KR920015373A - 반도체 메모리 장치 - Google Patents
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- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
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- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예의 개념적인 평면도, 제2도는 본 발명의 제1종래예의 개념적인 평면도, 제3도는 본 발명의 제2종래예의 개념적인 평면도.
Claims (1)
- 제1도전형 채널의 1대의 구동용 트랜지스타와 제2도전형 채널의 1대의 부하용 트랜지스타로서 형성된 플립플롭을 사용하여 메로리 셀이 구성되어 있으며, 상기 부하용 트랜지스타의 활성층이 반도체 박막에 의하며 형성되어 있는 반도체 메모리 장치에서, 상기 부하용 트랜지스타에 접속되어 있는 전원선의 적어도 일부가 금속 층에서 형성되고, 워드선에 대하여 평행으로 연재하고 있으며, 상기 구동용 트랜지스타에 접속되어 있는 접지선의 적어도 제1부분이 금속층에서 형성되어 상기 워드선에 대하여 평행으로 연재하고 있으며, 상기 제1부분에 접속되어 있는 상기 접지선의 제2부분이 상기 워드선에 대하여 수직으로 연재하고 있는 반도체 메모리 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|---|---|
| JP91-21645 | 1991-01-22 | ||
| JP3021645A JP3070107B2 (ja) | 1991-01-22 | 1991-01-22 | 半導体メモリ装置 |
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Family
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|---|---|---|---|
| KR1019920000786A KR100248556B1 (ko) | 1991-01-22 | 1992-01-21 | 반도체 메모리 장치 |
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Families Citing this family (2)
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Also Published As
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