KR890008993A - 반도체 소자 - Google Patents
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 제1실시예를 도해적으로 나타낸 절단면도.
제2도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 제2실시예를 도해적으로 나타낸 절단면도.
제3도 및 제4도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 2개의 또다른 실시예를 나타낸 절단면도.
Claims (6)
- 제1도전형의 기판 영역을 구비하고, 제2역도전형의 반도체 층이 그 위에 배치되고 기판 영역과 함께 pn접합을 만들며, 비이폴러 트랜지스터는 제1도전형의 표면-접속 베이스 대역을 가지며, 제2도전형의 에미터 대역은 베이스 대역내에 제공되며, 제2도전형의 크게 도프된 매입층은 기판 영역 및 반도체 층간에 존재하고 베이스 대역 하부에 위치하게 되며, 표면-접속 콜렉터는 제2도전형의 대역과 베이스 대역 및 콜렉터 접속 대역간에 위치된 게이트 전극을 접촉하고 반도체 층으로부터 장벽층에 의해 분리된 반도체 본체를 갖는 반도체 소자에 있어서, 게이트 전극은 에미터 대역에 전기적으로 접속된 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
- 제1항에 있어서, 게이트 전극은 반도체 층과 더불어 pn접합을 만든 제1도전형의 반도체 대역으로 구성한 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
- 제1항에 있어서, 게이트 전극은 전기적 절연층으로 반도체 표면으로부터 분리된 전기적 도전층에 의해 구성한 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
- 상기 항중 어느 한 항에 있어서, 제2도전형의 크게 도프된 분리 대역은 표면으로부터 매입층을 확장하고 반도체 본체 내부에 후자의 베이스 대역과 함께 완전히 에워싼 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
- 상기 항중 어느 한 항에 있어서, 제1전형의 크게 도프된 매입층은 반도체층 및 기판 영역 간에 제공되고, 게이트 전극 하부에 위치한 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
- 상기 항중 어느 한 항에 있어서, 바이폴러 트랜지스터는 에미터 플로워 배치내에 접속한 것을 특징으로 하는 반도체 소자.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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