KR950024349A - 외부 파워 서플라이의 전위에 의거하여 내부 파워 서플라이의 전위를 발생시키는 내부 파워 서플라이 회로 - Google Patents

외부 파워 서플라이의 전위에 의거하여 내부 파워 서플라이의 전위를 발생시키는 내부 파워 서플라이 회로 Download PDF

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Abstract

본 발명의 내부 파워 서플라이 회로(10)은 주 내부 파워 서플라이의 전위를 공급하는 회로(22), 두개의 보조 내부 파워 서플라이의 전위를 공급하는 회로(20과 18), 및 P채널 MOS 트랜지스터(9)를 구비한다. 내부 파워 서플라이의 전위를 공급하는 회로(22)는 외부 파워 서플라이의 전위(extVcc)에 의거하여 내부 파워 서플라이의 전위(extVcc)를 제1출력노드(12)에 공급된다.
하나의 보조 내부 파워 서플라이의 전위를 공급하는 회로(20)은 제어신호(01)에 응답하여 활성화되고, 일단 활성화되면, 제1출력노드(12)에 내부 파워 서플라이의 전위(extVcc)를 공급한다. 다른 보조 내부 파워 서플라이의 전위를 공급하는 회로(18)은 또다른 제어신호(02)에 응답하여 활성화되고, 일단 활성화되면, 제2출력노드(14)에 내부 파워 서플라이의 전위(extVcc)를 공급한다.
P채널 MOS트랜지스터(19)는 제1출력노드(12)와 제2출력노드(14) 사이에 접속되어 있다. P채널 MOS트랜지스터(19)는 제어신호(01)을 받는 게이트 단자를 가지고 있다.

Description

외부 파워 서플라이의 전위에 의거하여 내부 파워 서플라이의 전위를 발생시키는 내부 파워 서플라이 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 따른 내부 파워 서플라이 회로의 전체 구성을 도시한 회로도,
제2도 내지 제7도는 본 발명의 제2 내지 7실시예에 따른 파워 서플라이 회로의 전체 구성의 블럭도.

Claims (14)

