KR960039412A - 전하전송소자 제조방법 - Google Patents

전하전송소자 제조방법 Download PDF

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KR960039412A
KR960039412A KR1019950009123A KR19950009123A KR960039412A KR 960039412 A KR960039412 A KR 960039412A KR 1019950009123 A KR1019950009123 A KR 1019950009123A KR 19950009123 A KR19950009123 A KR 19950009123A KR 960039412 A KR960039412 A KR 960039412A
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KR
South Korea
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insulating film
forming
transfer gate
entire surface
transfer device
Prior art date
Application number
KR1019950009123A
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English (en)
Inventor
김현병
최민수
Original Assignee
문정환
엘지반도체 주식회사
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Abstract

본 발명은 전하전송소자 제조방법에 관한 것으로, 감도를 향상시키고 스미어 현상 및 결함 발생가능성을 낮출 수 있도록 한 것이다.
본 발명은 반도체기판 소정영역에 전송게이트를 형성하는 공정과, 상기 전송게이트상에 전송게이트 전표면을 덮도록 제1절연막을 형성하는 공정, 상기 제1절연막상에 제1절연막의 전표면을 덮도록 제2절연막을 형성하는 공정, 및 상기 제2절연막상에 제2절연막의 전표면을 덮도록 차광막을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 전하전송소자 제조방법을 제공한다.

Description

전하전송소자 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 CCD 제조방법을 도시한 공정순서도.

Claims (1)

  1. 반도체기판 소정영역에 전송게이트를 형성하는 공정과, 상기 전송게이트상에 전송게이트 전표면을 덮도록 제1절연막을 형성하는 공정, 상기 제1절연막상에 제1절연막의 전표면을 덮도록 제2절연막을 형성하는 공정, 및 상기 제2절연막상에 제2절연막의 전표면을 덮는 차광막을 형성하는 공정을 포함하여 이루어지는 전하전송소자 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950009123A 1995-04-18 1995-04-18 전하전송소자 제조방법 KR960039412A (ko)

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