KR940027205A - 고체촬상소자 제조방법 - Google Patents
고체촬상소자 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 고체촬상소자 제조방법에 관한 것으로 공정을 단순화하고 빛에 대한 손실을 줄일 수 있는 고체촬상소자 제조방법을 제공하여 그 목적이 있다.
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해 제 1 도전형 반도체 기판(1)상에 제 2도전형 반도체 웰(2)을 형성하는 제 1 공정, 상기 제 2도전형 반도체 웰(2) 에 VCCD(3)를 형성하고 VCCD(3)상에 절연층(4)과 게이트층(5)을 형성하는 제 2 공정, 상기 절연층(4)과 게이트층(5)을 식각한후 흡수될 빛의 고유파장에 따라 PD제 1도전형 반도체층(6a,6b,6c)의 접합깊이를 다르게 형성하는 제 3 공정, PD제 2도전형 반도체층(7)을 형성하는 제 4 공정으로 이루어짐을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2도는 본 발명의 고체촬상소자의 단면도, 제 3도는 본 발명에 의한 접합깊이와 농도와의 관계구성도.
Claims (4)
- 제1도전형 반도체 기판(1)상에 제 2도전형 반도체 웰(2)을 형성하는 제 1 공정, 상기 제2도전형 반도체 웰(2)에 VCCD(3)를 형성하고 VCCD(3)상에 절연층(4)과 게이트 절연층(5)을 형성하는 제 2 공정, 상기절연층(4)과 게이트층(5)을 식각한후 흡수될 빛의 고유파장에 따라 PD제1도전형 반도체층(6a,6b,6c)의 접합깊이를 다르게 형성하는 제 3공정, PD제2도전형 반도체층(7)을 형성하는 제 4공정으로 이루어짐을 특징으로 하는 고체촬상소자 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 PD제 1 도전형 반도체층(6a,6b,6c) 은 접합깊이에 따라 농도를 다르게 함을 특징으로 하는 고체촬상소자 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 PD제 1 도전형 반도체층(6a,6b,6c)의 접합깊이는 흡수될 빛의 고유파장에 반비례하여 형성함을 특징으로 하는 고체촬상소자 제조방법.
- 제 2 항에 있어서, 상기 PD제 1 도전형 반도체층(6a,6b,6c)의 농도는 접합깊이에 반비례하여 형성함을 특징으로 하는 고체촬상소자 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930008697A KR940027205A (ko) | 1993-05-20 | 1993-05-20 | 고체촬상소자 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930008697A KR940027205A (ko) | 1993-05-20 | 1993-05-20 | 고체촬상소자 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR940027205A true KR940027205A (ko) | 1994-12-10 |
Family
ID=67137314
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930008697A KR940027205A (ko) | 1993-05-20 | 1993-05-20 | 고체촬상소자 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR940027205A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100390823B1 (ko) * | 2000-12-30 | 2003-07-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 서로 다른 색의 픽셀 내에 각기 다른 깊이의 포토다이오드를 구비하는 이미지 센서 제조 방법 |
| US9711675B2 (en) | 2013-11-06 | 2017-07-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Sensing pixel and image sensor including the same |
-
1993
- 1993-05-20 KR KR1019930008697A patent/KR940027205A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100390823B1 (ko) * | 2000-12-30 | 2003-07-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 서로 다른 색의 픽셀 내에 각기 다른 깊이의 포토다이오드를 구비하는 이미지 센서 제조 방법 |
| US9711675B2 (en) | 2013-11-06 | 2017-07-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Sensing pixel and image sensor including the same |
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