KR880011805A - 반도체 집적회로 - Google Patents

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KR880011805A
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료스케 마츠오
마사루 고야나기
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아오이 죠이치
가부시키가이샤 도시바
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Abstract

내용없음

Description

반도체 집적회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 반도체집적회로에서 입력회로의 제1실시예를 나타낸 회로도
제2도는 제1도에 도시한 입력회로의 입출력특성을 나타낸 도면
제3도는 제1도에 도시한 입력회로의 입력잡음과 임계치 전압사이의 관계를 나타낸 도면

Claims (9)

  1. 입력회로가 하나의 칩상에 내부회로 및 출력회로와 함께 형성되고 이들 입력회로와 내부회로 및 출력회로는 전원선에 공통으로 접속되며, 상기 입력회로가 전원전위 공급단자와 신호출력단자 사이에 배열된 부하회로와, 상기 신호출력단자와 접지전위공간 공급단자사이에 직렬로 접속되어 각각의 게이트로 입력신호가 공급되는 서로 동일 도전형인 제1, 제2FET, 일단이 상기 전원전위 공급단자에 접속되고 타단이 상기 제1, 제2FET의 직렬접속점에 접속되며 게이트가 상기 신호출력단자에 접속된 제3FET 및, 일단으로 소정의 전위가 공급되고 타단이 상기 제1, 제2FET의 직렬접속점에 접속되어 전원전위 공급선과 접지전위공급선의 전위가 상기 내부회로 또는 출력회로의 동작에 따라 변동될 때 제어신호에 의해 소정시간주기 동안 턴온되는 제4FET로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제4FET는 상기 출력회로의 출력버퍼가 구동된 후 소정의 시간주기 동안 턴온되는 것임을 특징으로 하는 반도체집적회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제4FET의 일단이 상기 전원전위 공급선에 접속되어 있음을 특징으로 하는 반도체집적회로.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제4FET의 일단이 상기 접지전위 공급선에 접속되어 있음을 특징으로 하는 반도체집적회로.
  5. 제3항에 있어서, 상기 반도체집적회로는 반도체메모리이고, 상기 입력회로로 입력되는 입력신호는 행어드레스스트로브신호인 것을 특징으로 하는 반도체집적회로.
  6. 제3항에 있어서, 상기 반도체집적회로는 반도체메모리이고, 상기 입력회로로 입력되는 입력신호는 열어드레스스트로브신호인 것을 특징으로 하는 반도체집적회로.
  7. 제3항에 있어서, 상기 반도체집적회로는 반도체메모리이고, 상기 입력회로로 입력되는 입력신호는 출력이네이블 신호인 것을 특징으로 하는 반도체집적회로.
  8. 제4항에 있어서, 상기 반도체집적회로는 반도체메모리이고, 상기 입력회로로 입력되는 입력신호는 기록이네이블신호인 것을 특징으로 하는 반도체메모리회로.
  9. 제1항에 있어서, 상기 입력회로에 제4FET가 추가되고, 상기 제4FET의 소오스 및 드레인 사이의 전류통로가 상기 제1, 제2FET의 접속점과 제4FET의 타근사이에 존재하게 됨을 특징으로 하는 반도체집적회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880003238A 1987-03-25 1988-03-25 쉬미트입력형 반도체집적회로 KR910003603B1 (ko)

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JP62-70766 1987-03-25
JP70766 1987-03-25

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KR910003603B1 KR910003603B1 (ko) 1991-06-07

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JPH0470805B2 (ko) 1992-11-12
KR910003603B1 (ko) 1991-06-07
US4893029A (en) 1990-01-09

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