KR910005390A - 고전압용 박막 트랜지스터 및 그 제조법 - Google Patents
고전압용 박막 트랜지스터 및 그 제조법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR910005390A KR910005390A KR1019890012597A KR890012597A KR910005390A KR 910005390 A KR910005390 A KR 910005390A KR 1019890012597 A KR1019890012597 A KR 1019890012597A KR 890012597 A KR890012597 A KR 890012597A KR 910005390 A KR910005390 A KR 910005390A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- high voltage
- thin film
- film transistor
- manufacturing
- voltage thin
- Prior art date
Links
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 고전압용 박막 트랜지스터의 종단면도.
Claims (1)
- 유리기판(1)위의 일정부위에 게이트 전극(2)이 형성되고 그위에 게이트 절연층(3)이 형성되며, 그 위에는 비정질 실리콘층(4)이 형성되고 그위에는 n+비정질 실리콘층(5)과 페시베이션막(6)이 형성되며, 그 위에 소오스전극(7)과 드레인 전극(8)이 형성된 통상의 고전압용 박막 트랜지스터에 있어서, 상기 유리기판(1)과 게이트 절연층(3)사이에 게이트 전극(2) 일측에는 하부에서 비정실 실리콘층(4)으로 입사되는 빛을 차폐하는 하부 광차폐막(9)이 형성되고, 상기 페시베이션막(6)의 소오스 전극(7)과 드레인 전극(8)사이에 상부에서 비정질 실리콘층(4)으로 입사되는 빛을 차폐하는 상부 광차폐막(10)이 형성되어 구성됨을 특징으로 하는 고전압용 박막 트랜지스터 및 그 제조법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019890012597A KR910005390A (ko) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 고전압용 박막 트랜지스터 및 그 제조법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019890012597A KR910005390A (ko) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 고전압용 박막 트랜지스터 및 그 제조법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR910005390A true KR910005390A (ko) | 1991-03-30 |
Family
ID=67661524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019890012597A KR910005390A (ko) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 고전압용 박막 트랜지스터 및 그 제조법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR910005390A (ko) |
-
1989
- 1989-08-31 KR KR1019890012597A patent/KR910005390A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR850005163A (ko) | 전계효과형 트랜지스터의 제조방법 | |
| KR900013652A (ko) | 감소된 온 저항을 가진 soi구조의 고전압 반도체 장치 | |
| KR830004680A (ko) | 박막 트랜지스터 | |
| KR930005259A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| JPS5688363A (en) | Field effect transistor | |
| KR910007159A (ko) | Mos형 반도체장치 | |
| KR850005162A (ko) | 전계효과형 트랜지스터 | |
| KR910005390A (ko) | 고전압용 박막 트랜지스터 및 그 제조법 | |
| KR930022601A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
| KR880009426A (ko) | 반도체 메모리장치 및 그 제조방법 | |
| JPS567480A (en) | Film transistor | |
| EP0335632A3 (en) | High current thin film transistor | |
| KR930001502A (ko) | 박막 트랜지스터와 이것을 제조하기위한 방법 | |
| KR860001489A (ko) | 반도체장치 | |
| KR910005478A (ko) | 박막트랜지스터의 제조방법 | |
| KR930005239A (ko) | Tft의 제조방법 | |
| KR900005612A (ko) | 4 마스크 레벨의 보호구조를 갖는 비정질 규소 박막 트랜지스터 | |
| KR920003534A (ko) | 박막트랜지스터의 제조방법 | |
| KR930024148A (ko) | Tft-lcd의 수평구조 | |
| KR900005561A (ko) | 반도체장치 | |
| KR910007074A (ko) | 박막 트랜지스터 | |
| JPS57154875A (en) | Mos semiconductor device | |
| KR920013751A (ko) | 박막 트랜지스터 | |
| KR870011700A (ko) | 박막 트랜지스터 | |
| KR900015350A (ko) | 비정질 규소 박막 트랜지스터 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |