KR960036075A - 반도체 장치 - Google Patents

반도체 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR960036075A
KR960036075A KR1019960006953A KR19960006953A KR960036075A KR 960036075 A KR960036075 A KR 960036075A KR 1019960006953 A KR1019960006953 A KR 1019960006953A KR 19960006953 A KR19960006953 A KR 19960006953A KR 960036075 A KR960036075 A KR 960036075A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
field effect
thin film
effect transistor
capacitor
gate electrode
Prior art date
Application number
KR1019960006953A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100189588B1 (ko
Inventor
류이찌 오이까와
Original Assignee
가네꼬 히사시
닛본덴기 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가네꼬 히사시, 닛본덴기 가부시끼가이샤 filed Critical 가네꼬 히사시
Publication of KR960036075A publication Critical patent/KR960036075A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100189588B1 publication Critical patent/KR100189588B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices

Landscapes

  • Dram (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

메모리 셀 자체가 증폭작용을 가지고, 셀 면적의 축소화가 용이한 DRAM 메모리를 제공한다.
1개의 절연 게이트 전계효과 트랜지스터와 1개의 커패시터로 구성되는 메모리 셀의 구조를 가지며, 상기 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터의 게이트 전극보다 상층부에 형성된 박막 트랜지스터가 전기적으로 직렬 접속에 상당하도록 배치된 제1의 게이트 전극과 제2의 게이트 전극을 구비하고, 제1의 게이트 전극은 상기 절연 게이트 전계효과 트랜지스터의 1전극이고, 제2의 게이트 전극은 상기 커패시터의 1전극이며, 상기 박막 트랜지스터의 소스 영역은 상기 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터의 소스 · 드레인 영역의 한쪽과 함께 비트선에 접속되어 상기 박막 트랜지스터의 드레인 영역은 전원 배선에 접속된다.

Description

반도체 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1의 실시예를 설명하는 메모리 셀의 평면도.

Claims (3)

1개의 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터와 1개의 커패시터로 구성되는 메모리 셀의 구조를 가지며 상기 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터의 게이트 전극보다 상층부에 형성된 상기 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터와 동일 채널형의 박막 트랜지스터가 전기적으로 직렬 접속에 상당하도록 배치된 제1의 게이트 전극과 제2의 게이트 전극을 구비하되, 상기 제1의 게이트 전극은 상기 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터의 게이트 전극이고, 상기 제2의 게이트 전극은 상기 커패시터의 1 전극이며, 상기 박막 트랜지스터의 소스 영역은 상기 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터의 소스·드레인 영역의 한쪽과 함께 비트선에 접속되어 있고, 상기 박막 트랜지스터의 드레인 영역은 전원 배선에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
제1항에 있어서, 상기 박막 트랜지스터의 드레인 영역이 상기 커패시터의 대향 전극으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
제1항에 있어서, 상기 1개의 커패시터가 반도체 기관의 표면에 설치된 홈 내부에 형셩되고, 상기 커패시터의 대향 전극이 상기 전원 배선과는 다른 전위로 고정되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960006953A 1995-03-15 1996-03-15 반도체 장치 KR100189588B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP95-055467 1995-03-15
JP7055467A JPH08250673A (ja) 1995-03-15 1995-03-15 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960036075A true KR960036075A (ko) 1996-10-28
KR100189588B1 KR100189588B1 (ko) 1999-06-01

