KR870009480A - 고체촬상장치 - Google Patents

고체촬상장치 Download PDF

Info

Publication number
KR870009480A
KR870009480A KR870002247A KR870002247A KR870009480A KR 870009480 A KR870009480 A KR 870009480A KR 870002247 A KR870002247 A KR 870002247A KR 870002247 A KR870002247 A KR 870002247A KR 870009480 A KR870009480 A KR 870009480A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
region
charge transfer
light receiving
solid state
imaging device
Prior art date
Application number
KR870002247A
Other languages
English (en)
Other versions
KR950014687B1 (ko
Inventor
미치오 야마무라
Original Assignee
오가 노리오
소니 가부시키 가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 오가 노리오, 소니 가부시키 가이샤 filed Critical 오가 노리오
Publication of KR870009480A publication Critical patent/KR870009480A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR950014687B1 publication Critical patent/KR950014687B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/148—Charge coupled imagers
    • H01L27/14831—Area CCD imagers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

고체촬상장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본원 발명장치의 요부 약선적 확대단면도.
제3도 및 제4도는 그 설명을 위한 전위분포도.
제7도는 각각 본원 발명 장치의 다른 예의 요부 약선적 확대단면도.

Claims (5)

  1. 제1도전형의 기체영역과, 수광부를 구성하는 제2도전형의 수광영역과, 전하전송부와, 상기 수광영역하에 이 수광영역에 접촉하여 상기 수광부와 상기 기체영역과의 사이에 설치된 저불순물농도영역을 가진 반도체기판과,
    이 반도체기판 위에 유전체층을 통해서 전방전극과,
    상기 수광부와 상기 전하전송부와의 사이의 유전체층 위에 형성된 전하전송 제어전극으로 이루어지며,
    상기 전방전극에는 상기 유전체층과 전방전극과의 계면에 전하축적층을 형성하는 전압을 인가하고 상기 전송제어전극의 상기 수광영역쪽의 끝부분에 상기 수광영역의 상기 전하전송부에 대항하는 쪽의 끝부분과는 대략 일치하도록 되어 있는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전하전송부는 제2의 도전형 전하전송영역과, 이 전하전송영역 밑에 형성된 제1의 도전형 전하전송영역으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 전하전송부와, 상기 수광부 사이에서 상기 웰영역의 일부가 상기 반도체기판면과 대향하고 있는 특징으로 하는 고체촬상장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 웰영역이 상기 전한전송영역 바로 밑에 형성되는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  5. 제4항에 있어서, 또한 상기 전하전송부와 상기 수광부와의 사이의 상기 반도체기판 면에 형성되어 배리어의 역할을 하는 제1의 도전형 영역으로 이루어진 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019870002247A 1986-03-25 1987-03-13 고체촬상장치 KR950014687B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP66605 1986-03-20
JP86-66605 1986-03-25
JP61066605A JPH07107928B2 (ja) 1986-03-25 1986-03-25 固体撮像装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR870009480A true KR870009480A (ko) 1987-10-27
KR950014687B1 KR950014687B1 (ko) 1995-12-13

Family

ID=13320703

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019870002247A KR950014687B1 (ko) 1986-03-25 1987-03-13 고체촬상장치

