KR940023028A - 금속 산화물 반도체(mos) 트랜지스터를 이용한 전압/전류 변환 회로 - Google Patents
금속 산화물 반도체(mos) 트랜지스터를 이용한 전압/전류 변환 회로 Download PDFInfo
- Publication number
- KR940023028A KR940023028A KR1019940006352A KR19940006352A KR940023028A KR 940023028 A KR940023028 A KR 940023028A KR 1019940006352 A KR1019940006352 A KR 1019940006352A KR 19940006352 A KR19940006352 A KR 19940006352A KR 940023028 A KR940023028 A KR 940023028A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- transistor
- drain
- voltage
- current
- source
- Prior art date
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract 7
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 title 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 title 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
- G05F1/10—Regulating voltage or current
- G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
- G05F1/56—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices
- G05F1/561—Voltage to current converters
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/34—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled
- H03F3/343—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only
- H03F3/345—DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only with field-effect devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
Abstract
본 발명은 전압/전류 변환 회로에 관한 것인데, 이는 입력 단자에 접속된 게이트를 갖는 소오스-접지형의 MOS 트랜지스터, 이 트랜지스터의 드레인 전류에 따라 출력 단자에서 출력 전류를 생성한는 출력회로, 및 상기 트랜지스터가 비포화(3극관)영역에서 동작할 수 있는 값으로 트랜지스터의 드레인 전압을 유지하는 제어회로를 포함한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 제1실시예를 도시한 회로도, 제2도는 본 발명에 따른 제1실시예를 도시한 회로도.
Claims (10)
- 신호 전압이 공급되는 입력 단자에 접속된 게이트를 갖는 소오스-접지형의 제1트랜지스터; 출력단자; 상기 제1트랜지스터와 상기 출력 단자에 결합되어 상기 제1트랜지스터의 드레인 전류를 상기 출력단자로 유도하는 출력 회로; 및 상기 제1트랜지스터에 결합되어, 상기 제1트랜지스터의 드레인 전압을 상기 제1트랜지스터가 비포화 영역에서 동작할 수 있도록 하는 값으로 유지하기 위한 제어 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압/전류 변환 회로.
- 제1항에 있어서, 상기 출력 회로가 상기 제1트랜지스터의 드레인에 접속된 소오스를 갖는 제2트랜지스터를 포함하고; 상기 제어 회로가 상기 제2트랜지스터의 게이트 및 소오스에 각각 접속된 드레인 및 게이트를 갖는 소오스-접지형의 제3트랜지스터, 비포화 영역에서 동작하는 제4트랜지스터, 및 상기 제3트랜지스터의 드레인에 상기 제4트랜지스터의 드레인 전류에 비례하는 전류를 공급하기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 전압/전류 변환 회로.
- 제2항에 있어서, 상기 출력 회로가 상기 제2트랜지스터의 드레인에 접속된 입력 노드, 및 상기 출력 단자에 접속된 출력 노드를 갖는 전류 미러 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전압/전류 변환 회로.
- 전압 입력 단자에 접속된 게이트를 갖는 소오스-접지형의 제1트랜지스터; 소오스-접지형의 제2트랜지스터; 상기 제2트랜지스터가 비포화 영역에서 동작하도록 상기 제2트랜지스터를 제어하기 위한 제어수단; 상기 제1트랜지스터를 비포화 영역에서 동작시키도록 상기 제2트랜지스터의 드레인 전압에 비례하는 선정된 전압으로 상기 제1트랜지스터의 드레인을 바이어스시키기 위한 바이어스 수단; 및 상기 제1트랜지스터의 드레인 전류에 따라 출력 전류를 유도하기 위해 상기 제1트랜지스터에 결합된 출력 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 전압/전류 변환 회로.
- 제4항에 있어서, 상기 제어수단이 상기 제2트랜지스터의 게이트와 소오스 사이에 바이서스 전압을 공급하기 위한 수단, 및 상기 제2트랜지스터가 상기 바이어스 전압에 따라 생성할 수 있는 전류보다 작은 전류를 상기 제2트랜지스터에 공급하기 위한 수단을 포함하고; 상기 바이어스 수단이 상기 제2트랜지스터의 드레인 전압을 제1전류로 변환하기 위한 제1변환 수단, 상기 제1전류를 제1전압으로 변환하기 위한 제2변환수단, 및 상기 제1전압을 상기 제1트랜지스터의 드레인에 상기 선정된 전압으로서 공급하기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 전압/전류 변환 회로.
