KR970063901A - 연산증폭회로 - Google Patents

연산증폭회로 Download PDF

Info

Publication number
KR970063901A
KR970063901A KR1019970005369A KR19970005369A KR970063901A KR 970063901 A KR970063901 A KR 970063901A KR 1019970005369 A KR1019970005369 A KR 1019970005369A KR 19970005369 A KR19970005369 A KR 19970005369A KR 970063901 A KR970063901 A KR 970063901A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mos transistor
channel mos
voltage
gate
input terminal
Prior art date
Application number
KR1019970005369A
Other languages
English (en)
Inventor
도시미 야마다
히사오 오따께
Original Assignee
사와무라 시꼬
오끼덴끼고오교 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 사와무라 시꼬, 오끼덴끼고오교 가부시끼가이샤 filed Critical 사와무라 시꼬
Publication of KR970063901A publication Critical patent/KR970063901A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/30—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor
    • H03F3/3001—Single-ended push-pull [SEPP] amplifiers; Phase-splitters therefor with field-effect transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/32—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
    • H03F1/3217—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion in single ended push-pull amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45—Differential amplifiers
    • H03F3/45071—Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/45179—Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using MOSFET transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/4521—Complementary long tailed pairs having parallel inputs and being supplied in parallel

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

크로스오버 왜곡이 발생하지 않는, 저전력전압하에서 고부하를 구동할 수 있는 연산증폭회로는 제1차동증폭회로, 제2차동증폭회로, 제1레벨시프트 회로, 제2레벨 시프트 회로, 제1전류원, 제2전류원 및 출력회로를 구비한다. 제1차동증폭회로는 게이트가 제1입력단자에 접속된 N채널 MOS 트랜지스터를 갖고 제1입력단자와 제2입력단자간의 전위차에 따른 전압을 출력한다. 제2차동증폭회로는 게이트가 제1입력단자에 접속된 P채널 MOS트랜지스터와 게이트가 제2입력단자에 접속된 P 채널 MOS 트랜지스터를 갖고 제1입력단자와 제2입력단자간의 전위차에 따른 전압을 출력한다. 제1레벨 시프트 회로는 게이트에 제1차동증폭회로로부터 출력된 전압이 인가되는 P채널 MOS트랜지스터와 N채널 MOS 트랜지스터를 갖고 P채널 MOS 트랜지스터에 인가된 전압의 레벨을 시프트하여 얻은 전압을 출력한다. 제2레벨 시프트 회로는 게이트에 제2차동증폭회로로부터 출력된 전압이 인가되는 N채널 MOS 트랜지스터와 P채널 MOS 트랜지스터를 갖고 N채널 MOS 트랜지스터에 인가된 전압이 레벨을 시프트하여 얻은 전압을 출력한다. 제1전류원은 제1소정 레벨 전류를 제1레벨 시프트 회로의 N채널 MOS 트랜지스터에 공급한다. 출력회로는 게이트에 제1레벨 시프트 회로로부터 출력된 전압이 인가되는 P채널 MOS 트랜지스터와 게이트에 제2레벨 시프트 회로로부터 출력된 전압이 인가되는 N채널 MOS 트랜지스터를 갖고 양 트랜지스터의 상태들에 따른 전압을 출력한다.

Description

연산증폭회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 1실시예에 따른 연산증폭회로의 구조를 도시한 회로도.

Claims (4)

  1. 게이트가 제1입력단자에 접속된 N채널 MOS 트랜지스터와 게이트가 제2입력단자에 접속된 N채널 MOS 트랜지스터를 갖고 상기 제1입력단자와 상기 제2입력단자간의 전위차에 따른 전압을 출력하는 제1차동증폭회로, 게이트가 상기 제1입력단자에 접속된 P채널 MOS트랜지스터와 게이트가 상기 제2입력단자에 접속된 P 채널 MOS 트랜지스터를 갖고 상기 제1입력단자와 상기 제2입력단자간의 상기 전위차에 따른 전압을 출력하는 제2차동증폭회로, 게이트에 상기 제1차동증폭회로로부터 출력된 전압이 인가되는 P채널 MOS 트랜지스터와 N채널 MOS 트랜지스터를 갖고 P채널 MOS 트랜지스터에 인가된 전압의 레벨을 시프트하여 얻은 전압을 출력하는 제1레벨 시프트회로, 게이트에 상기 제2차동증폭회로로부터 출력된 전압이 인가되는 N채널 MOS 트랜지스터와 P채널 MOS 트랜지스터를 갖고 N채널 MOS 트랜지스터에 인가된 전압의 레벨을 시프트하여 얻은 전압을 출력하는 제2레벨 시프트 회로, 제1소정 레벨 전류를 상기 제1레벨 시프트 회로의 N채널 MOS 트랜지스터에 공급하는 제1전류원, 제2소정 레벨 전류를 상기 제2레벨 시프트 회로의 P채널 MOS 트랜지스터에 공급하는 제2전류원, 게이트에 상기 제1레벨 시프트 회로로부터 출력된 전압이 인가되는 P채널 MOS 트랜지스터와 게이트에 상기 제2레벨 시프트 회로로부터 출력된 전압이 인가되는 N채널 MOS 트랜지스터를 갖고 상기 P채널 MOS 트랜지스터와 상기 N채널 MOS 트랜지스터의 상태들에 따른 전압을 출력하는 출력회로로 이루어지는 것을 특징으로 하는 연산증폭회로.
  2. 게이트가 제1입력단자에 접속된 N채널 MOS 트랜지스터와 게이트가 제2입력단자에 접속된 N채널 MOS 트랜지스터를 갖고 상기 제1입력단자와 상기 제2입력단자간의 전위차와 동일 위상을 갖는 전압을 상기 전위차에 따라 출력하는 제1차동증폭회로, 게이트가 상기 제1입력단자에 접속된 N채널 MOS트랜지스터와 게이트가 상기 제2입력단자에 접속된 N 채널 MOS 트랜지스터를 갖고 상기 제1입력단자와 상기 제2입력단자간의 전위차와 반대 위상을 갖는 전압을 상기 전위차에 따라 출력하는 제2차동증폭회로, 게이트에 상기 제1차동증폭회로로부터 출력된 전압이 인가되는 P채널 MOS 트랜지스터와 N채널 MOS 트랜지스터를 갖고 P채널 MOS 트랜지스터에 인가된 전압의 레벨을 시프트하여 얻은 전압을 출력하는 레벨 시프트 회로, 제1소정 레벨 전류를 상기 레벨 시프트 회로의 상기 N채널 MOS 트랜지스터에 공급하는 전류원, 게이트에 상기 제2차동증폭회로로부터 출력된 전압이 인가되는 P채널 MOS 트랜지스터와 게이트에 상기 레벨 시프트 회로로부터 출력된 전압이 인가되는 N채널 MOS 트랜지스터를 갖고 상기 P채널 MOS 트랜지스터와 상기 N채널 MOS 트랜지스터의 상태들에 따른 전압을 출력하는 출력회로로 이루어지는 것을 특징으로 하는 연산증폭회로.
  3. 제1항에 있어서, 소정 제어신호가 입력될 때 상기 출력회로의 N채널 MOS 트랜지스터를 제어하여 그 N채널 MOS 트랜지스터의 게이트에 인가되는 전압을 변화시키므로써 오프 상태에 있도록 하고 상기 출력회로의 P채널 MOS 트랜지스터를 제어하여 그 P채널 MOS 트랜지스터의 게이트에 인가되는 전압을 변화시키므로써 오프 상태에 있도록 하는 파워 다운 회로를 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 연산증폭회로.
  4. 제2항에 있어서, 소정 제어신호가 입력될 때 상기 출력회로의 N채널 MOS 트랜지스터을 제어하여 그 N채널 MOS 트랜지스터의 게이트에 인가되는 전압을 변화시키므로써 오프 상태에 있도록 하고 상기 출력회로의 P채널 MOS 트랜지스터를 제어하여 그 P채널 MOS 트랜지스터의 게이트에 인가되는 전압을 변화시키므로써 오프 상태에 있도록 하는 파워 다운 회로를 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 연산증폭회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970005369A 1996-02-23 1997-02-21 연산증폭회로 KR970063901A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8036190A JPH09232883A (ja) 1996-02-23 1996-02-23 演算増幅回路
JP96-36190 1996-02-23