  1. 외부 파워 서플라이의 전위(extVcc)에 의거하여 내부 파워 서플라이의 전위(intVcc)를 발생시키는 내부 파워 서플라이 회로에 있어서, 제1출력노드(12); 제2출력노드(14);상기 외부 파워 서플라이의 전위에 의거하여 상기 제1출력노드에 상기 내부 파워 서플라이의 전위를 공급하기 위한 주 내부 파워 서플라이 전위를 공급하는 수단(22); 상기 외부 파워 서플라이의 전위에 의거하여 상기 제1출력노드에 상기 내부 파워 서플라이의 전위를 선택적으로 공급하기 위한 제1보조 내부 파워 서플라이의 전위를 공급하는 수단(20); 제1보조 내부 파워 서플라이의 전위를 공급하는 수단이 상기 내부 파워 서플라이의 전위를 공급할 때에, 상기 외부 파워 서플라이의 전위에 의거하여 상기 제2출력노드에 상기 내부 파워 서플라이의 전위를 공급하기 위한 제2보조 내부 파워 서플라이의 전위를 공급하는 수단(18); 및 상기 제1과 2보조 내부 파워 서플라이의 전위를 공급하는 수단들이 상기 내부 파워 서플라이의 전위를 각각 공급할 때에 부도통되기 위하여 제1과 2출력노드들 사이에 접속되는 스위칭 수단(19)으로 구성되는 것을 특징으로 하는 내부 파워 서플라이 회로.
  2. 외부 파의 서플라이의 전위(extVcc)에 의거하여 내부 파워 서플라이의 전위보다 낮은 내부 파워 서플라이의 전위(intVcc)를 공급하는 내부 파워 서플라이 회로에 있어서, 제l출력노드(12); 제2출력노드(14); 상기 외부 파워 서플라이의 전위에 의거하여 상기 제1출력노드에 상기 내부 파워 서플라이의 전위를 공급하기 위한 주 내부 파워 서플라이 전위를 공급하는 수단(22); 상기 외부 파워 서플라이의 전위에 의거하여 상기 제1출력노드에 상기 내부 파워 서플라이의 전위를 공급하기 의하여 제1제어신호(01)에 응답하는 제1보조 내부 파워 서플라이의 전위를 공급하는 수단(20); 상기 외부 파워 서플라이의 전위에 의거하여 상기 제2출력노드에 상기 내부 파워 서플라이의 전위를 공급하기 위하여 제2제어신호에 응답하는 제2보조 내부 파워 서플라이의 전위를 공급하는 수단(18); 및 제1과 2 출력노드들 사이에 접속되고, 부도통되기 위하여 제1 및/또는 제2제어신호에 응답하는 스위칭 수단(19)으로 구성되는 것을 특징으로 하는 내부 파워 서플라이 회로.
  3. 반도체 메모리 장치의 주변회로와 센스 증폭기를 구동하는 회로를 위하여 외부 파워 서플라이의 전위(extVcc)에 의거하여 내부 파워 서플라이의 전위보다 낮은 내부 파워 서플라이의 전위(intVcc)를 발생시키는 내부 파워 서플라이 회로에 있어서, 상기 주변회로의 파워 서플라이 노드에 접속되는 제1출력노드(12); 상기 센스 증폭기를 구동하는 회로의 파워 서플라이 노드에 접속되는 제2출력노드(14); 상기 외부 파워 서플라이의 전위에 의거하여 상기 제1출력노드에 상기 내부 파워 서플라이의 전위를 공급하기 의한 주 내부 파워 서플라이 전위를 공급하는 수단(22); 상기 외부 파워 서플라이의 전위에 의거하여 상기 제1출력노드에 상기 내부 파워 서플라이의 전위를 공급하기 위하여 제1제어신호에 응답하는 제1보조 내부 파워 서플라이의 전위를 공급하는 수단(20); 상기 외부 파워 서플라이의 전위에 의거하여 상기 제2출력노드에 상기 내부 파워 서플라이의 전위를 공급하기 위하여 제1제어신호에 동기되어 있는 제2제어신호에 응답하는 제2보조 내부 파워 서플라이의 전위를 공급하는 수단(18); 및 상기 제1과 2 출력노드들 사이에 접속되고 부도통되기 위하여 상기 제1 및/또는 2 제어신호에 응답하는 스위칭 수단(19)으로 구성되는 것을 특징으로 하는 내부 파워 서플라이 회로.
  4. 제3항에 있어서, 상기 주 내부 파워 서플라이의 전위를 공급하는 수단이, 상기 외부 파워 서플라이의 전위가 공급되는 외부 파워 서플라이 노드와 상기 제1출력노드의 사이에 접속되는 제1구동 트랜지스터(32); 및 상기 제1출력노드의 전위가 상기 정 기준 전위보다 낮으면 상기 제1구동 트랜지스터를 도통되게 하고 상기 제1출력노드의 전위가 상기 정 기준 전위보다 늘으면 상기 제1구동 트랜지스터를 부도통되게 하기 위하여, 상기 제1출력노드의 전위를 외부에서 공급되는 정 기준 전위(constant reference voltage)(Vref)와 비교하는 제1비교 수단(30)을 구비하는 것을 특징으로 하는 내부 파워 서플라이 회로.