KR860009418A - 반도체 메모리 장치의 디코오더 회로 - Google Patents

반도체 메모리 장치의 디코오더 회로 Download PDF

Info

Publication number
KR860009418A
KR860009418A KR1019860003882A KR860003882A KR860009418A KR 860009418 A KR860009418 A KR 860009418A KR 1019860003882 A KR1019860003882 A KR 1019860003882A KR 860003882 A KR860003882 A KR 860003882A KR 860009418 A KR860009418 A KR 860009418A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
decoder circuit
power supply
logic gates
circuit
transistor
Prior art date
Application number
KR1019860003882A
Other languages
English (en)
Other versions
KR900001598B1 (en
Inventor
마사노부 요시다
Original Assignee
야마모도 다꾸마
후지쓰 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 야마모도 다꾸마, 후지쓰 가부시끼가이샤 filed Critical 야마모도 다꾸마
Publication of KR860009418A publication Critical patent/KR860009418A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR900001598B1 publication Critical patent/KR900001598B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C8/00—Arrangements for selecting an address in a digital store
    • G11C8/10—Decoders
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/08—Address circuits; Decoders; Word-line control circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Compression, Expansion, Code Conversion, And Decoders (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

반도체 메모리 장치의 디코오더 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 일실시예에 의한 디코오더 회로의 회로도.
제3도는 본 발명에 의한 로우 디코오더의 상세한 회로도.

Claims (4)

  1. 입력 어드레스 신호들에 대응하는 라인선택신호를 발생시키는 부하 트랜지스터와 구동 트랜지스터들에 의해 각각 구성되는 다수의 논리 게이트들과, 그리고 정상모드신호 또는 모든 선택모드 신호인 모드지정신호에 대응하는 상기 논리게이트에 공급되는 전원전압을 제어하기 위한 전원 제어회로를 포함하며, 여기서 상기 모든 선택모드 신호는 상기 전원제어회로에 입력되며, 상기 디코오더 회로의 모든 선택모드 상태는 상기 논리게이트에 공급되는 상기 전원전압을 강하시켜서 얻어지는 것이 특징인 반도체 메모리장치의 디코오더 회로.
  2. 제1항에서, 상기 전원제어회로는 N 채널공핍형 MOS 트랜지스터와 N채널 고양형 MOS 트랜지스터를 포함하는 것이 특징인 반도체 메모리장치의 디코오더 회로.
  3. 제1항에서, 상기 논리게이트 각각은 상기 전원제어회로와, 상기 논리게이트간에 연결되어 부하 트랜지스터를 포함하며 또한 N 채널 공핍형 MOS 트랜지스터를 포함하는 것이 특징인 반도체 메모리장치의 디코오더 회로.
  4. 제1항에서, 상기 논리게이트 각각은 다수의 N채널 고양형 MOS 트랜지스터들을 포함하는 것이 특징인 반도체 메모리장치의 디코오더 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR8603882A 1985-05-20 1986-05-19 The decoder circuit of semiconductor memory device KR900001598B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60107826A JPS61265794A (ja) 1985-05-20 1985-05-20 半導体記憶装置のデコ−ダ回路
JP60-107826 1985-05-20

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR860009418A true KR860009418A (ko) 1986-12-22
KR900001598B1 KR900001598B1 (en) 1990-03-15

Family

ID=14469015

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR8603882A KR900001598B1 (en) 1985-05-20 1986-05-19 The decoder circuit of semiconductor memory device

