KR940010289A - 반도체장치 및 광밸브장치 - Google Patents

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미즈아키 스즈키
츠네오 야마자키
히로아키 다카스
구니오 나카지마
아츠시 사쿠라이
다다오 이와키
요시카즈 고지마
마사아키 가미야
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이토 기요시
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Abstract

본 발명은 층이 형성된 단결정실리콘장치 상 MOS 트랜지스터의 스레솔드치가 증가하는 것을 방지함과 동시에 장시간 동안 동작하더라도 신뢰성이 높은 MOS집적회로를 형성시킨 반도체기판 및 광밸브반도체를 제공한다.
반도체기판 및 광밸브용반도체 기판은 접착층(5003)을 통해 절연기판(5004)위에 형성된 단결정실리콘 박막장치와, 층이 형성된 단결정실리콘박막장치에 형성된 절연층(5002)으로 구성됨에 있어서, 열전도성이 우수한 재질로 만들어진 열전도층(5201)(5202)이 층이 형성된 단결정 실리콘박막장치와 접착층과 절연층 사이에 배치되어 있다.

Description

반도체장치 및 광밸브장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 광밸브기판용 반도체장치의 단면도,
제2도는 SOI웨이퍼의 단면도,
제3(a)도 내지 제3(d)도는 통상적인 반도체장치 제조공정에 해당하는 단면도,
제4도는 통상적인 반도체장치의 단면도.

Claims (35)

