KR910013565A - 래터럴형 반도체장치 - Google Patents
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- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/73—Bipolar junction transistors
- H01L29/735—Lateral transistors
Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 래터럴형 트랜지스터의 단면도이다.
Claims (1)
- 제1도전형을 나타내는 반도체기판(20)과, 이 반도체기판에 형성되는 반대도전형의 매립영역(21), 상기 반도체기판에 퇴적하는 매립영역보다 저농도인 반대도전형 반도체층(22), 이 반대도전형 반도체층을 둘러싸도록 형성하는 분리용 절연물층(23), 이 절연물층으로부터 노출되는 반대도전형 반도체층 표면을 향해 연장되며 두께가 분리용 절연물층보다 얇은 제1환상 절연물층(26), 그 내부에 노출되는 반대도전형 반도체층에 형성하며 두께가 제1환상 절연물층과 동일한 제2절연물층(27), 제1 및 제2 절연물층의 단부에 인접되게 형성하는 제1도전형의 제1 및 제2 환상 불순물영역(24,25)을 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 래터럴형 반도체장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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- 1990-12-28 EP EP90125654A patent/EP0435308A1/en not_active Withdrawn
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Also Published As
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