- 제5항에 있어서, 상기 제1변환수단이 상기 제2트랜지스터의 드레인에 접속된 게이트를 갖는 소오스-접지형의 제3트랜지스터를 포함하고; 상기 제2변환 수단이 상기 제1트랜지스터의 드레인에 접속된 게이트를 갖는 소오스-접지형의 제4트랜지스터를 포함하며; 상기 제3트랜지스터거 상기 제4트랜지스터에 드레인 전류로서 공급되는 드레인 전류를 생성하는 것을 특징으로 하는 전압/전류 변환 회로.
- 제6항에 있어서, 상기 출력 수단이 상기 제4트랜지스터의 드레인 및 게이트에 각각 접속되 게이트 및 소오스를 갖는 제5트랜지스터를 포함하고; 상기 출력 전류가 상기 제5트랜지스터를 통해 유도되는 것을 특징으로 하는 전압/전류 변환 회로.
- 입력 단자에 접속된 게이트를 갖는 소오스-접지형의 제1트랜지스터; 상기 제1트랜지스터의 드레인에 접속된 게이트를 갖는 소오스-접지형의 제2트랜지스터; 상기 제2트랜지스터의 드레인에 접속된 게이트, 상기 제1트랜지스터의 드레인에 접속된 소오스, 및 출력 단자에 접속된 드레인을 갖는 제3트랜지스터; 정전압이 공급되는 게이트를 갖는 소오스-접지형의 제4트랜지스터; 상기 제4트랜지스터의 드레인에 접속된 게이트를 갖는 소오스-접지형의 제5트랜지스터; 및 상기 제5트랜지스터의 드레인에 접속된 입력 노드, 및 상기 제2트랜지스터의 드레인에 접속된 출력 노드를 갖는 전류 미러 회로를 포함하고 상기 제1 및 제4트랜지스터들이 비포화 영역에서 동작하는 것을 특징으로 하는 전압/전류 변환 회로.
- 제8항에 있어서, 상기 제1, 제2, 제4 및 제5트랜지스터들 각각이 상기 제3트랜지스터의 임계전압보다 작은 임계 전압을 갖는 것을 특징으로 하는 전압/전류 변환 회로.
- 제8항에 있어서, 상기 제1 내지 제5트랜지스터들이 서로 동일한 임계 전압들을 갖는 것을 특징으로 하는 전압/전류 변환 회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5071387A JP2560542B2 (ja) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | 電圧電流変換回路 |
JP93-071387 | 1993-03-30 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR940023028A true KR940023028A (ko) | 1994-10-22 |
KR0132646B1 KR0132646B1 (ko) | 1998-10-01 |
Family
ID=13459055
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019940006352A KR0132646B1 (ko) | 1993-03-30 | 1994-03-29 | 금속 산화물 반도체 트랜지스터를 이용한 전압/전류 변환 회로 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5448190A (ko) |
EP (1) | EP0618674B1 (ko) |
JP (1) | JP2560542B2 (ko) |
KR (1) | KR0132646B1 (ko) |
DE (1) | DE69421956T2 (ko) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2701710B2 (ja) * | 1993-11-29 | 1998-01-21 | 日本電気株式会社 | 多値電圧源回路 |
EP0720078B1 (en) * | 1994-12-30 | 1999-04-28 | Co.Ri.M.Me. | Threshold voltage extracting method and circuit using the same |
US5578943A (en) * | 1995-01-05 | 1996-11-26 | Bell-Northern Research Ltd. | Signal transmitter and apparatus incorporating same |
US5570049A (en) * | 1995-05-30 | 1996-10-29 | Exar Corporation | Transconductor element for high speed GM-C integrated filters |
US5680348A (en) * | 1995-12-01 | 1997-10-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Power supply independent current source for FLASH EPROM erasure |
EP1277276A1 (en) | 2000-03-31 | 2003-01-22 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Electronic circuit for providing a desired common mode voltage to a differential output of an amplifier stage |
US6469548B1 (en) * | 2001-06-14 | 2002-10-22 | Cypress Semiconductor Corp. | Output buffer crossing point compensation |
KR100882312B1 (ko) * | 2005-11-17 | 2009-02-10 | 주식회사 엘지화학 | 1,2-디클로로에탄의 열분해에 의한 염화비닐의 제조장치 및이를 이용한 염화비닐의 제조방법 |
JP4714299B1 (ja) | 2010-10-14 | 2011-06-29 | 彰 福島 | 音響用擬似三極管特性増幅装置および音響用擬似三極管特性プッシュプル増幅装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS564905A (en) * | 1979-06-27 | 1981-01-19 | Toshiba Corp | Voltage-current converting circuit |