Family

ID=12999415

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960006953A KR100189588B1 (ko) 1995-03-15 1996-03-15 반도체 장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5675160A (ko)
JP (1) JPH08250673A (ko)
KR (1) KR100189588B1 (ko)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5793075A (en) * 1996-07-30 1998-08-11 International Business Machines Corporation Deep trench cell capacitor with inverting counter electrode
US5818750A (en) * 1996-07-31 1998-10-06 Micron Technology, Inc. Static memory cell
US6174764B1 (en) 1997-05-12 2001-01-16 Micron Technology, Inc. Process for manufacturing integrated circuit SRAM
US6762951B2 (en) 2001-11-13 2004-07-13 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit device
US6515892B1 (en) * 1999-05-14 2003-02-04 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit device
JP2001093988A (ja) * 1999-07-22 2001-04-06 Sony Corp 半導体記憶装置
JP4654471B2 (ja) * 1999-07-29 2011-03-23 ソニー株式会社 半導体装置
WO2001073846A1 (en) * 2000-03-29 2001-10-04 Hitachi, Ltd. Semiconductor device
IL142517A0 (en) * 2001-04-10 2002-03-10 Elbit Systems Ltd Segmental image control
DE10125800B4 (de) * 2001-05-26 2006-11-02 Infineon Technologies Ag Speicherbaustein mit einer Speicherzelle und Verfahren zur Herstellung eines Speicherbausteins
US6677633B2 (en) 2002-09-24 2004-01-13 Hitachi, Ltd. Semiconductor device
US7123500B2 (en) * 2003-12-30 2006-10-17 Intel Corporation 1P1N 2T gain cell
US20050214949A1 (en) * 2004-03-26 2005-09-29 Fuji Photo Film Co., Ltd. Process for producing chemical product and quality inspection process for chemical used in same
US7315466B2 (en) 2004-08-04 2008-01-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor memory device and method for arranging and manufacturing the same
US20090224330A1 (en) * 2005-07-28 2009-09-10 Hong Chang Min Semiconductor Memory Device and Method for Arranging and Manufacturing the Same
US7978561B2 (en) * 2005-07-28 2011-07-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor memory devices having vertically-stacked transistors therein
US7459743B2 (en) * 2005-08-24 2008-12-02 International Business Machines Corporation Dual port gain cell with side and top gated read transistor
US8648403B2 (en) * 2006-04-21 2014-02-11 International Business Machines Corporation Dynamic memory cell structures
WO2011086847A1 (en) * 2010-01-15 2011-07-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8422272B2 (en) * 2010-08-06 2013-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
TWI605549B (zh) * 2010-08-06 2017-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US8975680B2 (en) * 2011-02-17 2015-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device and method manufacturing semiconductor memory device
CN108538854B (zh) * 2018-03-30 2021-04-06 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管结构及其制备方法、阵列基板和显示装置
WO2022043826A1 (ja) 2020-08-27 2022-03-03 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置、及び電子機器

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61134059A (ja) * 1984-12-05 1986-06-21 Toshiba Corp 半導体記憶装置
JPS6267861A (ja) * 1985-09-19 1987-03-27 Mitsubishi Electric Corp 半導体メモリ
JPH01255269A (ja) * 1988-04-05 1989-10-12 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体記憶装置
US5463234A (en) * 1992-03-31 1995-10-31 Kabushiki Kaisha Toshiba High-speed semiconductor gain memory cell with minimal area occupancy
JP3227917B2 (ja) * 1993-07-26 2001-11-12 ソニー株式会社 増幅型ｄｒａｍ用メモリセルおよびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR100189588B1 (ko) 1999-06-01
US5675160A (en) 1997-10-07
JPH08250673A (ja) 1996-09-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960036075A (ko) 반도체 장치
KR890702254A (ko) 집적회로 트랜치 셀
KR880700468A (ko) 반도체 장치
KR850005160A (ko) 적층형 반도체 기억장치
KR880002181A (ko) 반도체 기억장치
KR950015763A (ko) 불휘발성 반도체기억장치
KR960009205A (ko) 불휘발성 반도체기억장치
KR870006662A (ko) 홈 용량을 가진 다이나믹 랜덤 액세스 메모리
KR870009381A (ko) 트렌치 콘덴서를 갖춘 다이나믹 랜덤 억세스메모리
KR960015962A (ko) 박막트랜지스터
KR900004022A (ko) 불휘발성 반도체 기억장치
KR910019235A (ko) 반도체기억장치
KR900005595A (ko) 역전압으로부터 모놀리딕 구조를 보호하는 활성 다이오드
KR950015755A (ko) 반도체 집적 회로장치
KR960032771A (ko) 접합 전계 효과 트랜지스터를 갖는 반도체 장치
KR850006782A (ko) 반도체 메모리
KR970004014A (ko) 반도체장치
KR870005462A (ko) 감지증폭회로
KR970077683A (ko) 반도체 메모리 장치
ATE97259T1 (de) Speicherzellenanordnung fuer dynamische halbleiterspeicher.
KR930024173A (ko) 박막트랜지스터 및 박막트랜지스터를 사용한 에스램(sram)
KR920015367A (ko) 반도체 메모리장치
KR890004435A (ko) 다이나믹 메모리 셀을 갖는 집적회로
KR920015373A (ko) 반도체 메모리 장치
KR850008249A (ko) 반도체 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20070110

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee