KR960043513A - 반도체 장치의 파워-업 리세트 신호 발생 회로 - Google Patents

반도체 장치의 파워-업 리세트 신호 발생 회로 Download PDF

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Abstract

1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술 분야
고밀도의 집적화를 위해 반도체 장치내 엔모오스 트랜지스터의 문턱전압이 낮아지는 경우에도 정확한 리세트 신호를 발생할 수 있도록 개량한 파워-업 리세트 신호 발생회로에 관한 기술이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
반도체 장치내의 엔모오스 트랜지스터의 기판에 백 바이어스가 인가되지 않는 저전압의 영역에서 상기 엔모오스 트랜지스터의 문턱전압 Vtn이 낮은 경우에도 반도체 장치의 파워-업 리세트신호를 정확히 발생할 수 있는 회로를 제공한다.
3. 발명의 해결방법의 요지
반도체 공정에 따라 엔모오스 트랜지스터의 문턱전압이 낮아지는 경우, 엔모오스 트랜지스터의 기판에 공급되는 백 바이어스 전압이 발생되기 전까지 리세트 신호를 발생하는 피모오스 트랜지스터를 구동한다. 그리고, 상기 백 바이어스 전압이 발생되면 상기 리세트신호 출력용 트랜지스터에 접속된 리세트신호 차단용 피모오스 트랜지스터를 구동하여 출력을 풀다운시킨다.
4. 발명의 중요한 용도.
반도체 장치의 초기화 회로.

Description

반도체 장치의 파워-업 리세트 신호 발생 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 파워-업 리세트 신호 발생 회로도이다.

Claims (8)

  1. 제1채널형의 모오스 트랜지스터와 제2채널형의 모오스 트랜지스터를 포함하여 갖는 반도체 장치의 파워-업 리세트신호 발생회로에 있어서, 제1채널 모오스 트랜지스터의 제1문턱전압과 제2채널 모오스 트랜지스터의 제2문턱전압 합의 레벨 보다 높은 제1전원전압의 입력에 응답하는 백바이어스 전압을 상기 제2채널 트랜지스터의 기판에 공급하는 백 바이어스 전압 발생 수단과, 기준전압과, 제1전원전압의 입력단자 사이에 접속되어 상기 제1전원 전압이 제1문턱전압 이상의 레벨로 상승될때 상승되는 파워-업 제어신호를 발생하는 풀업수단과, 상기 파워-업 제어신호의 초기의 입력에 응답하여 상기 제1전원전압을 리세트 신호로서 출력하는 제1채널형의 제1모오스 트랜지스터와, 상기 리세트 신호 출력단자와 상기 기준전압단자의 사이에 접속되어 있으며 상기 백 바이어스의 전압의 입력에 응답하여 상기 리세트신호의 출력을 차단하는 리세트신호 출력제어수단으로 구성함을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 파워-업 리세트 신호 발생회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 풀업제어수단은, 상기 제1전원전압에 소오스가 접속되고 게이트와 드레인은 상기 기준전압에 일측이 접속된 저항의 타측의 내부 노드에 공통접속되어진 제1채널형의 제2모오스 트랜지스터임을 특징으로 하는 반도체 장치의 파워-업 리세트 신호 발생회로.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1전원전압과 리세트신호 출력 노드 각각에 소오스와 드레인이 접속되며 상기 내부 노드로부터 게이트로 입력되는 파워-업 제어신호에 응답하여 리세트신호를 출력하는 피모오스 트랜지스터임을 더 포함함을 특징으로 하는 반도체 장치의 파워-업 리세트 신호 발생회로.
  4. 제3항에 있어서, 상기 리세트신호 출력제어수단은, 상기 리세트 신호 출력 단자와 기준전원에 소오스와드레인이 접속되고, 상기 백 바이어스 전압이 게이트로 입력시에 응답하여 상기 출력 노드의 전압을 상기 기준전압의 레벨로 풀다운하는 제1채널형의 제3모오스 트랜지스터임을 특징으로 하는 반도체 장치의 파워-업 리세트 신호 발생회로.
  5. 제1항 내지 제4항 중의 어느 하나의 항에 있어서, 상기 리세트 신호 출력단자에는 리세트신호의 출력을 반도체 장치 내부의 회로로 버퍼링하기 위한 인버터가 적어도 하나 이상 접속됨을 특징으로 하는 반도체 장치의 파워-업 리세트 신호 발생회로.
  6. 제4항에 있어서, 상기 제3모오스 트랜지스터의 소오스와 드레인에 드레인과 소오스간의 패스가 접속되고, 상기 내부 노드의 전압을 게이트로 입력하는 제2채널형의 제4모오스 트랜지스터가 더 접속됨을 특징으로 하는 반도체 장치의 파워-업 리세트 신호 발생회로.
  7. 제4항 또는 제6에 있어서, 내부 노드의 전압 증가에 응답하여 상기 제3모오스 트랜지스터의 드레인으로부터 상기 기준전압의 사이에 드레인-소오스의 패스가 형성되고, 상기 내부 노드의 전압을 게이트로 입력하는제2채널형이 제5모오스 트랜지스터가 더 접속됨을 특징으로 하는 반도체 장치의 파워-업 리세트 신호 발생회로.
  8. 제6항에 있어서, 상기 제4모오스 트랜지스터의 채널 길이는 반도체 장치내에서 이웃하는 제2채널형의 모오스 트랜지스터의 채널 길이보다 적어도 15배 이상임을 특징으로 하는 반도체 장치의 파워-업 리세트 신호발생회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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