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4730133A (ko)
EP (1) EP0202910B1 (ko)
JP (1) JPS61265794A (ko)
KR (1) KR900001598B1 (ko)
DE (1) DE3680822D1 (ko)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6366789A (ja) * 1986-09-09 1988-03-25 Mitsubishi Electric Corp Ｃｍｏｓ行デコ−ダ回路
US4851716A (en) * 1988-06-09 1989-07-25 National Semiconductor Corporation Single plane dynamic decoder
JP2555165B2 (ja) * 1988-10-27 1996-11-20 富士通株式会社 ナンド回路
US5157283A (en) * 1988-12-23 1992-10-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Tree decoder having two bit partitioning
JPH04184793A (ja) * 1990-11-20 1992-07-01 Nec Corp 半導体デコード装置
US5396459A (en) * 1992-02-24 1995-03-07 Sony Corporation Single transistor flash electrically programmable memory cell in which a negative voltage is applied to the nonselected word line
KR100281600B1 (ko) 1993-01-07 2001-03-02 가나이 쓰도무 전력저감 기구를 가지는 반도체 집적회로
US6384623B1 (en) * 1993-01-07 2002-05-07 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuits with power reduction mechanism
US7388400B2 (en) * 1993-01-07 2008-06-17 Elpida Memory, Inc. Semiconductor integrated circuits with power reduction mechanism
US5389836A (en) * 1993-06-04 1995-02-14 International Business Machines Corporation Branch isolation circuit for cascode voltage switch logic
US5995016A (en) * 1996-12-17 1999-11-30 Rambus Inc. Method and apparatus for N choose M device selection
CN104993574B (zh) * 2015-07-06 2017-06-06 上海巨微集成电路有限公司 一种适用于otp存储器的电源切换电路

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5931253B2 (ja) * 1972-08-25 1984-08-01 株式会社日立製作所 デプレツシヨン型負荷トランジスタを有するｍｉｓｆｅｔ論理回路
JPS50105031A (ko) * 1974-01-23 1975-08-19
JPS5625295A (en) * 1979-08-06 1981-03-11 Nec Corp Semiconductor device
JPS5979487A (ja) * 1982-10-27 1984-05-08 Nec Corp デコ−ダ回路
JPS59124092A (ja) * 1982-12-29 1984-07-18 Fujitsu Ltd メモリ装置

Also Published As

Publication number Publication date
US4730133A (en) 1988-03-08
EP0202910A3 (en) 1989-05-24
EP0202910B1 (en) 1991-08-14
JPS61265794A (ja) 1986-11-25
KR900001598B1 (en) 1990-03-15
DE3680822D1 (de) 1991-09-19
EP0202910A2 (en) 1986-11-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR930008859A (ko) 직류 전류를 제거한 데이타 출력 버퍼
KR930017305A (ko) 프로그램 가능한 구동력 특성을 갖춘 씨모스 게이트
KR910003940A (ko) 반도체집적회로
KR920020507A (ko) 반도체 집적 회로 장치
KR950012729A (ko) 반도체 집적회로 장치
KR850003617A (ko) 프로그램어블 리드-온리 메모리장치
KR860002150A (ko) Ic메모리칩내의 디코더 회로
KR900002558A (ko) 출력회로
KR870007509A (ko) 집적회로에서의 버퍼회로
KR860009418A (ko) 반도체 메모리 장치의 디코오더 회로
KR890010906A (ko) 스태틱 ram의 출력회로
KR910002127A (ko) 전원절환회로
KR890008837A (ko) 바이폴라 콤프리멘타리 금속산화막 반도체를 사용하는 논리회로와 그 논리회로를 갖는 반도체 메모리장치
KR960015581A (ko) 반도체 메모리장치의 구동회로
KR970051131A (ko) 반도체 메모리의 센스 앰프 출력 제어 회로
KR890013902A (ko) 디코오더 회로
KR900002323A (ko) 메모리 셀의 센스앰프 구동회로
KR920017123A (ko) Eeprom
KR860004380A (ko) 반도체 메모리 장치
KR870002596A (ko) 바이어스 전압 발생기를 포함하는 반도체 메모리 회로
KR880011805A (ko) 반도체 집적회로
KR970016535A (ko) 어드레스 디코더
KR870009398A (ko) 반도체 기억장치
KR920022298A (ko) 레벨 변환 출력 회로
KR880012012A (ko) 논리회로

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20040310

Year of fee payment: 15

LAPS Lapse due to unpaid annual fee