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4984044A (ko)
EP (1) EP0240238B1 (ko)
JP (1) JPH07107928B2 (ko)
KR (1) KR950014687B1 (ko)
CN (1) CN1009517B (ko)
CA (1) CA1271828A (ko)
DE (1) DE3751342T2 (ko)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4984047A (en) * 1988-03-21 1991-01-08 Eastman Kodak Company Solid-state image sensor
KR920007355B1 (ko) * 1990-05-11 1992-08-31 금성일렉트론 주식회사 Ccd영상 소자의 구조 및 제조방법
KR920017285A (ko) * 1991-02-13 1992-09-26 문정환 피닝전압이 낮은 고체 촬상소자의 구조
US7199410B2 (en) * 1999-12-14 2007-04-03 Cypress Semiconductor Corporation (Belgium) Bvba Pixel structure with improved charge transfer
US6815791B1 (en) * 1997-02-10 2004-11-09 Fillfactory Buried, fully depletable, high fill factor photodiodes
GB2324651B (en) * 1997-04-25 1999-09-01 Vlsi Vision Ltd Improved solid state image sensor
JP4604296B2 (ja) * 1999-02-09 2011-01-05 ソニー株式会社 固体撮像装置及びその製造方法
US7750958B1 (en) 2005-03-28 2010-07-06 Cypress Semiconductor Corporation Pixel structure
US7808022B1 (en) 2005-03-28 2010-10-05 Cypress Semiconductor Corporation Cross talk reduction
JP5217251B2 (ja) * 2007-05-29 2013-06-19 ソニー株式会社 固体撮像装置、その製造方法および撮像装置
US8476567B2 (en) 2008-09-22 2013-07-02 Semiconductor Components Industries, Llc Active pixel with precharging circuit
US8383443B2 (en) 2010-05-14 2013-02-26 International Business Machines Corporation Non-uniform gate dielectric charge for pixel sensor cells and methods of manufacturing
CN108257996A (zh) * 2017-12-07 2018-07-06 德淮半导体有限公司 像素单元及其制造方法以及成像装置
CN108257997A (zh) * 2017-12-07 2018-07-06 德淮半导体有限公司 像素单元及其制造方法以及成像装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5451318A (en) * 1977-09-29 1979-04-23 Sony Corp Solid pickup unit
DE3168333D1 (en) * 1980-09-19 1985-02-28 Nec Corp Semiconductor photoelectric converter
JPS5819080A (ja) * 1981-07-27 1983-02-03 Sony Corp 固体撮像素子
JPS5842370A (ja) * 1981-09-07 1983-03-11 Sharp Corp 固体撮像装置
JPS5851673A (ja) * 1981-09-22 1983-03-26 Sharp Corp 固体撮像装置
JPS58137248A (ja) * 1982-02-09 1983-08-15 Nec Corp 電荷転送撮像装置の駆動方法
JPS5919480A (ja) * 1982-07-26 1984-01-31 Olympus Optical Co Ltd 固体撮像装置
JPS59202662A (ja) * 1983-04-30 1984-11-16 Sharp Corp 固体撮像装置
JPS60167465A (ja) * 1984-02-10 1985-08-30 Matsushita Electronics Corp 固体撮像装置
JPS6119166A (ja) * 1984-07-05 1986-01-28 Matsushita Electronics Corp 固体撮像装置
JPS6156583A (ja) * 1984-08-27 1986-03-22 Sharp Corp 固体撮像装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN87102365A (zh) 1987-11-11
KR950014687B1 (ko) 1995-12-13
EP0240238A3 (en) 1989-02-08
EP0240238A2 (en) 1987-10-07
CN1009517B (zh) 1990-09-05
DE3751342D1 (de) 1995-07-20
EP0240238B1 (en) 1995-06-14
JPS62222667A (ja) 1987-09-30
JPH07107928B2 (ja) 1995-11-15
CA1271828A (en) 1990-07-17
US4984044A (en) 1991-01-08
DE3751342T2 (de) 1995-10-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR870009480A (ko) 고체촬상장치
KR910014993A (ko) 반도체 디바이스 및 그 형성 방법
KR940016837A (ko) 반도체 기억장치 및 그의 제조방법
KR890008981A (ko) 칼집형 전극을 갖는 홈형 용량을 갖는 반도체 메모리
KR900003896A (ko) 반도체 메모리와 그 제조방법
EP1209751A3 (en) Self turn-off insulated-gate power semiconductor device with injection-enhanced transistor structure
KR910019235A (ko) 반도체기억장치
KR870008318A (ko) 트렌치 콘덴서를 갖춘 다이나믹 랜덤 억세스메모리
KR850004875A (ko) 반도체 메모리 장치
KR890015417A (ko) 불휘발성 반도체기억장치와 그 동작방법 및 제조방법
KR920015577A (ko) 반도체장치
KR900004048A (ko) 초전도 트랜지스터
KR910003813A (ko) 적층된 캐패시터 및 매립된 측방향 접촉부를 갖는 dram 셀
KR940006395A (ko) 고체촬상장치 및 그 제조방법
KR920005280A (ko) Mos형 반도체장치
KR910008861A (ko) 집적회로소자
KR890015432A (ko) 고체촬상장치
KR910013594A (ko) 고체촬상장치와 그 제조방법
KR910020740A (ko) 반도체기억장치
KR870004529A (ko) 반도체 기억장치
KR890016678A (ko) 반도체장치
KR840008213A (ko) 반도체 장치
GB2290661A (en) Semiconductor structure, and method of manufacturing same
KR930022575A (ko) 전하 전송 촬상 장치 및 그 제조 방법
KR910008850A (ko) 반도체 디바이스

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20061201

Year of fee payment: 12

EXPY Expiration of term