KR910020952A - 광전 집적회로 소자 및 그 제조방법 - Google Patents
광전 집적회로 소자 및 그 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 광전집적회로 소자의 단면도, 제3도는 제2도의 NIPI층(39)을 확대 도시한 단면도.
Claims (8)
- HEMT와 레이저다이오드를 포함하는 광전집적 회로소자 있어서, 반절연성 화합물 반도체 기판의 전 표면에 형성되어 있으며 상기 HEMT의 버퍼층으로 이용되는 제3도전형의 제1반도체층과, 상기 제1반도체층 표면의 HEMT및 레이저다이오드 영역에 형성되어 있으며 상기 HEMT의 스페이서층으로 이용되는 제3도전형의 제2반도체층과, 상기 제2반도체층 표면에 형성되어 있으며 상기 HEMT의 소오스층과 레이저다이오드의 제1클래드층으로 이용되는 제1도전형의 불순물이 저농도로 도핑된 제3반도체층과, 상기 레이저다이오드영역의 제3반도체층의 표면에 반복형성되어 있는 제1 및 제2도전형인 제6및 제7반도체층들 사이에 제3도전형의 제5반도체층들이 형성되어 활성층으로 이용되는 제4반도체층과, 상기 제4반도체층의 표면에 형성되어 있으며 제2클래드층으로 이용되는 제2도전형의 불순물이 저농도로 도핑된 제8반도체층과, 상기 제8반도체층의 표면에 형성되어 있으며 캡층으로 이용되는 제2도전형의 불순물이 고농도로 도핑된 제9반도체층과, 상기 제9반도체층의 표면에 형성된 상기 레이저다이오드의 제2전극과, 상기 반절연성 화합물 반도체 기판의 하부표면에 형성되며 상기 레이저다이오드 영역에 형성되어 있는 관통공을 통해 상기 제3반도체층과 접속되는 제1전극과, 상기 HEMT영역의 제3반도체층 소정표면에 형성되어 있으며 캡층으로 이용되는 제1도전형의 불순물이 고농도로 도핑된 제10반도체층과, 상기 제10반도체층 표면에 형성된 소오스및 드레인 전극과, 상기 HEMT영역의 제3반도체층의 노출된 표면에 형성된 게이트전극과, 상기 HEMT및 레이저다이오드 사이를 전기적으로 분리하는 소자분리 영역을 구비함을 특징으로 하는 광전 집적회로 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 제1도전형이 N형, 제2도전형이 P형이고 제3도전형이 I형임을 특징으로 하는 광전집적회로 소자.
- 제2항에 있어서, 상기 제5반도체층이 I형 CaAs임을 특징으로 하는 광전집적회로 소자.
- 제3항에 있어서, 상기 제6반도체층이 N형 델타도핑층이고, 제7반도체층이 P형 델타도핑층임을 특징으로 하는 광전집적회로 소자.
- 제4항에 있어서, 상기 N형 델타도핑층이 Si이고, P형 델타도핑층이 Be임을 특징으로 하는 광전집적회로 소자.
- HEMT와 레이저다이오드를 포함하는 광전집적회로 소자의 제조방법에 있어서, 반절연성 화합물 반도체 기판 표면에 제3도전형의 제1 및 제2반도체층, 제1도전형의 불순물이 저농도로 도핑된 제3반도체층, 제3도전형의 제5반도체층/제1도전형의 제6반도체층/제3도전형의 제5반도체층/제2도전형의 제6반도체층이 반복되는 제4반도체층, 제2도전형의 불순물이 저농도로 도핑된 제8반도체층, 제2도전형의 불순물이 고농도로 도핑된 제9반도체층을 순차적으로 형성하는 공정; 상기 HEMT영역의 제4반도체층, 제8반도체층 및 제9반도체층을 제거하여 소정부분의 제3반도체층을 노출시키는 공정; 상기 노출된 제3반도체층과 제9반도체층의 표면에 제1도전형의 불순물이 고농도로 도핑된 제10반도체층을 형성하는 공정; 상기 레이저다이오드 영역의 제10반도체층을 제거하는 공정; 상기 HEMT영역과 레이저다이오드 영역 사이에 소자분리 영역을 형성하는 공정; 상기 제9반도체층의 표면에 제2전극을 형성하는 공정; 상기 제10반도체층 표면의 소정부분에 소오스 및 드레인 전극을 형성하는 공정; 상기 소오스 및 드레인전극이 형성되지 않은 제10반도체층을 제거하는 공정; 상기 노출된 제3반도체층의 표면에 게이트전극을 형성하는 공정; 상기 레이저다이오드 영역의 기판하부표면에 관통공을 형성하여 제3반도체층 하부표면의 소정부분을 노출시키는 공정; 상기 기판의 하부표면에 상기 관통공을 통해 상기 제3반도체층과 접속되는 제1전극을 형성하는 공정으로 이루어짐을 특징으로 하는 광전집적회로 소자의 제조방법.
- 제6항에 있어서, 상기 반도체층들이 MBE방법 또는 CBE방법으로 이루어짐을 특징으로 하는 광전집적회로 소자의 제조방법.
- 제7항에 있어서, 상기 제4반도체층이 500∼550℃로 이루어짐을 특징으로 하는 광전집적회로 소자의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
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|---|---|---|---|
| KR1019900006450A KR930000824B1 (ko) | 1990-05-08 | 1990-05-08 | 광전집적회로 소자 및 그 제조방법 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019900006450A KR930000824B1 (ko) | 1990-05-08 | 1990-05-08 | 광전집적회로 소자 및 그 제조방법 |
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| Publication Number | Publication Date |
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| KR910020952A true KR910020952A (ko) | 1991-12-20 |
| KR930000824B1 KR930000824B1 (ko) | 1993-02-05 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1019900006450A KR930000824B1 (ko) | 1990-05-08 | 1990-05-08 | 광전집적회로 소자 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR930000824B1 (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007089077A1 (en) * | 2006-02-01 | 2007-08-09 | Epivalley Co., Ltd. | Iii-nitride semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same |
| WO2007119919A1 (en) * | 2006-04-18 | 2007-10-25 | Epivalley Co., Ltd. | Iii-nitride semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same |
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1990
- 1990-05-08 KR KR1019900006450A patent/KR930000824B1/ko not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007089077A1 (en) * | 2006-02-01 | 2007-08-09 | Epivalley Co., Ltd. | Iii-nitride semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR930000824B1 (ko) | 1993-02-05 |
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