KR910007074A - 박막 트랜지스터 - Google Patents

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KR910007074A
KR910007074A KR1019900012971A KR900012971A KR910007074A KR 910007074 A KR910007074 A KR 910007074A KR 1019900012971 A KR1019900012971 A KR 1019900012971A KR 900012971 A KR900012971 A KR 900012971A KR 910007074 A KR910007074 A KR 910007074A
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KR
South Korea
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electrode
thin film
film transistor
semiconductor layer
type semiconductor
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KR1019900012971A
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Inventor
히사도시 모리
노부유끼 야마무라
Original Assignee
가시오 가즈오
가시오 게이상기 가부시끼가이샤
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
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  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
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  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

박막 트랜지스터
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 제1실시예의 박막트랜지스터의 단면도.
제3도는 제2도의 박막 트랜지스터의 VG-ID특성도.
제4도는 제2도의 박막 트랜지스터의 VD-ID특성도.

Claims (3)

  1. 적어도, 게이트전극과, 게이트절연막과, i형 반도체층과, n형 반도체층과, 소스 및 드레인 전극을 갖춘 박막 트랜지스터에 있어서, 상기 소스 및 드레인 전극은 상기 게이트 전극과 겹치지 않는 위치에 형성한 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터.
  2. 적어도, 게이트전극과, 게이트절연막과, i형 반도체층과, n형 반도체층과, 소스 및 드레인 전극을 갖춘 박막 트랜지스터에 있어서, 상기 소스전극 및 드레인 전극을 상기 게이트 전극과 대향시켜서 형성하고, 상기 게이트전극을 n형 반도체층을 형성한 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터.
  3. 게이트라인과, 게이트전극과, i형 반도체층과, n형 반도체층과, 소스전극 및 드레인전극을 갖춘 박막 트랜지스터에 있어서, 상기 소스전극 및 드레인 전극을 상기 게이트 전극과 대향시켜서 형성하고, 상기 게이트전극을 n형 반도체층을 형성하고, 이 게이트 전극을 상기 게이트 라인에 접속한 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900012971A 1989-09-06 1990-08-22 박막트랜지스터 KR940008220B1 (ko)

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JP1229227A JPH0393274A (ja) 1989-09-06 1989-09-06 薄膜トランジスタ

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KR101306987B1 (ko) * 2009-03-10 2013-09-26 한국전자통신연구원 이극성 티오펜 화합물 및 이를 포함하는 전계 효과 트랜지스터
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