０．４ （ｄ） ノン・ドープＡｌＧａＡｓ層５厚さ：１００
（人〕 Ｘ値：０．４ （ｅ） ノン・ドープＧａＡｓ層６ 厚さ；２００ （人〕 （［１ｎ型ＧａＡｓ層７ 厚さ２００ 〔人〕 不純物：シリコン（Ｓｉ） 不純物濃度： ２ Ｘ １０ ｌ８（ｃＩｌ−’）（ａ
グレーデッドＡＡＧａＡｓエミッタ側ポテンシャル・
バリヤＮ８ 厚さ：５００ （人〕 Ｘ値：０から０．４まで変化 （ｈｌ ｎ＋型ＧａＡｓエミフタ層９厚さ：２０００
Ｃ人〕 （１） ｎ”＋型ＧａＡｓコンタクト、＋ｍｉ。
厚さ：１０００ （人〕
不純゛物：錫（Ｓ ｎ）
不純物濃度： 〜６ Ｘ １０Ｉ！１（Ｃ１１１−３〕
０１ ベース電極１３ 材料：金（Ａｕ） ・ゲルマ゛ニウム（Ｇｅ）／Ａｕ
となっている。
０１ ベース電極１３ 材料：金（Ａｕ） ・ゲルマ゛ニウム（Ｇｅ）／Ａｕ
となっている。
前記構成に於いて、ノン・ドープＡ／ＧａＡｓ層３、ｎ
型Ａ Ｉｔ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｊｉｉ ４、ノン・ドー
プＡＩＧ ａ Ａ ｓ Ｍ ５は全体でコレクタ側ポテ
ンシャル・バリヤ層を構成し、また、ノン・ドープＧａ
Ａｓ層６及びｎ型ＧａＡｓ層７は全体でベース層を構成
している。尚、２ＤＥＧ層１４はコレクタ側ポテンシャ
ル・バリヤ層の一部をなしているｎ型ＡｌＧａＡｓ層４
から供給される電子で生成される。
型Ａ Ｉｔ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｊｉｉ ４、ノン・ドー
プＡＩＧ ａ Ａ ｓ Ｍ ５は全体でコレクタ側ポテ
ンシャル・バリヤ層を構成し、また、ノン・ドープＧａ
Ａｓ層６及びｎ型ＧａＡｓ層７は全体でベース層を構成
している。尚、２ＤＥＧ層１４はコレクタ側ポテンシャ
ル・バリヤ層の一部をなしているｎ型ＡｌＧａＡｓ層４
から供給される電子で生成される。
本実施例に於けるｎ型ＧａＡｓコレクタ層２、ノン・ド
ープＡｌＧａＡｓ層３、ｎ型ＡｆＧａＡＳ層４、ノン・
ドープＡｌＧａＡｓ層５、ノン・ドープＧａＡｓ層６、
ｎ型ＧａＡｓ層７、グレーデッドＡｊ！ＧａＡｓエミッ
タ側ポテンシャル・バリヤ層８、ｎ＋型ＧａＡｓエミッ
タ層９からなる多層へテロ構造は分子線エピタキシャル
成長（ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｂｅａｍ ｅｐｉｔａ
ｘｙ：ＭＢＥ）法を適用することに依り容易に形成する
ことができる。
ープＡｌＧａＡｓ層３、ｎ型ＡｆＧａＡＳ層４、ノン・
ドープＡｌＧａＡｓ層５、ノン・ドープＧａＡｓ層６、
ｎ型ＧａＡｓ層７、グレーデッドＡｊ！ＧａＡｓエミッ
タ側ポテンシャル・バリヤ層８、ｎ＋型ＧａＡｓエミッ
タ層９からなる多層へテロ構造は分子線エピタキシャル
成長（ｍｏｌｅｃｕｌａｒ ｂｅａｍ ｅｐｉｔａ
ｘｙ：ＭＢＥ）法を適用することに依り容易に形成する
ことができる。
本発明で最も特徴的である構成は、ベース層がノン・ド
ープＧａＡｓ層６及びｎ型ＧａＡｓ層７の２層で構成さ
れ、また、このベース層にオーミックのベース電極１３
を形成したことである。
ープＧａＡｓ層６及びｎ型ＧａＡｓ層７の２層で構成さ
れ、また、このベース層にオーミックのベース電極１３
を形成したことである。
このベース電極１３を形成するには、ｎ＋型エミッタ層
９及びグレーデッドＡＪＧａＡｓエミッタ側ポテンシャ
ル・バリヤ層８の選択的エツチングを行ってｎ型ＧａＡ
ｓ層７の一部を露出させ、その露出させた面上にＭＢＥ
法でｎ＋＋型ＧａＡｓコンタクト層１０を再成長させて
から蒸着法にてＡｕ−Ｇｅ／Ａｕ膜を形成してパターニ
ングすれば良い。尚、この場合、合金化の熱処理は行わ
ないから、合金化層に依るコレクタ側ポテンシャル・バ
リヤ層の損傷は発生しない。
９及びグレーデッドＡＪＧａＡｓエミッタ側ポテンシャ
ル・バリヤ層８の選択的エツチングを行ってｎ型ＧａＡ
ｓ層７の一部を露出させ、その露出させた面上にＭＢＥ
法でｎ＋＋型ＧａＡｓコンタクト層１０を再成長させて
から蒸着法にてＡｕ−Ｇｅ／Ａｕ膜を形成してパターニ
ングすれば良い。尚、この場合、合金化の熱処理は行わ
ないから、合金化層に依るコレクタ側ポテンシャル・バ
リヤ層の損傷は発生しない。
第２図は第１図に付いて説明した半導体装置にバイアス
電圧が印加されていない状態に於けるエネルギ・バンド
・ダイヤグラムを、また、第３図はバイアス電圧を印加
した状態に於けるエネルギ・バンド・ダイヤグラムをそ
れぞれ表し、第１図に関して説明した部分と同部分は同
記号で指示しである。
電圧が印加されていない状態に於けるエネルギ・バンド
・ダイヤグラムを、また、第３図はバイアス電圧を印加
した状態に於けるエネルギ・バンド・ダイヤグラムをそ
れぞれ表し、第１図に関して説明した部分と同部分は同
記号で指示しである。
図に於いて、Ｅｙはフェルミ・レベル、ｅはグレーデッ
ドＡｌＧａＡｓエミッタ側ポテンシャル・バリヤＮ８を
トンネリングした電子をそれぞれ示している。
ドＡｌＧａＡｓエミッタ側ポテンシャル・バリヤＮ８を
トンネリングした電子をそれぞれ示している。
この半導体装置の動作は、前記ミードの提案に係わる金
属ベース・トランジスタ（ホット・エレクトロン・トラ
ンジスタ）と原理的に同じであって、低温（７７（Ｋ）
）雰囲気中でエミッタ電極１２とベース電極１３間に第
３図に見られるようにバイアス電圧を印加すると、ｎ＋
型ＧａＡｓエミッタ層９からベース層７，６に対してホ
ットな電子が注入される。このときの注入電子の速度は
略１０８ （ｃｍ／秒〕であって著しく速く、また、散
乱されることなくコレクタ側ポテンシャル・ツマリヤ層
５．４を越える。コレクタ側ポテンシャル・バリヤ層５
．４には、ベース層７．６及びｎ型ＧａＡｓコレクタ層
３間に印加されてしするノくイアスミ圧の影響で強電場
（〜１００ （Ｋ■／ｃｆｆｌ〕）中におかれている為
、電子は加速されてｎ型ＧａＡｓコレクタ層３に到達し
てエミッタ・コレクタ電流を形成する。 ゛ コレクタ側ポテンシャル・バリヤ層５，４．３は、バイ
アス電圧印加状態に於いて、ベース層７゜６の電子がｎ
型ＧａＡｓコレクタＮ２へ流入してリーク電流となるこ
とを抑止する為に必要である。
属ベース・トランジスタ（ホット・エレクトロン・トラ
ンジスタ）と原理的に同じであって、低温（７７（Ｋ）
）雰囲気中でエミッタ電極１２とベース電極１３間に第
３図に見られるようにバイアス電圧を印加すると、ｎ＋
型ＧａＡｓエミッタ層９からベース層７，６に対してホ
ットな電子が注入される。このときの注入電子の速度は
略１０８ （ｃｍ／秒〕であって著しく速く、また、散
乱されることなくコレクタ側ポテンシャル・ツマリヤ層
５．４を越える。コレクタ側ポテンシャル・バリヤ層５
．４には、ベース層７．６及びｎ型ＧａＡｓコレクタ層
３間に印加されてしするノくイアスミ圧の影響で強電場
（〜１００ （Ｋ■／ｃｆｆｌ〕）中におかれている為
、電子は加速されてｎ型ＧａＡｓコレクタ層３に到達し
てエミッタ・コレクタ電流を形成する。 ゛ コレクタ側ポテンシャル・バリヤ層５，４．３は、バイ
アス電圧印加状態に於いて、ベース層７゜６の電子がｎ
型ＧａＡｓコレクタＮ２へ流入してリーク電流となるこ
とを抑止する為に必要である。
さて、この半導体装置に於ける電子のベース走行時間を
τ８とすると、 ａｌ ｌ、：ベース層厚＝４００ Ｃ人〕 ＝ ４ Ｘ １０−０−６（Ｃ ■、８：ホット・エレクトロンの速度 −〜１０１０１１Ｃ〕 また、ベース層、即ち、ＺＤＥＧ層１４層重４移動度μ
−〜１０５ 〔ＣＩＩ＋２／■・Ｓ〕、不純物濃度ｎｓ
＝〜６ Ｘ １０” （ａｍ−３） ）のシート抵抗
率Ｒｓ＝〜１００〔Ω／口〕であり、従って、前記ベー
ス走行時間が短いことと相俟って例えばＡＩ！Ｇ ａ
Ａ ｓ ／ Ｇ ａ Ａ ｓ系へテロ接合バイポーラ・