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1보조 내부 파워 서플라이의 전위를 공급하는 수단이, 상기 외부 파워 서플라이 노드와 상기 제1출력노드 사이에 접속된 제2구동 트랜지스터(28); 상기 제1출력노드의 전위가 상기 정 기준 전위보다 낮으면 상기 제2구동 트랜지스터를 도통되게 하고 상기 제1출력노드의 전위가 상기 정 기준 전위보다 늘으면 상기 제1구동 트랜지스터를 부도통되게 하기 위하여, 상기 제1출력노드의 전위를 상기 정 기준 전위와 비교하기 위하여 상기 제1제어신호에 응답하는 제2비교수단(30); 및 상기 제2비교 수단이 활성화되어 있지 않을 때에, 상기 제2구동 트랜지스터를 부도통되게 하기 위한 수단(24)으로 구성되는 것을 특징으로 하는 내부 파워 서플라이 회로.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제2보조 내부 파워 서플라이의 전위를 공급하는 수단이, 외부 파의 서플라이 노드와 상기 제2출력노드 사이에 접속되는 제3구동 트랜지스터(38), 상기 제2출력노드의 전위가 상기 정 기준 전위보다 낮으면 상기 제3구동 트랜지스터를 도통되게 하고 상기 제2출력노드의 전위가 상기 정 기준 전위보다 늘으면 상기 제3구동 트랜지스터를 부도통되게 하기 위하여, 상기 제2출력노드의 전위를 상기 정 기준 전위와 비교하기 위한 제3비교 수단(36), 및 상기 제3비교 수단이 활성화되어 있지 않을 때에, 상기 제3구동 트랜지스터를 부도통되게 하기 위한 수단(34)을 구비하는 것을 특징으로 하는 내부 파워 서플라이 회로.
  7. 제3항에 있어서, 주 내부 파워 서플라이의 전위를 공급하는 수단이, 상기 외부 파워 서플라이의 전위가 공급되는 외부 파워 서플라이의 노드에 접속되는 소스 단자와 상기 출력노드에 접속되는 드레인 단자를 구비한 제1P채널 MOS 트랜지스터(32), 및 상기 제1P채널 MOS 트랜지스터의 게이트 단자에 출력 전위를 공급하기 위하여 상기 제1출력노드의 전위와 외부적으로 공급되는 정 기준 전위(Vref)의 차이를 증폭하기 위한 차등 증폭 수단(30)을 구비하는 것을 특징으로 하는 내부 파워 서플라이 회로.
  8. 제7항에 있어서, 보조 내부 파워 서플라이의 전위를 공급하는 수단이, 상기 외부 파워 서플라이 노드에 접속되는 소스 단자와 상기 제1출력노드에 접속되는 드레인 단자를 구비한 제2P채널 MOS 트랜지스터(28), 상기 제2P채널 MOS 트랜지스터의 게이트 단자에 출력 전위를 공급하기 의하여 상기 제1출력노드의 전위와 정 기준 전위(Vref)의 차이를 증폭하기 위한 상기 제1제어신호에 응답하는 차등 증폭 수단(26), 및 상기 외부 파워 서플라이의 노드에 접속되는 소스 단자와 상기 제2P채널 MOS 트랜지스터의 게이트 단자에 접속되는 드레인 단자와 상기 제1제어신호를 받는 게이트 단자가 았는 제3P채널 MOS 트랜지스터(24)를 구비하는 것을 특징으로 하는 내부 파워 서플라이 회로.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제2보조 내부 파워 서플라이의 전위를 공급하는 수단이, 상기 외부 파워 서플라이 노드에 접속되는 소스 단자와 상기 제2출력노드에 접속되는 드레인 단자가 있는 제4P채널 MOS 트랜지스터(38), 상기 제4P채널 MOS 트랜지스터의 게이트 단자에 출력 전위를 공급하기 위하여 상기 제2출력노드의 전위와 정 기준 전위(Vref)의 차이를 증폭하기 위한 상기 제2제어신호에 응답하는 차등 증폭 수단(36), 및 상기 외부 파워 서플라이의 노드에 접속되는 소스 단자와 상기 제4P채널 MOS 트랜지스터의 게이트 단자에 접속되는 드레인 단자와 상가 제2제어신호를 받는 게이트 단자가 있는 제4P채널 MOS 트랜지스터(34)를 구비하는 것을 특징으로 하는 내부 파워 서플라이 회로.
  10. 제3항에 있어서, 상기 스위칭 수단이, 상기 제1과 제2제어신호들을 받는 논리합(1ogical sum) 회로(54, 56), 및 상기 제1출력노드와 상기 제2출력노드 사이에 접속되고, 부도통되기 위하여 상기 논리합 회로로부터의 출력 신호에 응답하는 실렉티브(selective) 트랜지스터(52)를 구비하는 것을 특징으로 하는 내부 파워 서플라이 회로.
