KR950021694A - 광전자 집적회로 및 그 제조방법 - Google Patents

광전자 집적회로 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR950021694A
KR950021694A KR1019930028579A KR930028579A KR950021694A KR 950021694 A KR950021694 A KR 950021694A KR 1019930028579 A KR1019930028579 A KR 1019930028579A KR 930028579 A KR930028579 A KR 930028579A KR 950021694 A KR950021694 A KR 950021694A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
thin film
film
film transistor
forming
drain electrode
Prior art date
Application number
KR1019930028579A
Other languages
English (en)
Inventor
박병우
Original Assignee
이헌조
엘지전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이헌조, 엘지전자 주식회사 filed Critical 이헌조
Priority to KR1019930028579A priority Critical patent/KR950021694A/ko
Publication of KR950021694A publication Critical patent/KR950021694A/ko

Links

Landscapes

  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

본 발명은 n형 실리콘 기판에 P형 불순물을 도핑한 후 게이트 절연체를 형성하고 그 위에 게이트와 소스 및 드레인 전극을 형성한 박막 트랜지스터와, 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 접촉되도록 n형 실리콘 기판후면에 형성된 다공성(POROUS)실리콘막과, 상기 다공성 실리콘막에 적층 형성된 제1투명전극과, 상기 MOS형 박막 트랜지스터 위에 형성된 접합 다이오드막과, 상기 접합 다이오드에 적층 형성된 제2투면전극막으로 구성되어 해상도를 향상시키고 광열화 특성이 일어나지 않도록 하는 광정자 집적회로 및 그 제조방법에 관한 것이다.

Description

광전자 집적회로 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 광전자 집적회로의 기능요소를 나타낸 도면,
제3도는 본 발명에 따라 제작된 광전자 집적회로의 단면도.

Claims (2)

  1. n형 실리콘 기판에 P형 불순물을 도핑한 후 게이트 절연체를 형성하고, 그 위에 게이트와 소스 및 드레인 전극을 형성한 박막 트랜지스터와, 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극과, 접촉되도록 n형 실리콘 기판후면에 형성된 다공성(POROUS)실리콘막과, 상기 다공성 실리콘막에 적층형성된 제1투명전극막과, 상기 MOS형 박막 트랜지스터 이에 형성된 접합 다이오드막과, 상기 접합다이오드에 적층형성된 제2투명전극막으로 구성된 것을 특징으로 하는 광전자 집적회로.
  2. n형 실리콘 기판에 게이트 절연층을 적층한 후 게이트와 소스 및 드레인 전극을 형성하여 박막 트랜지스터를 형성하는 박막 트랜지스터 형성과정과, 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 접촉되도록 n형 실리콘 기판 후면에 다공실 실리콘층을 형성하는 다공실 실리콘층 형성과정과, 상기 다공성 실리콘층에 투명도적막을 적용하여 형성하는 제1투명전극과 형성과정과 상기 박막 트랜지스터에 n형 또는 P형 실리콘을 순차적으로 적층하여 형성하는 집합 다이오드막 형성과정과, 상기 접합 다이오드막에 투명도전막(ITO)을 적층하여 형성하는 제2투명전극막 형성공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 광전자 집적회로의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930028579A 1993-12-20 1993-12-20 광전자 집적회로 및 그 제조방법 KR950021694A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019930028579A KR950021694A (ko) 1993-12-20 1993-12-20 광전자 집적회로 및 그 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019930028579A KR950021694A (ko) 1993-12-20 1993-12-20 광전자 집적회로 및 그 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR950021694A true KR950021694A (ko) 1995-07-26

Family

ID=66850657

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930028579A KR950021694A (ko) 1993-12-20 1993-12-20 광전자 집적회로 및 그 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR950021694A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100466396B1 (ko) * 1995-12-30 2005-04-08 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 발광형액정표시장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100466396B1 (ko) * 1995-12-30 2005-04-08 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 발광형액정표시장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR980005382A (ko) Soi소자 및 그 제조방법
KR840008537A (ko) 반도체장치
KR920008834A (ko) 박막 반도체 장치
KR950034740A (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
KR940001329A (ko) 반도체 장치의 제조방법
KR930006972A (ko) 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법
KR960002809A (ko) Soi기판에 형성한 cmos트랜지스터 및 그 soi기판의 제조방법
KR960019497A (ko) Soi 구조를 가지는 반도체장치 및 그의 제조방법
KR930014944A (ko) 박막트랜지스터의 구조
KR970030676A (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR950021694A (ko) 광전자 집적회로 및 그 제조방법
KR940010384A (ko) 박막트랜지스터 제조방법
KR900002408A (ko) 반도체장치의 제조방법
KR930009116A (ko) 박막트랜지스터와 그의 제조방법
KR880010508A (ko) 반도체장치와 그 제조방법
JPS5541730A (en) Semiconductor device
KR980005890A (ko) 고전압 반도체 소자 및 그의 제조방법
KR970054507A (ko) 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
KR970072500A (ko) 인버터 및 그 제조 방법
KR910020952A (ko) 광전 집적회로 소자 및 그 제조방법
KR950026008A (ko) 게이트전극 공유 트랜지스터
KR970053807A (ko) 바이폴라 트랜지스터 구조를 이용한 접합 축전기 및 그 제조 방법
KR960012470A (ko) 실리콘 온 인슐레이터(soi) 기판을 이용한 반도체장치 및 백-게이트 바이어스 인가방법
KR930011223A (ko) 바이씨모스 트랜지스터 및 그 제조방법
KR960032718A (ko) 반도체 소자 저항 형성방법

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination