KR950015755A - 반도체 집적 회로장치 - Google Patents

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가스미 야마구찌
마나부 야마다
게이조 하기모또
마사미 사와다
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가네꼬 히사시
닛뽕덴끼 가부시끼가이샤
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Abstract

파워 트랜지스터 (12)의 온도를 모니터링하기 위한 온도 센서는 p형 부분(13b)과 n형 부분(13c)을 수직으로 스트립되어 있는 폴리실리콘 스트립 (13a)에 의해서 실행되고, 상기 p형 부분(13b)과 n형 부분(13c)에 접속해 있는 알루미늄 전극(13e/13f)은 p-n접합(13d)이 알루미늄 스파이크로 부터 영향을 받지 않기 위해서 p형 부분(13b)과 n항 부분(13c)사이의 수직 p-n접합(13d)으로 부터 오프셋된다.

Description

반도체 집적 회로장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 반도체 집적회로장치의 구조를 도시하는 단면도, 제3도는 반도체 집적회로 장치에 포함된 파워 트랜지스터 및 내장온도센서의 배치 회로도.

Claims (6)

  1. 상기 반도체 집적회로장치의 일부분을 형성하고 작동중에 열을 발생시키는 회로소자(12;TR)와, 상기 열로 인한 상기 회로소자의 온도를 가리키는 출력신호를 생성하기 위하여 상기 회로소자(12;TR)와 조합된 온도센서(13;DO)를 포함하는 반도체 기판(11;30) 상에 제조된 반도체 집적회로장치에 있어서, 상기 온도센서는 반도체 스트립(13a)에 형성되어 있는 p-n접합과 상기 p-n접합(13d)으로부터 오프셋되고 상기 반도체 스트립(13a)의 p형 부분(13b)과 상기 반도체 스트립(13a)의 n형 부분(13c)에 접촉되어 있는 한쌍의 전극(13e/13f : 33/22)을 구비하여 상기 출력신호를 생성함을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 p형 부분(13b)과 상기 n형 부분(13c)의 두께는 상기 반도체 스트립(13a)의 두께와 동일하고, 상기 p-n접합(1a)은 상기 p형 부분(13b)과 상기 n험 부분 사이의 수직경계선을 따라 형성됨을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 반도체 스트립(13a)은 상기 반도체기판(11)의 표면을 엎고 있는 제1 절연층(12d)상에 형성되고, 제2 절연층(12f/14)은 상기 반도체 스트립(13a)을 덮고 있으며, 상기 전극쌍의 전극(13e/13f)은 상기 제2 절연층(12f/14)에 형성된 접촉 구멍을 통해서 각각 상기 p형 부분(13b)과 상기 n형 부분(13c)에 접촉됨을 특징으로 하는 반도체 회로장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 회로소자는 파워 전계효과 트랜지스터(12;TR)임을 특징으로하는 반도체 집적회로장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 파워 트랜지스터(12)는 상기 반도체기판(11)의 표면부분에 형성된 불순물 영역(12a/12c)과, 상기 표면 부분이 노출되어 있는 상기 반도체 기판(11)의 표면을 덮고 있는 제1 절연층(12d)과, 상기 제1 절연층(12d)상에 형성되어 있는 제1게이트전극(12e)과, 상기 제1 게이트전극(12e)을 덮고 있는 제2 절연층(12f/14)과, 상기 제2절연층(12f/14)을 통해서 상기 불순물 영역(12a/12c)에 접촉하는 소오스전극(12g;32)과, 상기 제2절연층(12f/14)을 통해서 상기 제1 게이트 전극(12e)에 접촉해있는 제2게이트전극(12i;31)과, 드레인 전극(12h)을 구비함을 특징으로 하는 반도체 집적회로 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 소오스 전극(32)이 상기 전극 쌍 중의 어느 하나의 전극과 접속됨을 특징으로 하는 반도체 집적회로장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940031862A 1993-11-30 1994-11-29 반도체 집적 회로장치 KR950015755A (ko)

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