  11. 반도체 메모리 장치의 주변회로와 센스 증폭기를 구동하는 회로를 위하여 외부 파워 서플라이의 전위(extVcc)에 의거하여 내부 파워 서플라이의 전위보다 낮은 내부 파워 서플라이의 전위(intVcc)를 발생시키는 내부 파워 서플라이 회로에 있어서, 상기 주변회로의 파워 서플라이 노드에 접속되는 제1출력노드(12); 상기 센스 증폭기를 구동하는 회로의 파워 서플라이 노드에 접속되는 제2출력노드(14); 상기 외부 파워 서플라이의 전위에 의거하여 상기 제1출력노드에 상기 내부 파워 서플라이의 전위를 공급하기 위한 주 내부 파워 서플라이 전위를 공급하는 수단(22); 상기 외부 파워 서플라이의 전위에 의거하여 상기 제1출력노드에 상기 내부 파워 서플라이의 전위를 공급하기 위하여 제1제어신호에 응답하는 제1보조 내부 파워 서플라이의 전위를 공급하는 수단(20); 상기 외부 파워 서플라이의 전위에 의거하여 상기 제2출력노드에 상기 내부 파워 서플라이의 전위를 공급하기 위하여 제1제어신호에 동기되어 있는 제2제어신호에 응답하는 제2보조 내부 파워 서플라이의 전위를 공급하는 수단(18); 및 상기 제1출력노드에 접속되는 하나의 소스/드레인 단자와 그라운드 전위를 받는 게이트 단자가 있는 P채널 MOS 트랜지스터(82)로 구성되는 것을 특징으로 하는 내부 파워 서플라이 회로.
  12. 외부 파워 서플라이의 전위(extVcc)에 의거하여 내부 파워 서플라이의 전위보다 높은 내부 파워 서플라이의 전위(Vpp)를 발생시키는 내부 파워 서플라이 회로에 있어서, 제1출력노드(91); 제2출력노드(92); 상기 외부 파워 서플라이의 전위에 의거하여 상기 제1출력노드에 상기 내부 파워 서플라이의 전위를 공급하기 위한 주 내부 파워 서플라이 전위를 공급하는 수단(97); 상기 외부 파워 서플라이의 전위에 의거하여 상기 제1출력노드에 상기 내부 파워 서플라이의 전위를 공급하기 위하여 제1제어신호(01)에 응답하는 제1보조 내부 파워 서플라이의 전위를 공급하는 수단(96); 상기 외부 파워 서플라이의 전위에 의거하여 상기 제2출력노드에 상기 내부 파워 서플라이의 전위를 공급하기 위하여 제2제어신호에 응답하는 제2보조 내부 파워 서플라이의 전위를 공급하는 수단(94); 및 제1과 2출력노드들 사이에 접속되고, 부도통되기 위하여 제1제어신호 및/또는 특징으로 하는 내부 파워 서플라이 회로.
  13. 반도체 메모리 장치의 워드선 구동회로와 비트선 실렉팅 회로를 위하여 외부 파워 서플라이의 전위(extVcc)에 의거하여 내부 파워 서플라이의 전위보다 높은 내부 파워 서플라이의 전위(Vpp)를 발생시키는 내부 파워 서플라이 회로에 있어서, 상기 워드선 구동회로의 파워 서플라이 노드에 접속되는 제1출력노드(91); 상기 비트선 실렉팅 회로의 파워 서플라이 노드에 접속되는 제2출력노드(92); 상기 외부 파워 서플라이의 전위에 의거하여 상기 제1출력노드에 상기 내부 파워 서플라이의 전위를 공급하기 위한 주 내부 파워 서플라이 전위를 공급하는 수단(97); 상기 외부 파워 서플라이의 전위에 의거하여 상기 제2출력노드에 상기 내부 파워 서플라이의 전위를 공급하기 위하여 제2제어신호에 응답하는 제1보조 내부 파워 서플라이의 전위를 공급하는 수단(96); 상기 외부 파워 서플라이의 전위에 의거하여 상기 제2출력노드에 상기 내부 파워 서플라이의 전위를 공급하기 위하여 제1제어신호에 동기되어 있는 제2제어신호에 응답하는 제2보조 내부 파워 서플라이의 전위를 공급하는 수단(94); 및 상기 제1과 2출력노드들 사이에 접속되고 부도통되기 위하여 상기 제1및/또는 2제어신호에 응답하는 스위칭 수단(96)으로 구성되는 것을 특징으로 하는 내부 파워 서플라이 회로.
  14. 외부 파워 서플라이의 전위(extVcc)에 의거하여 내부 파워 서플라이의 전위(intVcc)를 발생시키는 내부 파워 서플라이 회로에 있어서, 제1출력노드(12); 제2출력노드(14); 상기 외부 파워 서플라이의 전위에 의거하여 상기 제1출력노드에 상기 내부 파워 서플라이의 전위를 공급하기 위한 주 내부 파워 서플라이 전위를 공급하는 수단(22); 상기 외부 파워 서플라이의 전위에 의거하여 상기 제1출력노드에 상기 내부 파워 서플라이의 전위를 선택적으로 공급하기 위한 제1보조 내부 파워 서플라이의 전위를 공급하는 수단(20); 상기 제1보조 내부 파워 서플라이의 전위를 공급하는 수단이 상기 내부 파워 서플라이의 전위룔 공급할 때에, 상기 외부 파워 서플라이의 전위에 의거하여 상기 제2출력노드에 상기 내부 파워 서플라이의 전위를 공급하기 위한 제2보조 내부 파워 서플라이의 전위를 공급하든 수단(48); 및 상기 제1과 2보조 내부 파워 서플라이의 전위를 공급하는 수단들 중에 어느 하나도 상기 내부 파워 서플라이의 전위를 공급하지 않을 때에 도통되기 위하여 제1과 2출력노드들 사이에 접속되는 스위칭 수단(19)으로 구성되는 것을 특징으로 하는 내부 파워 서플라이 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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