KR860001479A - 반도체 집적 회로장치 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

반도체 집적 회로장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 보호회로를 도시한 도면.
제2도와 제3도는 제1도의 입력 보호 회로를 이용한 반도체 장치의 평면도와 단면도.
제4도는 본 발명의 보호회로의 다른 실시예를 도시한 도면.

Claims (9)

  1. 다음 사항으로 되는 반도체 집적회로장치, 외부로 부터의 입력신호 전압을 인가하기 위한 입력단자, 상기 입력단자에 접속된 MISFET로 된 회로, 적어도 1개의 상기 MISFET의 게이트 전극은 상기 입력 단자에 접속되어 있다. 그리고, 상기 입력단자와 상기 회로와의 사이에 접속된 보호회로, 상기 보호 회로는 적어도 1개의 MISFET와 1개의 저항으로 된다. 상기 MISFET의 소오스 또는 드레인 영역인 2개의 반도체 영역의 한쪽은, 상기 저항보다도 가까운 위치에서 상기 입력 단자에 접속한다.
  2. 특허청구의 범위 제1항에 따른 반도체 집적회로 장치에 있어서, 상기 한쪽의 반도체 영역은 약 1500㎛2이상의 면적은 갖는다.
  3. 특허청구의 범위 제1항에 따른 반도체 집적회로 장치에 있어서, 상기 한쪽의 반도체 영역을 가진 상기 MISFET는 P찬넬 MISFET이다.
  4. 특허청구의 범위 제1항에 따른 반도체 집적회로 장치에 있어서, 상기 한쪽의 반도체 영역을 가진 상기 MISFET는 N찬넬 MISFET이고, 상기 한쪽의 반도체 영역은 약 2000㎛2이상의 면적을 갖는다.
  5. 특허청구의 범위 제1항에 따른 반도체 집적회로장치에 있어서, 상기 한쪽의 반도체 영역은 상기 2개의 반도체 영역의 다른쪽의 반도체 영역보다 큰 면적이다.
  6. 특허청구의 범위 제1항에 따른 반도체 집적 회로 장치에 있어서, 상기 보호 회로의 상기 MISFET는 N찬넬과 P찬넬 MISFET로 된다. 상기 N찬넬 및 P찬넬 MISFET의 상기 한쪽의 반도체 영역은, 각각 약 2000㎛2이상과 1500㎛2이상의 면적이다.
  7. 특허청구의 범위 제1항에 따른 반도체 집적회로장치에 있어서, 상기 보호회로의 상기 MISFET의 게이트 전극과 상기 2개의 반도체 영역의 다른쪽의 반도체 영역에는 고정 전위가 인가된다.
  8. 특허청구의 범위 제1항에 따른 반도체 집적 회로 장치에 있어서, 상기 보호 회로의 상기 MISFET는 N찬넬과 P찬넬 MISFET로 되고, 상기 N찬넬 및 P찬넬 MISFET에 인가되는 상기 고정 전위는 각각 접지전위와 전원 전위이다.
  9. 특허청구의 범위 제1항에 따른 반도체 집적회로 장치에 있어서, 상기 N찬넬과 P찬넬 MISFET의 상기 한쪽의 반도체 영역은 각각 약 2000㎛2이상과 1500㎛2이상의 면적이다.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019850004783A 1984-07-25 1985-07-04 반도체집적회로장치 KR930008982B1 (ko)

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