KR890008993A - 반도체 소자 - Google Patents

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KR890008993A
KR890008993A KR1019880014560A KR880014560A KR890008993A KR 890008993 A KR890008993 A KR 890008993A KR 1019880014560 A KR1019880014560 A KR 1019880014560A KR 880014560 A KR880014560 A KR 880014560A KR 890008993 A KR890008993 A KR 890008993A
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semiconductor
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빌렘 루디퀴제 아드리아누스
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이반 밀러 레르너
엔.브이.필립스 글로아이람펜파브리켄
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    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
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Abstract

내용 없음

Description

반도체 소자
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 제1실시예를 도해적으로 나타낸 절단면도.
제2도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 제2실시예를 도해적으로 나타낸 절단면도.
제3도 및 제4도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 2개의 또다른 실시예를 나타낸 절단면도.

Claims (6)

  1. 제1도전형의 기판 영역을 구비하고, 제2역도전형의 반도체 층이 그 위에 배치되고 기판 영역과 함께 pn접합을 만들며, 비이폴러 트랜지스터는 제1도전형의 표면-접속 베이스 대역을 가지며, 제2도전형의 에미터 대역은 베이스 대역내에 제공되며, 제2도전형의 크게 도프된 매입층은 기판 영역 및 반도체 층간에 존재하고 베이스 대역 하부에 위치하게 되며, 표면-접속 콜렉터는 제2도전형의 대역과 베이스 대역 및 콜렉터 접속 대역간에 위치된 게이트 전극을 접촉하고 반도체 층으로부터 장벽층에 의해 분리된 반도체 본체를 갖는 반도체 소자에 있어서, 게이트 전극은 에미터 대역에 전기적으로 접속된 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  2. 제1항에 있어서, 게이트 전극은 반도체 층과 더불어 pn접합을 만든 제1도전형의 반도체 대역으로 구성한 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  3. 제1항에 있어서, 게이트 전극은 전기적 절연층으로 반도체 표면으로부터 분리된 전기적 도전층에 의해 구성한 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  4. 상기 항중 어느 한 항에 있어서, 제2도전형의 크게 도프된 분리 대역은 표면으로부터 매입층을 확장하고 반도체 본체 내부에 후자의 베이스 대역과 함께 완전히 에워싼 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  5. 상기 항중 어느 한 항에 있어서, 제1전형의 크게 도프된 매입층은 반도체층 및 기판 영역 간에 제공되고, 게이트 전극 하부에 위치한 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  6. 상기 항중 어느 한 항에 있어서, 바이폴러 트랜지스터는 에미터 플로워 배치내에 접속한 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880014560A 1987-11-09 1988-11-05 반도체 소자 KR0138917B1 (ko)

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EP0316988B1 (en) 1992-06-10
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