KR920007171A - 고신뢰성 반도체장치 - Google Patents

고신뢰성 반도체장치 Download PDF

Info

Publication number
KR920007171A
KR920007171A KR1019900014002A KR900014002A KR920007171A KR 920007171 A KR920007171 A KR 920007171A KR 1019900014002 A KR1019900014002 A KR 1019900014002A KR 900014002 A KR900014002 A KR 900014002A KR 920007171 A KR920007171 A KR 920007171A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor device
type
conductivity type
semiconductor substrate
high reliability
Prior art date
Application number
KR1019900014002A
Other languages
English (en)
Inventor
신윤승
강준
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자 주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019900014002A priority Critical patent/KR920007171A/ko
Priority to GB9100619A priority patent/GB2247779A/en
Priority to ITMI910091A priority patent/IT1245794B/it
Priority to DE4101274A priority patent/DE4101274A1/de
Priority to JP3004039A priority patent/JPH04234162A/ja
Priority to FR9100620A priority patent/FR2666454A1/fr
Publication of KR920007171A publication Critical patent/KR920007171A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
    • H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
    • H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

고신뢰성 반도체장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 일반적인 CMOS집적회로의 출력단 ESD 내성 시험 등가회로도,
제2도는 일반적인 CMOS집적회로의 출력단 소자의 구조를 나타낸 단면구조도,
제3도는 본 발명에 의한 고신뢰성 반도체장치 단면구조도.

Claims (16)

  1. 제1전도형의 반도체기판 ; 상기 반도체기판내에 표면으로부터 일정 깊이를 가지고 형성되는 제2전도형의 얕은 접합영역 ; 상기 반도체기판상에 절연층을 개재하여 형성되고, 상기 절연층에 형성된 콘택홀을 통하여 상기 얕은 접합영역과 접촉되며,출력단자와 연결되는 저저항 배선층 ; 및 상기 얕은접합영역내의 콘택트영역을 포함하는 영역을 가지고, 상기 출력단자에 가해지는 정전기에 의해 상기 저저항배선층과 상기 얕은 접합영역의 콘택부위에서 상기 반도체기파내로 발생되는 접합파괴부분을 충분히 감쌀수 있을 정도의 깊이를 가지도록 상기 반도체 기판내에 형성되는 제2전도형의 깊은 접합영역을 구비한 것을 특징으로 하는 고신뢰성 반도체장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 얕은 접합영역은 MOS트랜지스터의 소오스 또는 드레인층인 것을 특징으로 하는 고신뢰성 반도체장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 저저항배선층은 알루미늄(Al)을 기본재료로 하고 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 고신뢰성 반도체장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 저저항배선층은 알루미늄(Al)을 기본재료로 하고 실리콘 및 구리를 포함하는 것을 특징으로 하는 고신뢰성 반도체장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 저저항배선층은 고농도로 도우핑된 다결정실리콘으로 된것을 특징으로 하는 고신뢰성 반도체장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 저저항배선층은 고농도로 도우핑된 다결정실리콘층과 고융점그속 및 실리콘으로 된 금속실리사이드층의 복합층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 고신뢰성 반도체장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 저저항배선층은 고융점 금속층 또는 금속실리사이드층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 고신뢰성 반도체장치.
  8. 제6항 또는 제7항에 있어서, 고융점금속은 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 몰리브덴(Mo)및 코발트(Co)중의 하나임을 특징으로 하는 고신뢰성 반도체장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 깊은 접합영역은 CMOS 반도체장치의 웰형성시 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 고신뢰성 반도체장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 반도체기판은 P형이고 깊은 접합영역은 n형인 것을 특징으로 하는 고신뢰성 반도체장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 반도체기판은 n형이고 깊은 접합영역은 p형인 것을 특징으로 하는 고신뢰성 반도체장치.
  12. 제1전도형의 반도체기판내에 형성된 제2전도형의 웰내에 제1전도형의 채널을 가지는 제1MOS트랜지스터 ; 상기 반도체기판에 형성되고 제2저도형의 채널을 가지는 제2MOS트랜지스터 ; 및 상기 제1MOS 트랜지스터와 상기 제2MOS트랜지스터의 사이의 상기 반도체 기판에 형성되고 제2전도형의 채널을 가지는 제3트랜지스터를 구비하되, 상기 제2MOS트랜지스터는 소오스 및 드레인 영역내에 소오스 및 드레인콘택을 포함하고, 상기소오스 혹은 드레인 콘낵부위에서 정전기에 의해 상기 반도체 기판내로 발생되는접합파괴부분을 충분히 감쌀 수 있을 정도의 깊이를 가지는 것을 특징으로 하는 고신뢰성 반도체장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 제2트랜지스터의 제2전도형의 깊은 접합영역은 상기 제2전도형의 웰형성시 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 고신뢰성 반도체장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 제1전도형은 P형이고 제2전도형은 n형인 것을 특징으로 하는 고신뢰성 반도체장치.
  15. 제13항에 있어서, 상기 제1전도형은 n형이고 제2전도형은 P형인 것을 특징으로 하는 고신뢰성 반도체장치.
  16. 제12항에 있어서, 제2트랜지스터는 반도체장치의 출력단위 출력트랜지스터인 것을 특징으로 하는 고신뢰성 반도체장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
KR1019900014002A 1990-09-05 1990-09-05 고신뢰성 반도체장치 KR920007171A (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019900014002A KR920007171A (ko) 1990-09-05 1990-09-05 고신뢰성 반도체장치
GB9100619A GB2247779A (en) 1990-09-05 1991-01-11 Semiconductor device tolerant of electrostatic discharge
ITMI910091A IT1245794B (it) 1990-09-05 1991-01-16 Dispositivo semiconduttore molto affidabile
DE4101274A DE4101274A1 (de) 1990-09-05 1991-01-17 Halbleiterbauelement hoher zuverlaessigkeit
JP3004039A JPH04234162A (ja) 1990-09-05 1991-01-17 高信頼性半導体装置
FR9100620A FR2666454A1 (fr) 1990-09-05 1991-01-21 Structure de jonction de contact tolerant l'endommagement electrostatique pour dispositif semi-conducteur en particulier cmos.