CA1154104A (en) * | 1980-09-26 | 1983-09-20 | Satwinder D.S. Malhi | Biasing arrangements for electronic circuits |
JPS57172592A (en) * | 1981-04-17 | 1982-10-23 | Toshiba Corp | Nonvolatile semiconductor storage device |
JPS59221014A (ja) * | 1983-05-30 | 1984-12-12 | Sony Corp | 電圧電流変換回路 |
DE68910428T2 (de) * | 1988-08-19 | 1994-05-11 | Philips Nv | Spannungs-/Stromwandler. |
US4961046A (en) * | 1988-08-19 | 1990-10-02 | U.S. Philips Corp. | Voltage-to-current converter |
NL9000326A (nl) * | 1989-05-08 | 1990-12-03 | Philips Nv | Versterkerschakeling. |
JP2799535B2 (ja) * | 1992-10-16 | 1998-09-17 | 三菱電機株式会社 | 基準電流発生回路 |
-
1993
- 1993-03-30 JP JP5071387A patent/JP2560542B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-03-18 US US08/214,490 patent/US5448190A/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-03-24 DE DE69421956T patent/DE69421956T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-03-24 EP EP94302129A patent/EP0618674B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-03-29 KR KR1019940006352A patent/KR0132646B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0618674A3 (en) | 1995-11-08 |
JPH06283944A (ja) | 1994-10-07 |
DE69421956D1 (de) | 2000-01-13 |
DE69421956T2 (de) | 2000-03-30 |
US5448190A (en) | 1995-09-05 |
EP0618674A2 (en) | 1994-10-05 |
KR0132646B1 (ko) | 1998-10-01 |
EP0618674B1 (en) | 1999-12-08 |
JP2560542B2 (ja) | 1996-12-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR900010531A (ko) | 정전류원 회로 | |
KR930020835A (ko) | 증가-공핍 모드 캐스코드(cascode) 전류 미러 | |
KR980004992A (ko) | 전류/전압 변화기와 이를 이용하는 센스 증폭기 및 센싱방법 | |
KR970063901A (ko) | 연산증폭회로 | |
KR970008162A (ko) | 저소비전력의 내부전원회로 | |
KR960032880A (ko) | 차동증폭기 | |
KR950010340A (ko) | 정 전류 발생 장치 | |
KR930009245A (ko) | 리셋기능을 가지는 고속 임계치(문턱값) 교차 검출기 | |
KR960032900A (ko) | 반도체 집적회로용 입력 버퍼 회로 | |
KR960039603A (ko) | 전위-전류 변환기 | |
KR940020668A (ko) | 조절된 캐스코드 이득 증대를 위한 궤환 증폭기(Feedback Amplifier for Regulated Cascode Gain Enhancement) | |
KR970055264A (ko) | 차동 증폭기 | |
KR920020497A (ko) | 센스 앰프 회로를 갖는 반도체 ic장치 | |
US5440272A (en) | Differential amplifier | |
KR940023028A (ko) | 금속 산화물 반도체(mos) 트랜지스터를 이용한 전압/전류 변환 회로 | |
KR940020189A (ko) | 캐스코드 전류 미러가 포함된 집적 회로 | |
US6677810B2 (en) | Reference voltage circuit | |
KR890013769A (ko) | 중간전위생성회로 | |
KR880002318A (ko) | 리카버리 타임을 단축 개선한 차동 증폭기 회로 | |
KR970029739A (ko) | 반도체 전위 공급 장치 및 이를 이용한 반도체 기억 장치 | |
KR940012851A (ko) | 차동 전류원 회로 | |
KR950016002A (ko) | 3치 입력 버퍼 회로 | |
KR940025203A (ko) | 통신기 | |
KR900011132A (ko) | 전류미러(current mirror) | |
KR970024562A (ko) | 고속 cmos 전하 펌프의 전류부정합 보상 회로 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20011205 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |