KR850005174A - 헤테로 구조를 가진 반도체 장치 - Google Patents

헤테로 구조를 가진 반도체 장치 Download PDF

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KR850005174A
KR850005174A KR1019840008346A KR840008346A KR850005174A KR 850005174 A KR850005174 A KR 850005174A KR 1019840008346 A KR1019840008346 A KR 1019840008346A KR 840008346 A KR840008346 A KR 840008346A KR 850005174 A KR850005174 A KR 850005174A
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료시 가다야마 (외 4)
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미쓰다 가쓰시게
가부시기 가이샤 히다찌 세이사꾸쇼
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Abstract

내용 없음

Description

헤테로 구조를 가진 반도체 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 관한 트랜지스터의 에너지 다이어 그램.
제3도는 본 발명에 관한 트랜지스터의 구조 단면도.
제4도는 A 내지 제4도 C는 전계효과 트랜지스터의 제조공정을 도시한 장치 단면도.
제5도 A 내지 제5도 D는 본 발명에 관한 트랜지스터의 예를 도시한 단면도.

Claims (4)

  1. 제1의 반도체 층과 제2의 반도체 층이 헤테로 접합을 형성하여 배치되고, 제1의 반도체 층의 금제대폭은 제2의 반도체 층의 그것보다 적어지고, 있으며, 제1의 반도체 층과 전자적으로 접속된 소오스 및 드레인과, 게이트 전극과를 적어도 가진 반도체 장치에 있어서, 적어도 상기 소오스 및 드레인사 이에는 불순물을 1016㎝-3이하만 함유하지 않은 영역을 가지며, 또한 게이트 끝에 대해서, 드레인 영역이 게이트전압이 0볼트에 있어서의 공핍층의 두께의 2배 이상으로는 떨어져 있지 않은 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  2. 게이트 끝과 드레인 영역의 간격은, 제1의반도체 층의 두께이상 떨어지고, 또한 게이트 전압이 0볼트에 있어서의 공핍층의 두께의 2배이상은 떨어져 있지 않은 것을 특징으로하는 특허청구의 범위 제1항기재의 반도체 장치.
  3. 상기 게이트 끝과 소오스 영역의 간격은, 제1의 반도체 층의 두께 이상 떨어져 있지 않은 것을 특징으로하는 특허청구의 범위 제1항 기재의 반도체 장치.
  4. 상기 게이트 끝과, 소오스 영역의 간격은 제1의 반도체 층의 두께 이상 떨어져 있지 않은 것을 특징으로하는 특허청구의 범위 제2항 기재의 반도체 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019840008346A 1983-12-26 1984-12-26 헤테로 구조를 가진 반도체 장치 KR850005174A (ko)

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JP58243830A JPS60136380A (ja) 1983-12-26 1983-12-26 半導体装置
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JPS63187667A (ja) * 1987-01-30 1988-08-03 Hitachi Ltd 半導体装置
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FR2497603A1 (fr) * 1981-01-06 1982-07-09 Thomson Csf Transistor a faible temps de commutation, de type normalement bloquant
JPS5891682A (ja) * 1981-11-27 1983-05-31 Hitachi Ltd 半導体装置

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EP0146962A2 (en) 1985-07-03
EP0146962A3 (en) 1985-10-30
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