KR910008843A - Mos형 집적회로 - Google Patents

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KR910008843A
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고지 시라이
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아오이 죠이치
가부시키가이샤 도시바
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    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
    • H01L27/085—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only
    • H01L27/088—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate
    • H01L27/092—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate complementary MIS field-effect transistors

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Abstract

내용 없음.

Description

MOS형 집적회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 MOS형 집적회로의 요부단면도.
제2도는 고내압출력회로를 종래예와 본 발명에 있어 비교한 도면.
제3도는 본 발명의 MOS형 집적회로용 제조공정의 공정별 단면도.

Claims (1)

  1. 제1도전형의 반도체기판(1)과, 여기에 접해서 형성된 제2도전형의 반도체층(4), 양자의 경계부분에 형성되는 고농도의 제2도전형의 매립영역(3), 이 매립영역(3)과 접하면서 동시에 제2도전형의 반도체표면에 닿은 고농도의 제2도전형의 환상추출영역(8), 제2도전형의 환상추출영역(8)에 접속해서 형성되는 저농도의 제2도전형의 제1영역(17), 그 내부에 상호간에 연속적으로 형성되는 고농도의 제1도전형의 제1영역(24) 및 제2도전형의 제1영역(21), 저농도의 제2도전형의 제1영역(17)에 접속되게 형성되는 저농도의 제1도전형의 제1영역(11), 그 내부에 형성되는 고농도의 제1도전형의 제2영역(23), 환상추출영역(8)으로 둘러싸인 제2도전형의 반도체층(4)의 표면부분으로부터 내부에 걸쳐서 형성되는 저농도의 제1도전형의 제2영역(16), 그 내부에 상호간에 연속적으로 형성되는 고농도의 제2도전형의 제2영역(19), 제1도전형의 제2영역(22) 및 제2도전형의 제3영역(20), 접속된 도전형이 다른 각 영역에 의해 형성되고 제2도전형의 반도체층(4)의 표면에 노출된 접합단부를 덮으면서 형성되는 절연물층(25), 고농도의 제1도전형의 제2영역(22) 및 제2도전형의 제2영역(19)을 둘러싸는 저농도의 제1도전형의 제2영역(16)에 대응되는 절연물층(25)에 매립된 제1다결정규소층(14), 저농도의 제2도전형의 제1영역(17)에 대응되는 절연물층(25)에 매립된 제2다결정규소층(15), 상기 고농도의 제1도전형의 제1영역(24) 및 제2도전형의 제1영역(21)에 전기적으로 접속된 절연물층의 표면부분으로 도출되는 드레인전극(D), 상기 고농도의 제1도전형의 제2영역(22) 및 제2도전형의 제2영역(19)에 전기적으로 접속된 절연물층의 표면부분으로 도출되는 소오스전극(S), 제1 및 제2다결정규소층(14, 15)에 전기적으로 접속되고 절연물층의 표면부분으로 도출되는 제1및 제2게이트전극(G1, G2)을 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 MOS형 집적회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900016610A 1989-10-19 1990-10-18 Mos형 집적회로 KR930005509B1 (ko)

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JP1272074A JPH0824146B2 (ja) 1989-10-19 1989-10-19 Ｍｏｓ型集積回路

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EP0423826A2 (en) 1991-04-24
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