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019900014002A KR920007171A (ko) 1990-09-05 1990-09-05 고신뢰성 반도체장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR920007171A true KR920007171A (ko) 1992-04-28

Family

ID=19303260

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019900014002A KR920007171A (ko) 1990-09-05 1990-09-05 고신뢰성 반도체장치

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JPH04234162A (ko)
KR (1) KR920007171A (ko)
DE (1) DE4101274A1 (ko)
FR (1) FR2666454A1 (ko)
GB (1) GB2247779A (ko)
IT (1) IT1245794B (ko)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3456242B2 (ja) * 1993-01-07 2003-10-14 セイコーエプソン株式会社 半導体装置及びその製造方法
DE69409274T2 (de) * 1993-01-12 1998-11-05 Sony Corp Ausgangsschaltung für Ladungsübertragungselement
KR0166101B1 (ko) * 1993-10-21 1999-01-15 김주용 정전방전 보호회로의 트랜지스터 및 그 제조방법
FR2713398B1 (fr) * 1993-11-30 1996-01-19 Sgs Thomson Microelectronics Fusible pour circuit intégré.
US5932917A (en) * 1996-04-19 1999-08-03 Nippon Steel Corporation Input protective circuit having a diffusion resistance layer
JPH1070266A (ja) * 1996-08-26 1998-03-10 Nec Corp 半導体装置およびその製造方法
DE19840239A1 (de) * 1998-09-03 2000-03-09 Siemens Ag Leistungshalbleiter-Bauelement mit einer Anordnung zum Schutz vor Schäden durch elektrostatische Entladungen
DE102004012819B4 (de) 2004-03-16 2006-02-23 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleiterbauelement mit erhöhter Robustheit

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1073560A (en) * 1964-12-28 1967-06-28 Gen Electric Improvements in semiconductor devices
DE1803392A1 (de) * 1968-10-16 1970-06-18 Siemens Ag Schutzvorrichtung fuer einen Feldeffekttransistor
JPS57211272A (en) * 1981-06-23 1982-12-25 Toshiba Corp Semiconductor device
JPS5825264A (ja) * 1981-08-07 1983-02-15 Hitachi Ltd 絶縁ゲート型半導体装置
DE3586268T2 (de) * 1984-05-03 1993-02-25 Digital Equipment Corp Eingangs-schutzanordnung fuer vlsi-schaltungsanordnungen.
US4734752A (en) * 1985-09-27 1988-03-29 Advanced Micro Devices, Inc. Electrostatic discharge protection device for CMOS integrated circuit outputs

Also Published As

Publication number Publication date
ITMI910091A0 (it) 1991-01-16
ITMI910091A1 (it) 1992-07-16
IT1245794B (it) 1994-10-18
JPH04234162A (ja) 1992-08-21
GB2247779A (en) 1992-03-11
FR2666454A1 (fr) 1992-03-06
DE4101274A1 (de) 1992-03-19
GB9100619D0 (en) 1991-02-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR930005234A (ko) 쇼트키 장벽 다이오드 및 쇼트키 장벽 다이오드 클램프형 트랜지스터와 이들을 제조하는 방법
KR920008834A (ko) 박막 반도체 장치
KR970705836A (ko) 정전기 방전 보호회로(electrostatic discharge protection circult)
KR970067716A (ko) 반도체 장치 및 그 제조방법
KR950004452A (ko) 반도체 집적회로장치
KR850000804A (ko) 반도체 장치
KR850007718A (ko) 반도체 장치
KR970023863A (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
KR940018967A (ko) 반도체장치 및 그 제조방법
KR870003561A (ko) 반도체장치
KR920007171A (ko) 고신뢰성 반도체장치
KR960030394A (ko) 정전보호기능을 갖는 반도체 집적 회로 장치
KR920005280A (ko) Mos형 반도체장치
KR940018990A (ko) 반도체 장치및 그 제조방법(A Semiconductor Device and a Method of Manufacturing Thereof)
KR910019137A (ko) 다결정 실리콘 접촉 구조
US5227327A (en) Method for making high impedance pull-up and pull-down input protection resistors for active integrated circuits
KR890016626A (ko) 반도체장치
JPS6386465A (ja) 基板にキャパシタを形成する方法
KR960012554A (ko) 바이폴러 트랜지스터 및 그의 제조방법
JPH05347412A (ja) 半導体集積回路
KR910008843A (ko) Mos형 집적회로
KR840008213A (ko) 반도체 장치
KR940008130A (ko) 반도체 장치 및 그 제조 방법
KR890005886A (ko) 쌍극성 트랜지스터
KR850007315A (ko) 상보형(相補形) 금속산화막 반도체 직접회로 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application