KR970029739A - 반도체 전위 공급 장치 및 이를 이용한 반도체 기억 장치 - Google Patents

반도체 전위 공급 장치 및 이를 이용한 반도체 기억 장치 Download PDF

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KR970029739A
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모토무 우키타
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키타오카 타카시
미쓰비시 덴키 가부시끼가이샤
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    • G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
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    • G—PHYSICS
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Abstract

본 발명은 제1전원 라인에 접속된 저항과 제2전원 라인에 접속된 정전압 트랜지스터 회로가 제1노드에 직렬접속되어 이루어진 정전압 회로 수단과, 상기 제1전원 라인에 접속되어 제어 전극에 상기 제1노드로부터의 전위를 공급하는 제1트랜지스터 회로와, 상기 제2전원 라인에 접속된 저항이 제2노드에 직렬 접속되어 이루어진 입력 회로 수단과, 상기 제1전원 라인과, 외부에 전위를 공급하는 제3노드 사이에 접속되어 제어 전극에 상기 제2노드로부터의 전위를 공급하는 제2트랜지스터 회로와 이 제2트랜지스터 회로에 병렬 접속된 제3트랜지스터 회로를 갖는 출력 회로 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 전위 공급 장치 및 이를 이용한 반도체 기억 장치를 제공한다.

Description

반도체 전위 공급 장치 및 이를 이용한 반도체 기억 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 전위 공급 장치 및 이를 이용한 반도체 기억 장치의 회로도.
제2도는 본 발명의 제1실시예 따른 장치의 동작을 설명하기 위한 도면.
제14도는 종래의 반도체 전위 공급장치의 회로도.
제15도는 종래의 반도체 전위 공급 장치의 동작을 설명하기 위한 도면.

Claims (3)

  1. 제1전원 라인에 접속된 저항과 제2전원 라인에 접속된 정전압 트랜지스터 회로가 제1노드에 직렬 접속돐어 이루어진 정전압 회로 수단과; 상기 제1전원 라인에 접속되어 제어 전극에 상기 제1노드로부터의 전위를 공급하는 제1트랜지스터 회로와, 상기 제2전원 라인에 접속된 저항이 제2노드에 직렬 접속되어 이루어진 입력회로 수단과; 상기 제1전원 라인과, 외부에 전위를 공급하는 제3노드 사이에 접속되어 제어 전극에 상기 제2노드로부터의 전위를 공급하는 제2트랜지스터 회로와 이 제2트랜지스터 회로에 병렬 접속된 제3트랜지스터 회로를 갖는 출력 회로 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 전위 공급 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 정전압 트랜지스터 회로는 게이트와 드레인이 단락된 하나 이상의 MOS 트랜지스터가 직렬 접속되어 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 전위 공급 장치.
  3. 제1전원 라인에 접속된 저항과 제2전원 라인에 접속된 정전압 트랜지스터 회로가 제1노드에 직렬 접속되어 이루어진 정전압 회로 수단과; 상기 제1전원 라인에 접속되어 제어 전극에 상기 제1노드로부터의 전위를 공급하는 제1트랜지스터 회로와 상기 제2진원 라인에 접속된 저항이 제2노드에 직렬 접속되어 이루어진 입력회로 수단과; 상기 제1전원 라인과 제3노드 사이에 접속되어 제어 전극에 상기 제2노드로부터의 전위를 공급하는 제2트랜지스터 회로와 이 제2트랜지스터 회로에 병렬 접속된 제3트랜지스터 회로를 갖는 출력 회로 수단과; 상기 제3노드에 접속되어 전위를 공급받는 반도체 기억 회로부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
    ※ 참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960040094A 1995-11-16 1996-09-16 반도체 전위 공급 장치 및 이를 이용한 반도체 기억 장치 KR100248172B1 (ko)

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