KR980005906A - 반도체 장치 - Google Patents

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Abstract

고 전압이 걸리는 전극 또는 상호 접속 수단을 포함하는 반도체 장치는 몰드수지의 분극화로 인한 전류 누설을 방지한다. 이반도체 장치에서, 반도체 소자를 덮는 유리 피복막(13a)은 17℃ 내지 145℃의 온도 조건하에서 다음의 식, 즉
에 의해 규정되는 범위의 도전율을 갖는다.
도전성 유리 피복막을 이용하는 덕택에, 도전성 유리 피복막을 통해 전류를 몰드 수진의 분극화를 인해 생기는 전계를 억제한다.

Description

반도체 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
도1은 본 발명의 실시예 1에 따른 고 파괴 전압을 가진 IC의 단면도.

Claims (12)

  1. 주표면을 가진 반도체 영역(1, 2); 상기 반도체 영역의 주표면에 형성된 반도체 소자(5, 6, 8); 상기 반도체 소자를 덮는 유리 피복막(13a, 13b); 및 상기 유리 피복막 위에 형성된 몰드 수지(14)를 포함하며, 상기 유리 피복막은 17℃ 내지 145℃의 온도 조건하에서 다음의 식, 즉,
    에 의해 규정되는 범위의 도전율을 가진 제1 유리 피복막(13a)을 포함하는 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 몰드 수지는 상기 제1 유리 피복막의 상부면과 접촉하는 상태로 형성되는 반도체 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 유리 피복막은 상기 제1 유리 피복막의 표면과 접촉하는 상태로 형성된 제2 유리 피복막(13b)을 포함하는 반도체 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제2유리 피복막은 상기 제1 유리 피복막의 상부면과 접촉하는 반도체 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1 유리 피복막은 고전압이 걸리는 전극을 덮는 제1 부분 및 고전압이 걸리지 않는 전극을 덮는 제2 부분을 포함하며, 상기 제1 부분 및 제2 부분은 서로로부터 격리되는 반도체 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 유리 피복막은 상기 제1 유리 피복막의 상부면과 접촉하는 상태로 형성되며 상기 제1 유리 피복막을 격리하는 영역을 덮는 제2 유리 피복막(13b)을 포함하는 반도체 장치.
  7. 제3항에 있어서, 상기 반도체 장치는 상기 반도체 기판 위에 형성된 제1 상호 접속층(15)을 더 포함하며, 상기 제2 유리 피복막은 상기 제1 상호 접속층 및 상기 반도체 소자 위에 형성되고, 상기 제1 유리 피복막은 상기 제2 피복막의 상부면 및 상기 제1 상호 접속층의 상부면과 접촉하는 상태로 형성되는 반도체 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제2 유리 피복막은 상기 제1 상호 접속층의 상부면 위에 위치하는 제1 개구를 가지며, 상기 제1 유리 피복막은 상기 제1 개구를 통해 상기 제1 상호 접속층의 상부면과 접촉하고 상기 제1 개구보다 작은 제2개구를 갖는 반도체 장치.
  9. 제3항에 있어서, 상기 반도체 장치는 상기 반도체 영역 위에 형성된 제1 접속층(15)과 상기 제1 상호 접속층의 상부면과 접촉하는 제2 상호 접속층(16)을 더 포함하며, 상기 제2 유리 피복막은 상기 제1 상호 접속층 및 상기 반도체 소자 위에 형성되고, 상기 제1 상호 접속층의 상부면 위에 위치하는 제1 개구를 가지며; 상기 제2 상호 접속층은 상기 제1 개구를 통해 상기 제1 상호 접속층과 접촉하고 상기 제1 개구를 채우며; 상기 제1 유리 피복막은 상기 제2 유리 피복막의 상부면 및 상기 제2 상호접속층의 상부면과 접촉하는 상태로 형성되는 반도체 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 반도체 장치는 상기 제1 상호 접속층(15a)과 동일한 층으로부터 형성된 제3 상호 접속층(15b)을 더 포함하며, 상기 제1 유리 피복막에는 상기 제2 상호 접속층에 이르는 제2 개구가 제공되고, 상기 제1 및 제2 유리 피복막에는 상기 제3 상호 접속층 위에 위치하는 제3 개구가 제공되고, 상기 제1 유리 피복막은 상기 제3 상호 접속층과 접촉하지 않는 반도체 장치.
  11. 주표면을 가진 반도체 영역(1, 2); 상기 반도체 영역의 주표면에 형성된 반도체 소자(5, 6, 8); 상기 반도체 소자를 덮는 유리 피복막(13a, 13b); 및 상기 유리 피복막 위에 형성된 몰드 수지(14)를 포함하며, 상기 유리 피복막은 2.05 이상의 굴절율을 갖는 질화막(13a)을 포함하는 반도체 장치.
  12. 주표면을 가진 반도체 영역(1, 2); 상기 반도체 영역의 주표면에 형성된 소자 격리 및 절연막(10); 상기 소자 격리 및 절연막에 인접한 상기 반도체 영역의 주표면의 영역들에 형성되며, 서로로부터 이격되어 자신들 간에 채널 영역을 규정하는 한 쌍의 소스/드레인 영역(5, 6); 게이트 절연막을 사이에 두고 상기 채널 영역 위에 형성된 게이트 전극(8); 상기 소자 격리 및 절연막 밑에 형성되며, 상기 소스/드레인 영역과 동일한 도전형을 갖는 불순물 영역(7); 상기 게이트 전극과 상기 소자 격리 및 절연막을 덮는 유리 피복막(13a, 13b); 및 상기 유리 피복막 위에 형성된 몰드 수지(14)를 포함하며, 상기 유리 피복막은 17℃ 내지 145℃의 온도 조건 하에서 다음의 식. 즉,
    에 의해 규정되는 범위의 도전율을 가진 제1 유리 피복막(13a)을 포함하는 반도체 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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