KR970063662A - 금속 교차선(crossover) 없이 레벨 쉬프트 동작을 하는 고전압 집적회로 - Google Patents

금속 교차선(crossover) 없이 레벨 쉬프트 동작을 하는 고전압 집적회로 Download PDF

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Abstract

본 발명은 집적회로의 고전압 종료 영역에 형성되는 레벨 쉬프트 장치에 관한 것으로, 상기 레벨 쉬프트 장치는 고전압 부동 회로와 접지 저전압 회로와의 사이에 연결수단을 제공하며, 상기 레벨 쉬프트 장치의 구조는 저전압 커넥터를 교차시키기 위한 고전압 커넥터의 필요성을 제거시키는 것을 특징으로 한다.

Description

금속 교차선(crossover) 없이 레벨 쉬프트 동작을 하는 고전압 집적회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 제1도를 본 발명에 적합하게 변형된 레벨 쉬프트 업 회로의 도면.

Claims (23)

  1. 레벨 쉬프트 회로와 반도체 재질의 공통의 기판상에 각각 형성되어 상대적으로 낮은 전압 회로와 부동전압 회로를 전기적으로 연결시키는 레벨 쉬프트 장치에 있어서, 상기 기판상에 배열되고, 제1전도성 타입이고 라이트 도핑되고 상면을 구비한 반동체 재질의 막과; 상기 제1전도성 타입과 반대되는 제2전도성 타입으로, 상기 반도체 재질의 막의 상면 안으로 소정의 깊이까지 연장형성되고 실질적인 반원형 구성을 갖는 베이스 영역과; 상기 베이스 영역에 형성되고 상기 소스영역과 상기 반도체 재질 막과의 사이에 표면 채널 영역을 정의하는 상기 제1전도성 타입의 소스영역과; 상기 소스영역에 연결되고 상기 저전압회로에 전기적으로 연결되는 소스전극과; 상기 채널영역의 상측으로 배열된 게이트 절연막과; 상기 게이트 절연막의 상측으로 배열된 전도성 게이트와; 반도체 재질의 상기 막의 일부에 연결됨으로서 드레인 영역을 정외하고 상기 베이스 영역에서부터 평면으로 공간이 형성된 드레인 전극과; 상기 반도체 재질의 막의 타부에 연결되고, 상기 부동 전압 회로에 전기적으로 연결되며, 상기 드레인 전극과 접촉 전극과의 사이에 위치하는 반도체 재질의 막의 일부는 전도성 영역을 정의하는 접촉전극과; 상기 드레인 전극과 상기 접촉전극의 상이에 배열되며, 상기 반도체 재질의 막의 상기 전도성 영역과는 전기적으로 평행하게 배열되는 레지스터를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프트 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 레지스터는 소정의 깊이로 반도체 재질의 상기 막의 상기 상면에 형성된 상기 제2전도성 타입의 확산영역을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프트 회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 본체 영역과 중심이 같게 반도체 재질의 상기 막의 상기 상면에 형성되고 상기 본체 영역과 상기 드레인 전극과의 사이에 배열된 상기 제2전도성 타입의 또다른 하나의 실제적인 반원형 본체 영역을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프트 회로.
  4. 제3항에 있어서, 상기 또다른 하나의 본체영역의 적어도 한 부분의 상측에 배열된 또다른 금속 콘택트를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프트 회로.
  5. 제4항에 있어서, 상기 또다른 금속 콘택트는 상기 소스전극과 전기적으로 연결되는 상기 연결 버팀대와 기판사이에 제공되는 세라믹 절연체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프트 회로.
  6. 제1항에 있어서, 상기 반도체 재질의 막의 상기 상면에 형성되고 상기 또다른 하나의 본체 영역과 상기 드레인 확산영역과의 사이에 배열되며 상기 또다른 하나의 본체 영역과 접촉하는 상기 제2전도성 타입의 표면 영역을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프트 회로.
  7. 제1항에 있어서, 상기 레지스터는 절연막의 상측에 배열된 전도성 막인 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프트 회로.
  8. 제1항에 있어서, 반도체 재질의 상기 막에 형성되고 전기적으로 상기 장치를 격리시키는 상기 기판안으로 연장 형성되는 상기 제2전도성 타입의 헤비 도핑 스페이서 영역을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 레벨 쉬프트 회로.
  9. 부동 전압 회로와; 상대적으로 낮은 전압 회로와; 청구항 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7 혹은 8의 장치를 포함하는 레벨 쉬프트 장치를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 집적회로.
  10. 상기 모스페트 장치와의 공통의 기판에 각각 형성된 상대적으로 낮은 전압회로와 부동 전압 회로를 전기적으로 연결시키는 장치에 있어서, 상기 기판상에 배열되고 라이트 도핑되고 상면을 갖는 제1전도성 타입의 반도체 재질의 막과; 상기 제1전도성 타입과 반대되며 반도체 재질의 상기 막의 상기 표면에 형성된 제2전도성 타입의 소스 확산 영역과; 상기 소스영역에 연결되고 상기 부동 전압 회로에 전기적으로 연결되는 소스전극과; 상기 소스 확산 영역에 인접하는 반도체 재질의 상기 막의 상기 상면의 일부의 상측으로 배열되 게이트 절연막과 상기 게이트 절연막의 상측에 배열되는 전도성 게이트 막과; 반도체 재질의 상기 막의 상기 상면에 형성되고 상기 소스확산 영역으로부터 평면으로 공간이 형성되는 상기 제2전도성 타입의 드레인 영역과; 상기 드레인확산 영역의 상부에 배열되고 상기 저전압 회로에 전기적으로 연결되는 드레인 전극과; 상기 접지 전극과 상기 드레인 전극과의 사이에 연결된 레지스터로 구성되는 것을 특징으로 모스페트 장치.