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR970063901A true KR970063901A (ko) 1997-09-12

Family

ID=12462814

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970005369A KR970063901A (ko) 1996-02-23 1997-02-21 연산증폭회로

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5907259A (ko)
EP (1) EP0792013B1 (ko)
JP (1) JPH09232883A (ko)
KR (1) KR970063901A (ko)
CN (1) CN1084085C (ko)
DE (1) DE69705977T2 (ko)

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3435309B2 (ja) * 1997-06-04 2003-08-11 株式会社東芝 バッファアンプ
KR100474994B1 (ko) * 1997-08-13 2005-06-17 삼성전자주식회사 레일 연산 증폭 출력 장치
JP3416479B2 (ja) * 1997-09-03 2003-06-16 キヤノン株式会社 演算増幅器
IT1296028B1 (it) * 1997-09-25 1999-06-04 Sgs Thomson Microelectronics Stadio di uscita a basso offset per comparatori di precisione
JP4158214B2 (ja) * 1997-10-31 2008-10-01 沖電気工業株式会社 半導体集積回路
JP3875392B2 (ja) * 1998-02-23 2007-01-31 株式会社東芝 演算増幅器
SE9801117D0 (sv) * 1998-03-30 1998-03-30 Astra Ab Electrical device
US6259316B1 (en) * 1998-05-29 2001-07-10 Texas Instruments Incorporated Low voltage buffer amplifier for high speed sample and hold applications
US6069532A (en) * 1998-07-20 2000-05-30 Lucent Technologies Inc. Technique for designing a bias circuit for an amplifier in an integrated circuit device
US6166592A (en) * 1998-07-31 2000-12-26 Lucent Technologies Inc. Linear CMOS transconductor with rail-to-rail compliance
US6107883A (en) * 1998-09-10 2000-08-22 Seiko Epson Corporation High gain, high speed rail-to-rail amplifier
US6066985A (en) * 1998-09-10 2000-05-23 Seiko Epson Corporation Large swing input/output analog buffer
US6127891A (en) * 1999-04-05 2000-10-03 National Semiconductor Corporation Low voltage class AB amplifier with gain boosting
US6236269B1 (en) * 1999-10-07 2001-05-22 National Semiconductor Corporation Complementary CMOS differential amplifier circuit
US6362665B1 (en) 1999-11-19 2002-03-26 Intersil Americas Inc. Backwards drivable MOS output driver
JP2002076800A (ja) * 2000-08-30 2002-03-15 Nec Corp 電圧減算・加算回路及びそれを実現するｍｏｓ差動増幅回路
US6433637B1 (en) * 2001-03-23 2002-08-13 National Semiconductor Corporation Single cell rail-to-rail input/output operational amplifier
US6600363B2 (en) 2001-04-05 2003-07-29 Cornell Research Foundation, Inc. Folded floating-gate differential pair amplifier
KR100542685B1 (ko) * 2001-06-18 2006-01-16 매그나칩 반도체 유한회사 출력버퍼용 연산 트랜스컨덕턴스 증폭기
US6384685B1 (en) * 2001-06-28 2002-05-07 Sunplus Technology Co., Ltd. Complementary metal oxide semiconductor class AB amplifier
US6566952B1 (en) * 2001-07-27 2003-05-20 Cypress Semiconductor Corp. Operational amplifier with extended output voltage range
JP3847241B2 (ja) 2002-10-01 2006-11-22 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 演算増幅器
KR100768876B1 (ko) * 2002-11-26 2007-10-22 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 구동회로
JP2004222015A (ja) * 2003-01-16 2004-08-05 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 増幅回路
EP1441439A1 (en) * 2003-01-23 2004-07-28 Infineon Technologies AG Analogue amplifier with multiplexing capability
JP2004317857A (ja) * 2003-04-17 2004-11-11 Nec Yamagata Ltd 駆動回路及び表示装置
US6933781B2 (en) * 2003-04-30 2005-08-23 Intel Corporation Large gain-bandwidth amplifier, method, and system
KR100620662B1 (ko) 2003-09-26 2006-09-19 엔이씨 일렉트로닉스 가부시키가이샤 차동 에이비 클래스 증폭 회로 및 이를 이용한 구동 회로
TWI307212B (en) * 2005-05-06 2009-03-01 Novatek Microelectronics Corp Amplfier device and transformation device thereof
JP4861791B2 (ja) * 2006-10-27 2012-01-25 ルネサスエレクトロニクス株式会社 演算増幅器及び表示装置
TWI321901B (en) * 2006-11-10 2010-03-11 Orise Technology Co Ltd Rail-to-rail class-ab operational amplifier
US7859338B2 (en) * 2007-07-26 2010-12-28 Broadcom Corporation Compact low-power class AB amplifier
CN101471634B (zh) * 2007-12-29 2011-05-11 瑞昱半导体股份有限公司 输出级电路以及使用其的运算放大器
TWI360944B (en) * 2008-12-29 2012-03-21 Princeton Technology Corp Operational amplifier and method for reducing offs
CN101800519B (zh) * 2009-02-09 2015-02-04 普诚科技股份有限公司 运算放大器及降低运算放大器的偏移电压的方法
US9007096B1 (en) * 2014-07-07 2015-04-14 Xilinx, Inc. High-speed analog comparator