トランジスタのような従来の高速トランジスタに比較し
ても１０倍も高速動作が可能である。
τ８とすると、 ａｌ ｌ、：ベース層厚＝４００ Ｃ人〕 ＝ ４ Ｘ １０−０−６（Ｃ ■、８：ホット・エレクトロンの速度 −〜１０１０１１Ｃ〕 また、ベース層、即ち、ＺＤＥＧ層１４層重４移動度μ
−〜１０５ 〔ＣＩＩ＋２／■・Ｓ〕、不純物濃度ｎｓ
＝〜６ Ｘ １０” （ａｍ−３） ）のシート抵抗
率Ｒｓ＝〜１００〔Ω／口〕であり、従って、前記ベー
ス走行時間が短いことと相俟って例えばＡＩ！Ｇ ａ
Ａ ｓ ／ Ｇ ａ Ａ ｓ系へテロ接合バイポーラ・
トランジスタのような従来の高速トランジスタに比較し
ても１０倍も高速動作が可能である。
本発明の半導体装置では、コレクタ側ポテンシャル・バ
リヤ層とエミッタ側ポテンシャル・バリヤ層との間に挟
まれるベース層を２ＤＥＣ層が生成されるノン・ドープ
層及びその上に積層された不純物含有層の２層で構成し
、その不純物含有層の一部を露出させ、その上に同導電
型の高濃度不純物含有層を形成してからノン・アロイで
オーミック・コンタクトのベース電極を形成している。
リヤ層とエミッタ側ポテンシャル・バリヤ層との間に挟
まれるベース層を２ＤＥＣ層が生成されるノン・ドープ
層及びその上に積層された不純物含有層の２層で構成し
、その不純物含有層の一部を露出させ、その上に同導電
型の高濃度不純物含有層を形成してからノン・アロイで
オーミック・コンタクトのベース電極を形成している。
このような構成を採ることに依り、従来、理論が先行し
、実際には製造不能であったベース層に２ＤＥＣ層を利
用した高速半導体装置を容易に実現することができる。
、実際には製造不能であったベース層に２ＤＥＣ層を利
用した高速半導体装置を容易に実現することができる。
第１図は本発明一実施例の要部切断側面図、第２図は第
１図に見られる実施例が非動作状態にある場合のエネル
ギ・バンド・ダイヤグラム、第３図は第１図に見られる
実施例が動作状態にある場合のエネルギ・バンド・ダイ
ヤグラムをそれぞれ表している。 図に於いて、１はｎ＋型ＧａＡｓ基板、２はｎ型ＧａＡ
ｓコレクタ層、３はノン・ドープＡｌＧａＡｓ層、４は
ｎ型Ａｊ！ＧａＡｓ層、５はノン・ドープＡｌｌＧａＡ
ｓ層、６はノン・ドープＧａＡｓ層、７はｎ型Ｇ ａ
Ａ ｓ Ｎ％ ８はグレーデッドＡＮＧａＡｓエミッタ
側ポテンシャル・バリヤ層、９はｎ＋型ＧａＡｓエミッ
タ層、１０はｎ＋＋型ＧａＡｓコンタクト層、１１はコ
レクタ電極、１２はエミッタ電極、１３はベース電極、
１４は２ＤＥＧ層をそれぞれ示している。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 − 第１図
１図に見られる実施例が非動作状態にある場合のエネル
ギ・バンド・ダイヤグラム、第３図は第１図に見られる
実施例が動作状態にある場合のエネルギ・バンド・ダイ
ヤグラムをそれぞれ表している。 図に於いて、１はｎ＋型ＧａＡｓ基板、２はｎ型ＧａＡ
ｓコレクタ層、３はノン・ドープＡｌＧａＡｓ層、４は
ｎ型Ａｊ！ＧａＡｓ層、５はノン・ドープＡｌｌＧａＡ
ｓ層、６はノン・ドープＧａＡｓ層、７はｎ型Ｇ ａ
Ａ ｓ Ｎ％ ８はグレーデッドＡＮＧａＡｓエミッタ
側ポテンシャル・バリヤ層、９はｎ＋型ＧａＡｓエミッ
タ層、１０はｎ＋＋型ＧａＡｓコンタクト層、１１はコ
レクタ電極、１２はエミッタ電極、１３はベース電極、
１４は２ＤＥＧ層をそれぞれ示している。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 − 第１図
Claims (1)
- コレクタ側ポテンシャル・バリヤ層とエミッタ側ポテ
ンシャル・バリヤ層との間に介在する２次元電子ガス層
が生成されるノン・ドープ層及び不純物含有層からなる
ベース層と、選択的に露出された前記不純物含有層上に
形成された同導電型の高濃度不純物含有層と、該高濃度
