KR900001025A - 반도체장치 - Google Patents

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KR900001025A
KR900001025A KR1019880007646A KR880007646A KR900001025A KR 900001025 A KR900001025 A KR 900001025A KR 1019880007646 A KR1019880007646 A KR 1019880007646A KR 880007646 A KR880007646 A KR 880007646A KR 900001025 A KR900001025 A KR 900001025A
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KR
South Korea
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semiconductor region
conductive
region
insulating layer
semiconductor
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Application number
KR1019880007646A
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KR910006245B1 (ko
Inventor
코지 시라이
겐 가와무라
Original Assignee
아오이 죠이치
가부시키가이샤 도시바
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/402—Field plates
    • H01L29/404—Multiple field plate structures

Abstract

내용 없음.

Description

반도체장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1a도는 본 발명의 실시예에 관한 반도체장치의 구성을 도시해 놓은 단면도.
제1b도는 본 발명의 1실시예에 관한 반도체장치의 구성을 도시해 놓은 패턴 평면도.
제2a도는 본 발명의 다른 실시예에 관한 반도체장치의 구성을 도시해 놓은 단면도.
제2b도는 본 발명의 다른 실시예에 관한 반도체장치의 구성을 도시해 놓은 패턴 평면도.
제3a도는 본 발명의 또 다른 실시예에 관한 반도체장치의 구성을 도시해 놓은 단면도.
제3b도는 본 발명의 또 다른 실시예에 관한 반도체장치의 구성을 도시해 놓은 단면도.

Claims (3)

  1. 제1도전형 제1반도체영역과, 이 제1반도체영역내에 설치되어지는 제2도전형 제2반도체영역, 이 제2반도체영역의 표면을 포함한 상기 제1반도체영역의 표면위에 형성된 제1절연층, 상기 제2반도체영역의 표면위에 상기 제1절연층을 매개로 형성되어 제2반도체영역과 거의 같은 전위로 설정되어진 제1도전체층, 상기 제1반도체영역내에 상기 제2반도체영역과는 분리되어 설치되면서 상기 제1절연층을 매개로 상기 제1도전체층의 일부와 겹쳐지도록 설치된 제2도전형 제3반도체영역 상기 제1절연층에 형성된 열린부를 매개로 상기 제3반도체영역과 접속되면서 제3반도체영역의 표면위에 상기 제1절연층을 매개로 형성된 제2도전체층, 및, 상기 제1 및 제2도전체층 표면위에 제2절연층을 매개로 형성된 제3도 전체층을 구비해서 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 열린부가 상기 제3도전체층 하부에 위치하도록된 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 열린부가 상기 제3도전체층 하부 이외의 영역에 위치하도록 된 것을 특징으로 하는 반도체장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880007646A 1986-12-26 1988-06-24 반도체장치 KR910006245B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61-308594 1986-12-26
JP61308594A JPS63164362A (ja) 1986-12-26 1986-12-26 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR900001025A true KR900001025A (ko) 1990-01-31
KR910006245B1 KR910006245B1 (ko) 1991-08-17

Family

ID=17982919

Family Applications (1)

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KR1019880007646A KR910006245B1 (ko) 1986-12-26 1988-06-24 반도체장치

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EP (1) EP0347479B1 (ko)
JP (1) JPS63164362A (ko)
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Publication number Publication date
EP0347479A1 (en) 1989-12-27
KR910006245B1 (ko) 1991-08-17
JPS63164362A (ja) 1988-07-07
EP0347479B1 (en) 1994-04-13

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