KR890008927A - 반도체장치 - Google Patents

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KR890008927A
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다께시 나까노
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카나자와 후미오
마쯔시다덴시고오교오 가부시기가이샤
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Abstract

내용 없음

Description

반도체장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명 일실시예 반도체 장치의 평면도,
제 2 도는 제1도 X-X'의 단면도

Claims (5)

  1. 반도체장치는 제1전도형의 반도체기판, 상기 반도체 기판상에 형성된 적어도 하나의 제1전도형의 제1불순물 확산영역, 상기 반도체기판상에 적어도 하나의 제2전도형 제2불순물영역, 상기 제2불순물 확산영역의 거의 전표면상에 형성된 전도막, 상기 제1불순물 확산영역을 통해 상기 반도체기판에 접속된 제2전력공급배선층, 상기전도막을 통해 상기 제2불순물 확산층에 접속된 제2전력공급배선층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  2. 제1항에 있어서, 여기서, 제1및 제2불순물 확산영역은 제1방향을 따라 형성되고 상기 제1및 제2전력공급 배선층은 상기 제1방향에 직각인 제2방향을 따라 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 여기서, 상기 제2불순물 확산영역은 상기 전도막에 함유된 제2전도형의 불순물을 상기 반도체기판에 확산하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 여기서 전도막은 폴리실리콘 또는 폴리시드인것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 여기서, 상기 반도체기판상에 형성된 반도체 집적회로는 회로소자의 스위칭모멘트 동안만 큰 전류를 통과시키고 다른 방법으로는 전류를 통과시키지 않으며 상기 제1및 제2불순물 확산영역으로 구성된 전력공급용량은 상기 스위칭 작동후 공급전압의 변동을 억제하는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880015170A 1987-11-18 1988-11-18 반도체장치 KR930000901B1 (ko)

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