KR910008850A - 반도체 디바이스 - Google Patents

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KR910008850A
KR910008850A KR1019900017036A KR900017036A KR910008850A KR 910008850 A KR910008850 A KR 910008850A KR 1019900017036 A KR1019900017036 A KR 1019900017036A KR 900017036 A KR900017036 A KR 900017036A KR 910008850 A KR910008850 A KR 910008850A
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South Korea
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semiconductor
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semiconductor device
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KR1019900017036A
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다까유끼 고미
히로유끼 미와
아끼오 가야누아
Original Assignee
오오가 노리오
소니 가부시끼가이샤
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Publication date
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
    • H01L29/0821—Collector regions of bipolar transistors
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
    • H01L29/73—Bipolar junction transistors
    • H01L29/732—Vertical transistors
    • H01L29/7322—Vertical transistors having emitter-base and base-collector junctions leaving at the same surface of the body, e.g. planar transistor

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  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

반도체 디바이스
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 내지 제2c도는 각각 본 발명의 반도체 디바이스를 제조하는 단계의 확대 단면약도.

Claims (6)

  1. 반도체 디바이스가 다른 반도체 영역과 접촉하고 있는 한 반도체 영역, 상기 반도체 영역에서 형성된 불순물 함유 반도체 층, 적어도 상기 한 반도체 영역의 일부가 상기 다른 반도체 영역에 인접해 있는 곳인 상기 한 반도체 영역과 불순물 함유 반도체층 사이에 형성된 불순물 확산 금지층을 포함하며, 그러므로써 상기 불순물 함유 반도체 층으로부터의 불순물이 상기 다른 반도체 영역으로 확산이 금지되는 반도체 디바이스.
  2. 제1항에 있어서, 상기 한 반도체 영역은 콜렉터 전극을 위한 리드-아웃 영역이며, 상기 다른 영역은 베이스영역이고, 상기 불순물 함유 반도체 층은 콜렉터 전극인 반도체 디바이스.
  3. 제1항에 있어서, 상기 불순물 확산 금지층에는 상기 한 반도체 영역과 상기 불순물 함유 반도체 층이 접속되게 해주며 콜렉터 저항을 낮추기에 충분한 폭을 갖고 있는 개구가 설치되는 반도체 디바이스.
  4. 제3항에 있어서, 상기 불순물 확산 금지층은 SiO2로 형성되는 반도체 디바이스.
  5. 기판, 상기 기판에 형성된 제1전도형 콜렉터 영역, 상기 기판에 형성되어 상기 콜렉터 영역으로부터 측면으로 뻗어 있는 제2전도형의 베이스 영역, 상기 기판에 형성되어 상기 베이스 영역으로 뻗어 있는 제1전도형의 에미터 영역, 상기 콜렉터 영역, 에미터 영역 및 베이스 영역과 각각 접촉되게 상기 기판에 설치된 불순물 함유 물질로 형성된 콜렉터, 에미터 및 베이스 전극 및 콜렉터에서 베이스 까지의 저항이 상기 콜렉터 전극에서 상기 베이스로의 불순물 이동에 의해 감소되는 것을 방지하기 위하열 상기 콜렉터 전극과 상기 기판 사이에 설치된 불순물 확산 금지 층을 포함하여 이루어지는 반도체 디바이스.
  6. 제5항에 있어서, 상기 에미터 영역 아래에서 상기 기판에 형성된 매립층(80)을 포함하는 반도체 디바이스.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900017036A 1989-10-24 1990-10-24 반도체 디바이스 KR910008850A (ko)

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JP1-276537 1989-10-24
JP1276537A JPH03138946A (ja) 1989-10-24 1989-10-24 半導体装置

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