不純物含有層上に形成されたベース電極とを備えてなる
ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15868384A JPS6139576A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15868384A JPS6139576A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6139576A true JPS6139576A (ja) | 1986-02-25 |
Family
ID=15677074
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15868384A Pending JPS6139576A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6139576A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0148031A2 (en) * | 1983-12-28 | 1985-07-10 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
| JPS62229878A (ja) * | 1986-03-04 | 1987-10-08 | Fujitsu Ltd | 高速半導体装置 |
| JPS63236358A (ja) * | 1987-03-25 | 1988-10-03 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| US4929997A (en) * | 1986-12-22 | 1990-05-29 | Nec Corporation | Heterojunction bipolar transistor with ballistic operation |
| US5172194A (en) * | 1987-09-16 | 1992-12-15 | National Science Council | Structures of modulation doped base hot electron transistors |
-
1984
- 1984-07-31 JP JP15868384A patent/JPS6139576A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0148031A2 (en) * | 1983-12-28 | 1985-07-10 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
| JPS62229878A (ja) * | 1986-03-04 | 1987-10-08 | Fujitsu Ltd | 高速半導体装置 |
| US4929997A (en) * | 1986-12-22 | 1990-05-29 | Nec Corporation | Heterojunction bipolar transistor with ballistic operation |
| JPS63236358A (ja) * | 1987-03-25 | 1988-10-03 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| US5172194A (en) * | 1987-09-16 | 1992-12-15 | National Science Council | Structures of modulation doped base hot electron transistors |
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