KR940001329A - 반도체 장치의 제조방법 - Google Patents

반도체 장치의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR940001329A
KR940001329A KR1019930010598A KR930010598A KR940001329A KR 940001329 A KR940001329 A KR 940001329A KR 1019930010598 A KR1019930010598 A KR 1019930010598A KR 930010598 A KR930010598 A KR 930010598A KR 940001329 A KR940001329 A KR 940001329A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor
conductive
region
semiconductor region
forming
Prior art date
Application number
KR1019930010598A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0161356B1 (ko
Inventor
데쯔지로 쯔노다
Original Assignee
사또 후미오
가부시끼가이샤 도시바
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 사또 후미오, 가부시끼가이샤 도시바 filed Critical 사또 후미오
Publication of KR940001329A publication Critical patent/KR940001329A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0161356B1 publication Critical patent/KR0161356B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66234—Bipolar junction transistors [BJT]
    • H01L29/66325—Bipolar junction transistors [BJT] controlled by field-effect, e.g. insulated gate bipolar transistors [IGBT]
    • H01L29/66333—Vertical insulated gate bipolar transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
    • H01L29/083—Anode or cathode regions of thyristors or gated bipolar-mode devices
    • H01L29/0834—Anode regions of thyristors or gated bipolar-mode devices, e.g. supplementary regions surrounding anode regions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66363—Thyristors
    • H01L29/66371—Thyristors structurally associated with another device, e.g. built-in diode
    • H01L29/66378—Thyristors structurally associated with another device, e.g. built-in diode the other device being a controlling field-effect device
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/126—Power FETs
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/928—Front and rear surface processing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Thyristors (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

본 발명은 스위칭 특성과 온 전압의 양호한 상관 관계가 얻어지고 특히 저전류 영역에서 상관 관계가 대폭 개선되는 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 반도체 제조 장치의 제조 방법은 반도체 기관의 한 주면상에 제1도전형 제1반도체 영역과 제2도전형 반도체 영역을 선택 확산하는 공정, 이 공정 다음에 상기 반도체 기판상에 적어도 1층으로 이루어지는 제2도전형 제1반도체층을 형성하는 공정, 이 공정 다음에 상기 제1반도체 층상에 열확산으로 제1도전형과 제2도전형 소자 영역을 형성하는 공정, 이 공정 다음에 상기 반도체 기관의 반대 주면상을 연마해서 그 연마면에 상기 제1도전형 제1반도체 영역과 제2도전형 제2반도체 영역을 노출시키는 공정을 구비해서 이루어져서, 상기 목적을 달성할 수 있다.

Description

반도체 장치의 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 관한 반도체 장치의 제조 방법을 도시하는 단면도,
제2도는 본 발명의 제1실시 예에 관한 반도체 장치의 제조 방법을 도시하는 단면도,
제3도는 본 발명의 제1실시예에 관한 반도체 장치의 제조 방법을 도시하는 단면도.

Claims (6)

  1. 반도체 기판(21)의 한 주면상에 제1도전형 제1반도체 영역(22)과 제2도전형 제2반도체 영역(23)을 선택 확산하는 공정, 다음에 상기 반도체 기관상에 1개 이상의 층으로 이루어지는 제2도전형 제1반도체층(24 및 25)를 형성하는 공정, 다음에 상기 제1반도체층상에 열확산에 의해 제1도전형과 제2도전형 소자영역(26,27,28 및 29)를 형성하는 공정 및 다음에 상기 반도체 기판의 반대 주면상을 연마해서, 그 연마면에 제1도전형 제1반도체 영역과 상기 제2도전형 제2반도체 영역을 노출시키는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1반도체층은 불순물 농도가 다른2층 이상의 반도체층(24 및 25)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  3. 반도체 기관(35)의 한 주면상에 제1도전형 제1반도체 영역(36)과 제2도전형 제2반도체 영역(37)을 선택 확산하는 공정, 다음에 상기 반도체 기판의 반대 주면상에 제1도전형 제3반도체 영역(38)과 제2도전형 제4반도체 영역(39)를 선택 확산하는 공정, 다음에 상기 반도체 기판상에 1개 이상의 층으로 이루어지는 제2도전형 제1반도체층(42 및 43)을 형성하는 공정, 다음에 상기 제1반도체층 상에 열확산에 의해 제1도전형과 제2도전형 소자영역(44, 45, 46및 47)을 형성하는 공정 및 다음에 상기 제1반도체 영역과 상기 제3반도체 영역을 열확산으로 결합하고, 상기 제2반도체 영역과 상기 제4반도체 영역을 열확산에 의해 결합하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제1반도체층은 불순물 농도가 다른 2층 이상의 반도체 층(42 및 43)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  5. 고농도 불순물을 포함하는 제1도전형 반도체 기판(53)상에 제2도전형 제5반도체 영역(54)를 선택적으로 형성하는 공정, 다음에 상기 반도체 기판상에 저농도 불순물층으로 이루어지는 제1도전형 혹은 제2도전형 제2반도체층(55)를 형성하는 공정, 다음에 상기 제2반도체층상에 제1도전형 제1반도체 영역(56)과 제2도전형 제2반도체 영역(57)을 선택 확산하는 공정, 다음에 상기 제2반도체층상에 1개 이상의 층으로 이루어지는 제2도전형 제1반도체층(60 및 61)을 형성하는 공정, 다음에 상기 제1반도체층상에 열확산에 의해 제1도전형과 제2도전형 소자영역(62, 63. 64 및 65)를 형성하는 공정, 다음에 상기 소자 영역 형성후에 상기 제1반도체 영역과 상기 반도체 기판을 열확산에 의해 결합하고, 상기 제2반도체 영역과 상기 제5반도체 영역을 열확산에 의채 결합하는 열처리 공정 및 다음에 상기 반도체 기관상의 반대 주면상을 연마해서, 그 연마면에 제1도전형과 제2도전형 반도체 영역을 노출시키는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
  6. 제5항에 있어서. 상기 제1반도체층은 불순물 농도가 다른 2층 이상의 반도체층(60 및 61)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930010598A 1992-06-12 1993-06-11 반도체 장치의 제조방법 KR0161356B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP92-153462 1992-06-12
JP4153462A JPH05347413A (ja) 1992-06-12 1992-06-12 半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR940001329A true KR940001329A (ko) 1994-01-11
KR0161356B1 KR0161356B1 (ko) 1999-02-01

