KR880006788A - Mosfet 구조물 및 그 제조방법 - Google Patents

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KR880006788A
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맨 챔 키트
응 사우-란
후 호릉-센
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앤 오·바스킨스
휴렛트-팩카드 캄파니
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Abstract

내용 없음

Description

MOSFET구조물 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 개량된 MOSFET구조물의 단면도.
제3도는 본 발명의 개량된 MOSFET구조물에 대한 선택적인 실시예의 단면도.
제4도는 제1도, 제2도, 및 제3도에 도시한 구조물들에 대한 채널 길이 L의 함수로서 임계 전압 Vt를 도시한 그래프.

Claims (12)

  1. 소오스영역(58), 드레인영역(60), 소오스영역(58)과 드레인영역(60) 사이에 연장되는 채널 영역(62), 및 채널영역(62)상에 형성된 게이트 구조물(64)를 포함하는 전계 효과 트랜지스터(54)에 있어서, 소오스영역(58) 및 드레인영역(60)과 반대 극성 형태를 갖고 있고 채널영역(62) 아래에 배치되는 차폐영역(66, 68)을 포함하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터(54).
  2. 제1항에 있어서, 소오스영역(58) 아래에 배치된 소오스 버퍼영역(70), 및 드레인영역(60) 아래에 배치된 드레인 버퍼영역(72)를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터(54).
  3. 제2항에 있어서, 차폐영역(66, 68)이 소오스 버퍼영역 (70) 및 드레인 버퍼영역 (72)의 부분들을 너머 연장되는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터(54).
  4. 제2항 및 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 소오스 버퍼영역(70), 드레인 버퍼영역(72) 및 차폐영역(66, 68) 아래에 배치되는 차폐영역(66, 68)과 동일한 극성 형태를 갖고 있는 본체부(56)을 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터 (54).
  5. 제4항에 있어서, 본체부(56)의 일부분이 채널영역(62)를 접속시키기 위해 차폐영역(66, 68)을 통해 연장되는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터(54).
  6. 제1항 내지 제3항중 어느 한 항에 있어서, 차폐영역이 소오스영역과, 드레인영역 사이에서 완전히 연장되는 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터(54).
  7. 소오스(58), 드레인(60), 채널(62), 및 게이트 구조물(64)를 갖고 있는 전계 효과 트랜지스터(54)의 성능을 향상시키기 위한 방법에 있어서, 채널(62) 아래에 최소한 부분적으로 차폐영역(66, 68)을 형성하는 수단, 소오스(58) 아래에 최소한 부분적으로 소오스 버퍼(70)을 형성하는 수단, 및 드레인(60) 아래에 최소한 부분적으로 드레인 버퍼(72)를 형성하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제7항에 있어서, 소오스 버퍼(70) 및 드레인 버퍼(72)가 소오스(58) 및 드레인(60)보다 적은 전하 캐리어를 갖고 있는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제7항 및 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 차폐 버퍼(66, 68)이 소오스(58) 및 드레인(60)과 반대 극성 형태인 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 차폐영역(66, 68)이 소오스(58) 및 드레인(60)보다 적은 전하케리어를 갖고 있는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제7항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 차폐영역(66, 68)이 채널(62) 아래에서 완전히 연장되지 않는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제7항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 차폐영역이 채널아래에서 완전히 연장되는 것을 특징으로 하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의햐여 공개하는 것임.
KR870012612A 1986-11-10 1987-11-09 Mosfet 구조물 및 그 제조방법 KR880006788A (ko)

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