KR970072500A - 인버터 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 인버터 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 다결정 실리콘으로 형성된 N형과 P형 박막 트랜지스터를 조합한 CMOS 인버터 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 기판의 상부에 제1 게이트를 형성하고, 제1 게이트를 덮는 제1 절연막을 형성하고 제1 절연막 상부에 두 부분의 고농도 제1 도전형 소스/드레인 다결정 실리콘층을 형성하고 고농도 제1 도전형 소스/드레인 다결정 실리콘층을 덮으며 중앙에 도핑되지 않은 제1 다결정 실리콘층을 형성하고, 제1 다결정 실리콘을 덮는 제2 절연막을 형성하고 그 위에 도핑되지 않은 제2 다결정 실리콘층을 형성하고 제2 다결정 실리콘층의 상부에 두 부분의 고농도 제2 도전형 소스/드레인 다결정 실리콘층을 형성하고 제3 절연막을 형성하고 제3 절연막 중앙 상부에 제2 게이트를 형성한다. 따라서, 본 발명에 따른 인버터는 좁은 면적에 형성할 수 있으므로 집적도를 높일 수 있는 효과가 있다.

Description

인버터 및 그 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 실시예에 따른 인버터의 단면도이다.

Claims (6)

  1. 기판 중앙에 형성되어 있는 제1 게이트, 상기 제1 게이트를 덮는 제1 절연막, 상기 제1 절연막 상부의 중앙에 두 부분으로 각각 형성되어 있는 고농도 제1 도전형 소스/드레인 다결정 실리콘층, 상기 제1 절연막 및 상기 고농도 제1 도전형 소스/드레인 다결정 실리콘층을 덮는 제1 다결정 실리콘층, 상기 고농도 제1 도전형 소스/드레인 다결정 실리콘층 및 상기 제1 다결정 실리콘층을 덮는 제2 절연막, 상기 제2 절연막의 중앙에 형성되어 있는 제2다결정 실리콘층, 상기 제2 다결정 실리콘층 중앙부를 제외하고 상기 제2 절연막 위에 두부분으로 형성되어 있는 고농도 제2 도전형 소스/드레인 다결정 실리콘층, 상기 고농도 제2 도전형 소스/드레인 다결정 실리콘층 및 상기 제2 다결정 실리콘층을 덮는 제3 절연막, 상기 제3 절연막 상부에 형성되어 있는 제2 게이트를 포함하는 인버터.
  2. 제1항에서 상기 제2 게이트를 덮는 보호막을 더 포함하는 인버터.
  3. 제2항에서 상기 보호막 일부 위에 형성되어 있으며 상기 고농도 제1 도전형 소스 다결정 실리콘층과 접촉하고 있는 제1 전극, 상기 보호막 위에 형성되어 있으며 상기 고농도 제2 도전형 소스 다결정 실리콘층과 접촉하고 있는 제2 전극, 상기 보호막 위에 형성되어 있으며 상기 고농도 제1, 제2 도전형 드레인 다결정 실리콘층과 일체로 접촉하고 있는 제3 전극을 더 포함하는 인버터.
  4. 기판의 상부에 제1 게이트를 형성하는 단계, 상기제1 게이트를 덮는 제1 절연막을 형성하고 상기 제1 절연막 상부의 두 부분에 고농도 제1 도전형 소스/드레인 다결정 실리콘층을 형성하는 단계, 상기 고농도 제1 도전형 소스/드레인 다결정 실리콘층을 덮으며 중앙에 도핑하지 않은 제1 다결정 실리콘층을 형성하는 단계, 상기 제1 다결정 실리콘을 덮는 제2 절연막을 형성하고 그 위에 도핑되지 않은 제2 다결정 실리콘층을 형성하는 단계, 상기 제2 다결정 실리콘층의 상부에 두 부분의 고농도 제2 도전형 소스/드레인 다결정 실리콘층을 형성 하는 단계, 제3 절연막을 형성하고 상기제3 절연막 중앙 상부에 제2 게이트를 형성하는 단계를 포함하는 인버터 제조 방법.
  5. 제1항에서, 상기 제2 게이트를 덮는 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 인버터 제조 방법.
  6. 제5항에서, 상기 보호막 상부에 콘택홀을 통하여 상기 고농도 제1 도전형 소스 다결정 실리콘층과 접촉하는 제1 전극, 상기 고농도 제2 도전형 소스 다결정 실리콘층과 접촉하는 제2 전극 및 상기 고농도 제1, 제2 도전형 드레인 다결정 실리콘층과 접촉하는 제3 전극을형성하는 단계를 더 포함하는 인버터 제조 방법.
    ※참고사항: 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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