  1. 반도체층상에 형성된 집적회로를 구비한 반도체장치에 있어서, 상기 반도체층상에 형성된 집적회로에 의해 발생된 열을 방출하는 열방출 수단이 형성된 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 열방출수단은 집적회로상에 형성된 열전도층인 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 열전도층은 질화알루미늄막인 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  4. 제2항에 있어서, 열전도층과 반도체층 사이에 절연부동태화막이 형성되고, 상기 열전도층은 질화알루미늄, 산화알루미늄, 금속 또는 탄소중에서 선택된 어느 하나를 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 열방출수단은 실리콘층 하부에 형성된 열전도층인 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 열전도층은 질화알루미늄을 함유한 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 절연막과 열전도층이 반도체층 하부에 순차로 형성되고, 열전도층은 질화알루미늄, 산화알루미늄, 금속 또는 탄소중에서 선택된 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  8. 제5항에 있어서, 산화실리콘막과 열전도층은 반도체층 하부에 순차로 형성되어 있고, 투명절연기판과 단결정실리콘기판 중 어느 하나의 기판이 열전도층 하부에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  9. 제5항에 있어서, 반도체층은 단결정실리콘으로 제조되며, 산화실리콘막과 열전도층은 단결정실리콘 하부에 순차로 형성되고, 열전도층은 산화실리콘막보다 두껍게 형성된 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 반도체층은 단결정실리콘, 다결정실리콘 또는 비정형 실리콘중에서 선택된 어느 하나로 제조된 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 반도체층은 접착제를 통해 절연기관에 결합된 복합기판으로 구성되고, 열방출수단은 열전도층으로 되어있으며, 열전도층은 위치절연기판과 반도체층 사이에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 열전도층은 질화알루미늄, 산화알루미늄, 금속 또는 탄소중에서 선택된 어느 하나를 함유하는 박막층인 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  13. 제11항에 있어서, 상기 복합기판에는 구동회로 영역과 픽셀영역을 포람하고, 열전도층은 상기 구동회로영역에 인접해서 형성된 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  14. 제11항에 있어서, 상기 접직회로는 와이어부를 포함하고, 상기 와이어부는 열전도층과 부분적으로 접촉되는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  15. 제11항에 있어서, 상기 열전도층은 집적회로내에 포함된 어스부에 전기적으로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  16. 제1항에 있어서, 상기 열방출수단은 반도체층상과 이 반도체층 하부의 선택된 위치에 이온주입법에 의해 형성된 질화알루미늄을 함유하는 박막층인 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  17. 제1항에 있어서, 상기 절연막은 반도체층 내에 삽입되어 있고, 열방출수단은 상기 절연막이 삽입되지 않은 반도체층의 일부분인 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기 절연층의 반도체층 일부에 형성된 집적회로의 동작주파수는, 상기 절연막이 삽입되지 않은 반도체층 일부에 형성된 집적회로의 동작주파수보다 낮은 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  19. 제17항에 있어서, 상기 절연층 하부의 반도체층이 부분적으로 제거된 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  20. 제17항에 있어서, 픽셀 스위칭 트랜지스터가 절연층의 반도체층상에 형성되며, 스위칭 트랜지스터 구동용 구동회로는 절연층이 삽입되지 않은 반도체층 일부분에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  21. 반도체층에 집적회로가 형성되고 상기 집적회로는 금속절연반도체 전계효과 트랜지스터 및 구동회로영역, 픽셀영역으로 관리형성되고, 상기 금속절연 반도체전계효과 트랜지스터에는 게이트절연체를 개재해서 반도체층에 형성된 게이트전극과, 반도체층에 형성된 소오스 및 드레인영역과, 상기 소오스 및 드레인 영역 사이에 영역을 형성시킨 채널로 구성된 반도체장치에 있어서, 상기 집적회로는 이 집적회로에 의해 발생되는 열을 억제하는 억제수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  22. 제21항에 있어서, 픽셀영역내의 금속절연 반도체 전계효과 트랜지스터의 게이트길이는, 이 픽셀영역내의 금속절연 반도체전계효과 트랜지스터에 의해 발생된 열을 억제하도록 구동회로내에 형성된 다수의 금속절연 반도체 전계효과 트랜지스터의 게이트길이중 최소 길이보다 크도록 된 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  23. 제21항에 있어서, 픽셀영역내의 금속절연 반도체전계효과 트랜지스터의 소오스 및 드레인 영역의 불순물 농도는, 이 픽셀영역내 금속절연 반도체 전계효과 트랜지스터에 의해 발생하는 열을 억제하도록 채널로부터 멀리 있는 부위보다 채널에 인접한 부위에서 더 작도록 된 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  24. 제21항에 있어서, 픽셀영역내의 금속절연 반도체 전계효과 트랜지스터의 게이트 폭은, 이 픽셀영역내의 금속절연 반도체전계효과 트랜지스터에 의해 발생되는 열을 억제하도록 구동회로 영역내의 다수의 금속절연 반도체 전계효과 트랜지스터의 게이트흑중 최소 게이트폭과 동일하거나 작은 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  25. 제1기판상에 형성되어 있는 구동회로 영역 및 픽셀영역과, 제2기판상에 형성되어 있는 전극과, 상기 제1 및 제2기판사이에 배치되어 있는 전기광학재를 구비하고, 상기 구동회로 영역은 반도체층상에 형성된 집적회로를 포함하며, 상기 픽셀영역은 스캐닝 라인, 신호라인, 상기 스캐닝 라인 및 신호라인의 교차점에 형성된 픽셀전극 및 상기 반도체층상에 형성된 스위칭트랜지스터를 포함하고, 상기 구동회로 영역에 발생된 열을 방출하는 열방출수단이 상기 제1기판상에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 광밸브장치.
  26. 제25항에 있어서, 상기 제1기판은 접착제에 의해 지지기판에 접착되어 있는 단결정반도체층으로 제조된 복합기판을 포함하고, 상기 열방출수단은 단결정반도체층과 지지기판 사이의 집적회로상에 선택된 일정부분에 형성된 열전도층인 것을 특징으로 하는 광밸브장치.
  27. 제26항에 있어서, 상기 열전도층은 질화알루미늄, 산화알루미늄, 금속 또는 탄소중에서 선택된 어느 하나를 함유하는 박막층인 것을 특징으로 하는 광밸브장치.
  28. 제26항에 있어서, 상기 열전도층은 집적회로에 인접해서 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 광밸브장치.
  29. 제25항에 있어서, 상기 절연층은 픽셀영역내의 반도체층에 삽입되어 있고, 구동회로 영역내 반도체층은 구동시에 발생된 열을 방출하는 열방출수단인 것을 특징으로 하는 광밸브장치.
  30. 제25항에 있어서, 상기 절연층하부에 위치한 반도체층은 그 일부가 제거되어 있으며, 제2기판은 상기 반도체층이 제거된 부위내에 배치되어 있고, 상기 전기광학재는 제1, 제2기판 사이에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 광밸브장치.
  31. 제25항에 있어서, 반도체층은 단결정 실리콘, 다결정 실리콘 및 비정형 실리콘중에서 선택된 어느 하나로 만들어진 것을 특징으로 하는 광밸브장치.
  32. 제1기판상에 형성되어 있는 구동회로 영역 및 픽셀영역과, 제22기판상에 형성되어 있는 전극과, 상기 제1 및 제2기판사이에 배치되어 있는 전기광학재를 구비하고, 상기 구동회로 영역은 반도체층상에 형성된 금속절연 반도체 전계효과 트랜지스터로 이루어진 집적 회로를 포함하며, 상기 픽셀영역은 스캐닝 라인, 신호라인, 상기 스캐닝라인 및 신호라인의 교차점에 형성된 픽셀전극 및 상기 금속절연반도체 전계효과 트랜지스터로 이루어진 스위칭 트랜지스터와, 상기 금속절연 반도체 전계효과 트랜지스터에 의해 발생된 열을 억제하는 열억제수단을 포함하고, 상기 금속절연 반도체 전계효과 트랜지스터는 게이트절연체를 통해 반도체층상에 형성된 게이트전극과, 상기 반도체층상에 형성된 소오스영역 및 드레인 영역과, 상기 소오스 및 드레인 영역사이에 형성된 채널형성영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 광밸브장치.
  33. 제32항에 있어서, 상기 스위칭 트랜지스터의 게이트길이는, 이 스위칭 트랜지스터에 의해 발생된 열을 억제하도록 구동회로영역내에 구성된 다수의 금속절연 반도체전계효과 트랜지스터의 게이트 길이중 최소게이트 길이보다 큰 것을 특징으로 하는 광밸브장치.
  34. 제32항에 있어서, 상기 스위칭 트랜지스터의 소오스 및 드레인 영역의 불순물 농도는, 이 스위칭 트랜지스터에 의해 발생되는 열을 억제하도록 채널로부터 먼 부위보다 채널에 인접한 부위가 더 낮은 것을 특징으로 하는 광밸브장치.
  35. 제32항에 있어서, 스위칭트랜지스터의 게이트폭은, 이 스위칭트랜지스터에 의해 발생된 열을 억제하도록 구동회로 영역내에 구성된 다수의 금속 절연반도체 전계효과 트랜지스터의 게이트폭중 최소게이트폭과 동일하거나 작은 것을 특징으로 하는 광밸브장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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