KR940023028A - 금속 산화물 반도체(mos) 트랜지스터를 이용한 전압/전류 변환 회로 - Google Patents

금속 산화물 반도체(mos) 트랜지스터를 이용한 전압/전류 변환 회로 Download PDF

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KR940023028A
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세끼모또 타다히로
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Abstract

본 발명은 전압/전류 변환 회로에 관한 것인데, 이는 입력 단자에 접속된 게이트를 갖는 소오스-접지형의 MOS 트랜지스터, 이 트랜지스터의 드레인 전류에 따라 출력 단자에서 출력 전류를 생성한는 출력회로, 및 상기 트랜지스터가 비포화(3극관)영역에서 동작할 수 있는 값으로 트랜지스터의 드레인 전압을 유지하는 제어회로를 포함한다.

Description

금속 산화물 반도체(MOS) 트랜지스터를 이용한 전압/전류 변환 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 제1실시예를 도시한 회로도, 제2도는 본 발명에 따른 제1실시예를 도시한 회로도.

Claims (10)

  1. 신호 전압이 공급되는 입력 단자에 접속된 게이트를 갖는 소오스-접지형의 제1트랜지스터; 출력단자; 상기 제1트랜지스터와 상기 출력 단자에 결합되어 상기 제1트랜지스터의 드레인 전류를 상기 출력단자로 유도하는 출력 회로; 및 상기 제1트랜지스터에 결합되어, 상기 제1트랜지스터의 드레인 전압을 상기 제1트랜지스터가 비포화 영역에서 동작할 수 있도록 하는 값으로 유지하기 위한 제어 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압/전류 변환 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 출력 회로가 상기 제1트랜지스터의 드레인에 접속된 소오스를 갖는 제2트랜지스터를 포함하고; 상기 제어 회로가 상기 제2트랜지스터의 게이트 및 소오스에 각각 접속된 드레인 및 게이트를 갖는 소오스-접지형의 제3트랜지스터, 비포화 영역에서 동작하는 제4트랜지스터, 및 상기 제3트랜지스터의 드레인에 상기 제4트랜지스터의 드레인 전류에 비례하는 전류를 공급하기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 전압/전류 변환 회로.
  3. 제2항에 있어서, 상기 출력 회로가 상기 제2트랜지스터의 드레인에 접속된 입력 노드, 및 상기 출력 단자에 접속된 출력 노드를 갖는 전류 미러 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전압/전류 변환 회로.
  4. 전압 입력 단자에 접속된 게이트를 갖는 소오스-접지형의 제1트랜지스터; 소오스-접지형의 제2트랜지스터; 상기 제2트랜지스터가 비포화 영역에서 동작하도록 상기 제2트랜지스터를 제어하기 위한 제어수단; 상기 제1트랜지스터를 비포화 영역에서 동작시키도록 상기 제2트랜지스터의 드레인 전압에 비례하는 선정된 전압으로 상기 제1트랜지스터의 드레인을 바이어스시키기 위한 바이어스 수단; 및 상기 제1트랜지스터의 드레인 전류에 따라 출력 전류를 유도하기 위해 상기 제1트랜지스터에 결합된 출력 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 전압/전류 변환 회로.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제어수단이 상기 제2트랜지스터의 게이트와 소오스 사이에 바이서스 전압을 공급하기 위한 수단, 및 상기 제2트랜지스터가 상기 바이어스 전압에 따라 생성할 수 있는 전류보다 작은 전류를 상기 제2트랜지스터에 공급하기 위한 수단을 포함하고; 상기 바이어스 수단이 상기 제2트랜지스터의 드레인 전압을 제1전류로 변환하기 위한 제1변환 수단, 상기 제1전류를 제1전압으로 변환하기 위한 제2변환수단, 및 상기 제1전압을 상기 제1트랜지스터의 드레인에 상기 선정된 전압으로서 공급하기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 전압/전류 변환 회로.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제1변환수단이 상기 제2트랜지스터의 드레인에 접속된 게이트를 갖는 소오스-접지형의 제3트랜지스터를 포함하고; 상기 제2변환 수단이 상기 제1트랜지스터의 드레인에 접속된 게이트를 갖는 소오스-접지형의 제4트랜지스터를 포함하며; 상기 제3트랜지스터거 상기 제4트랜지스터에 드레인 전류로서 공급되는 드레인 전류를 생성하는 것을 특징으로 하는 전압/전류 변환 회로.
  7. 제6항에 있어서, 상기 출력 수단이 상기 제4트랜지스터의 드레인 및 게이트에 각각 접속되 게이트 및 소오스를 갖는 제5트랜지스터를 포함하고; 상기 출력 전류가 상기 제5트랜지스터를 통해 유도되는 것을 특징으로 하는 전압/전류 변환 회로.
  8. 입력 단자에 접속된 게이트를 갖는 소오스-접지형의 제1트랜지스터; 상기 제1트랜지스터의 드레인에 접속된 게이트를 갖는 소오스-접지형의 제2트랜지스터; 상기 제2트랜지스터의 드레인에 접속된 게이트, 상기 제1트랜지스터의 드레인에 접속된 소오스, 및 출력 단자에 접속된 드레인을 갖는 제3트랜지스터; 정전압이 공급되는 게이트를 갖는 소오스-접지형의 제4트랜지스터; 상기 제4트랜지스터의 드레인에 접속된 게이트를 갖는 소오스-접지형의 제5트랜지스터; 및 상기 제5트랜지스터의 드레인에 접속된 입력 노드, 및 상기 제2트랜지스터의 드레인에 접속된 출력 노드를 갖는 전류 미러 회로를 포함하고 상기 제1 및 제4트랜지스터들이 비포화 영역에서 동작하는 것을 특징으로 하는 전압/전류 변환 회로.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제1, 제2, 제4 및 제5트랜지스터들 각각이 상기 제3트랜지스터의 임계전압보다 작은 임계 전압을 갖는 것을 특징으로 하는 전압/전류 변환 회로.
  10. 제8항에 있어서, 상기 제1 내지 제5트랜지스터들이 서로 동일한 임계 전압들을 갖는 것을 특징으로 하는 전압/전류 변환 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940006352A 1993-03-30 1994-03-29 금속 산화물 반도체 트랜지스터를 이용한 전압/전류 변환 회로 KR0132646B1 (ko)

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