Family

ID=15563094

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930010598A KR0161356B1 (ko) 1992-06-12 1993-06-11 반도체 장치의 제조방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5286655A (ko)
EP (1) EP0578973B1 (ko)
JP (1) JPH05347413A (ko)
KR (1) KR0161356B1 (ko)
DE (1) DE69324074T2 (ko)

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5466951A (en) * 1993-12-08 1995-11-14 Siemens Aktiengesellschaft Controllable power semiconductor element with buffer zone and method for the manufacture thereof
JP3481287B2 (ja) * 1994-02-24 2003-12-22 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
US5935867A (en) * 1995-06-07 1999-08-10 Advanced Micro Devices, Inc. Shallow drain extension formation by angled implantation
US5698454A (en) * 1995-07-31 1997-12-16 Ixys Corporation Method of making a reverse blocking IGBT
US20040061170A1 (en) * 1995-07-31 2004-04-01 Ixys Corporation Reverse blocking IGBT
US6727527B1 (en) 1995-07-31 2004-04-27 Ixys Corporation Reverse blocking IGBT
JPH09181092A (ja) * 1995-12-27 1997-07-11 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
DE19829614B4 (de) * 1998-07-02 2004-09-23 Semikron Elektronik Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleiterbauelementes
US6291856B1 (en) 1998-11-12 2001-09-18 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device with alternating conductivity type layer and method of manufacturing the same
JP4447065B2 (ja) 1999-01-11 2010-04-07 富士電機システムズ株式会社 超接合半導体素子の製造方法
JP2001119022A (ja) * 1999-10-20 2001-04-27 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2001210823A (ja) * 2000-01-21 2001-08-03 Denso Corp 半導体装置
JP4765012B2 (ja) * 2000-02-09 2011-09-07 富士電機株式会社 半導体装置及びその製造方法
US6482681B1 (en) * 2000-05-05 2002-11-19 International Rectifier Corporation Hydrogen implant for buffer zone of punch-through non epi IGBT
US8314002B2 (en) * 2000-05-05 2012-11-20 International Rectifier Corporation Semiconductor device having increased switching speed
US6936908B2 (en) * 2001-05-03 2005-08-30 Ixys Corporation Forward and reverse blocking devices
JP2005057235A (ja) * 2003-07-24 2005-03-03 Mitsubishi Electric Corp 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ及びその製造方法、並びに、インバータ回路
JP4746927B2 (ja) * 2005-07-01 2011-08-10 新電元工業株式会社 半導体装置の製造方法
CN102318071B (zh) * 2008-12-15 2015-08-19 Abb技术有限公司 双极穿通半导体器件和制造这种半导体器件的方法
CN101494239B (zh) * 2009-02-27 2010-12-01 电子科技大学 一种高速igbt
WO2010142342A1 (en) * 2009-06-12 2010-12-16 Abb Research Ltd Power semiconductor device
US9478646B2 (en) 2011-07-27 2016-10-25 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Methods for fabricating anode shorted field stop insulated gate bipolar transistor
DE102013009985B4 (de) 2013-06-14 2019-06-13 X-Fab Semiconductor Foundries Ag IGBT-Leistungstransistor, herstellbar in einer grabenisolierten SOI-Technologie und Verfahren zu seiner Herstellung
CN104282551A (zh) * 2013-07-03 2015-01-14 无锡华润上华半导体有限公司 一种igbt的制造方法
CN104347398A (zh) * 2013-07-25 2015-02-11 无锡华润上华半导体有限公司 一种igbt的制造方法
US9306045B2 (en) * 2013-11-19 2016-04-05 United Microelectronics Corp. Semiconductor power device
KR20150076768A (ko) * 2013-12-27 2015-07-07 삼성전기주식회사 전력 반도체 소자
CN108258029B (zh) * 2016-12-29 2020-06-23 无锡华润华晶微电子有限公司 反向导通绝缘栅双极晶体管及其制备方法
CN107293485A (zh) * 2017-07-21 2017-10-24 电子科技大学 一种低压逆导fs‑igbt的制备方法
CN108428631A (zh) * 2018-03-30 2018-08-21 苏州凤凰芯电子科技有限公司 一种rc-igbt器件背面制作方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IE53895B1 (en) * 1981-11-23 1989-04-12 Gen Electric Semiconductor device having rapid removal of majority carriers from an active base region thereof at device turn-off and method of fabricating this device
DE3583183D1 (de) * 1984-05-09 1991-07-18 Toshiba Kawasaki Kk Verfahren zur herstellung eines halbleitersubstrates.
JPS61208268A (ja) * 1985-03-13 1986-09-16 Toshiba Corp 伝導度変調型半導体装置
JPS61216363A (ja) * 1985-03-22 1986-09-26 Toshiba Corp 伝導度変調型半導体装置
US4757025A (en) * 1985-03-25 1988-07-12 Motorola Inc. Method of making gate turn off switch with anode short and buried base
JP2633536B2 (ja) * 1986-11-05 1997-07-23 株式会社東芝 接合型半導体基板の製造方法
JP2579928B2 (ja) * 1987-02-26 1997-02-12 株式会社東芝 半導体素子およびその製造方法
JPS6480077A (en) * 1987-09-21 1989-03-24 Nissan Motor Conductivity-modulation mosfet
JPH0828506B2 (ja) * 1988-11-07 1996-03-21 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
JPH0691263B2 (ja) * 1988-10-19 1994-11-14 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US5183769A (en) * 1991-05-06 1993-02-02 Motorola, Inc. Vertical current flow semiconductor device utilizing wafer bonding
US5178370A (en) * 1991-08-05 1993-01-12 Motorola Inc. Conductivity modulated insulated gate semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
EP0578973A1 (en) 1994-01-19
JPH05347413A (ja) 1993-12-27
KR0161356B1 (ko) 1999-02-01
DE69324074T2 (de) 1999-08-12
US5286655A (en) 1994-02-15
DE69324074D1 (de) 1999-04-29
EP0578973B1 (en) 1999-03-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR940001329A (ko) 반도체 장치의 제조방법
KR900000981A (ko) 반도체장치의 제조방법
KR920013780A (ko) 고전압 용도에 적합한 직접 회로 장치
KR870005464A (ko) 반도체장치
KR940001427A (ko) 박막 반도체 장치와 그 제작방법
KR930006972A (ko) 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법
KR970023863A (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
KR900007051A (ko) 반도체장치의 제조방법
KR850005169A (ko) 우물영역을 갖는 반도체기판상에 형성되는 mis형 반도체장치
KR910020740A (ko) 반도체기억장치
KR890016620A (ko) 반도체 집적회로장치의 제조방법
KR970024275A (ko) 안전 동작 영역을 증가시킨 트랜지스터 및 그 제조 방법
KR900002408A (ko) 반도체장치의 제조방법
KR920022563A (ko) 반도체 장치 및 그 제조방법
KR910001889A (ko) 반도체장치
JPH04127574A (ja) 縦型絶縁ゲート電界効果トランジスタ
KR930003261A (ko) 반도체 집적 회로
KR940027205A (ko) 고체촬상소자 제조방법
KR890011118A (ko) 반도체장치의 제조방법
KR890008927A (ko) 반도체장치
KR950034419A (ko) 반도체 소자 및 그 제조방법
KR830008393A (ko) 반도체기판의 제조방법
KR900004033A (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
KR930014899A (ko) 반도체 소자의 접속장치
KR950021694A (ko) 광전자 집적회로 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J2X1 Appeal (before the patent court)

Free format text: APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL

B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee
G170 Re-publication after modification of scope of protection [patent]