  11. 제10항에 있어서, 반도체 재질의 상기 막의 상기 상면으로부터 연장 형성되고 상기 기판으로부터 연장 형성되며 상기 드레인 영역으로부터 평면으로 공간이 형성되고 상기 소스 확산영역으로부터 공간이 더 형성되는 상기 제2전도성 타입의 싱커 영역과; 상기 싱커영역에 연결되는 접지전극을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 모스페트 장치.
  12. 제11항에 있어서, 반도체 재질의 상기 막의 상기 상면에 형성되고 상기 싱커 영역에 접촉하며 기생 저항을 감소시키도록 상기 드레인 영역으로부터 평면으로 공간이 형성된 상기 제2전도성 타입의 격리 확산 영역을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 모스페트 장치.
  13. 제10항에 있어서, 상기 드레인 영역과 접촉하는 반도체 재질의 상기 막의 상기 상면에 형성되고 상기 드레인 영역과 상기 소스 확산 영역과의 사이에 배열되는 라이트 도핑 표면 영역을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 모스페트 장치.
  14. 제10항에 있어서, 반도체 재질의 상기 막의 상기 상면에 형성되고 상기 소스 확산 영역과 상기 소스 전극에 접촉하는 상기 제1전도성 타입의 또다른 확산 영역을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 모스페트 장치.
  15. 기판에 형성되는 부동 전압 회로와; 상기 부동 전압 회로를 실제로 감싸는 표면 확산 영역과 상기 기판에 형성되는 상대적으로 낮은 전압 회로와; 청구항 10, 11, 12, 13 또는 14의 장치를 포함하는 적어도 하나의 레벨 쉬프트 모스페트 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로.
  16. 상기 모스페트 장치와의 공통의 기판에 각각 형성된 상대적으로 낮은 전압회로와 부동 전압 회로를 전기적으로 연결시키는 장치에 있어서, 상기 기판상에 배열되고 라이트 도핑되고 상면을 갖는 제1전도성 타입의 반도체 재질의 막과; 상기 제1전도성 타입과 반대되며 반도체 재질의 상기 막의 상기 표면에 형성되고 실제로 반원형 구성을 갖는 제2전도성 타입의 소스 확산 영역과; 상기 소스영역에 연결되고 상기 부동 전압 회로에 전기적으로 연결되는 소스 전극과; 상기 소스 확산 영역에 인접하는 반도체 재질의 상기 막의 상기 상면의 일부의 상측으로 배열되는 게이트 절연막과 상기 게이트 절연막의 상측에 배열되는 전도성 게이트 막과; 반도체 재질의 상기 막의 상기 상면에 형성되고 상기 소스확산 영역으로부터 평면으로 공간이 형성되는 상기 제2전도성 타입의 드레인 영역과; 상기 드레인 확산 영역의 상부에 배열되고 상기 저전압 회로에 전기적으로 연결되는 드레인 전극과; 상기 접지 전극과 상기 드레인 전극과의 사이에 연결된 레지스터로 구성되는 것을 특징으로 모스페트 장치.
  17. 제16항에 있어서, 반도체 재질의 상기 막의 상기 상면으로부터 연장 형성되고 상기 기판으로부터 연장 형성되며 상기 드레인 영역으로부터 평면으로 공간이 형성되고 상기 소스 확산영역으로부터 공간이 더 형성되는 상기 제2전도성 타입의 싱커 영역과; 상기 싱커영역에 연결되는 접지전극을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 모스페트 장치.
  18. 제17항에 있어서, 반도체 재질의 상기 막의 상기 상면에 형성되고 상기 싱커 영역과 상기 드레인 영역에 접촉하는 상기 제2전도성 타입의 격리 확산 영역을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 모스페트 장치.
  19. 제16항에 있어서, 상기 드레인 영역과 접촉하는 반도체 재질의 상기 막의 상기 상면에 형성되고 상기 드레인 영역과 상기 소스 확산 영역과의 사이에 배열되는 라이트 도핑 표면 영역을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 모스페트 장치.
  20. 제16항에 있어서, 반도체 재질의 상기 막의 상기 상면에 형성되고 상기 소스 확산 영역과 상기 소스 전극에 접촉하는 상기 제1전도성 타입의 또다른 확산 영역을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 모스페트 장치.
  21. 기판에 형성되는 부동 전압 회로와; 상기 고전압 회로를 실제로 감싸는 표면 확산 영역과 상기 기판에 형성되는 상대적으로 낮은 전압 회로와; 상기 기판에 형성되고 상기 고전압 회로와 상기 저전압 회로와의 사이에 전기적으로 연결되며, 상기 표면영역은 적어도 부분적으로 상기 레벨 쉬프트 모스페트 장치를 감싸고 상기 레벨 쉬프트 모스페트와 상기 부동 전압 장치와의 사이에 배열되는 적어도 하나의 레벨 쉬프트 모스페트 장치와; 청구항 16, 17, 18, 19 또는 20의 장치를 포함하는 모스페트 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로.
  22. 제21항에 있어서, 반도체 재질의 상기 막의 상면에 형성되고 상기 표면영역과 상기 드레인 영역과의 사이에 배열되고 접촉하는 상기 제2전도성 타입의 또다른 확산영역을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 집적회로.
  23. 제22항에 있어서, 상기 또다른 확산영역은 상기 전도성 레지스터 막과 평행하에 상기 드레인 전극과 상기 접지 전극과의 사이에 연결된 또다른 전도성 레지스터를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 집적회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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