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2543872B2 (ja) * 1986-08-13 1996-10-16 株式会社東芝 増幅回路
US5083051A (en) * 1990-02-26 1992-01-21 Motorola, Inc. Output driver circuit with improved output stage biasing
JPH04310006A (ja) * 1991-04-08 1992-11-02 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 演算増幅回路
US5142244A (en) * 1991-05-06 1992-08-25 Harris Corporation Full range input/output comparator
JP3320434B2 (ja) * 1991-11-28 2002-09-03 沖電気工業株式会社 演算増幅回路
US5194824A (en) * 1992-01-23 1993-03-16 Intel Corporation 5V Rail-rail unity gain amplifier driving high capacitive load

Also Published As

Publication number Publication date
CN1165427A (zh) 1997-11-19
EP0792013A1 (en) 1997-08-27
EP0792013B1 (en) 2001-08-08
DE69705977T2 (de) 2002-04-04
CN1084085C (zh) 2002-05-01
JPH09232883A (ja) 1997-09-05
US5907259A (en) 1999-05-25
DE69705977D1 (de) 2001-09-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970063901A (ko) 연산증폭회로
GB2349996A (en) Voltage level converter for an active matrix LCD
KR20030015821A (ko) 오프셋 캔슬 기능을 갖는 연산 증폭기
KR100385780B1 (ko) 용량성 부하 구동회로 및 구동회로 시스템
KR890009072A (ko) 안정동작점을 갖는 연산증폭회로
KR860008652A (ko) 평형 차동 증폭기
KR960032900A (ko) 반도체 집적회로용 입력 버퍼 회로
KR960039566A (ko) 차동증폭 및 출력오프셋회로와 이를 구비한 반도체집적회로 및 노이즈 제거방법
KR910002127A (ko) 전원절환회로
KR970012752A (ko) 반도체 집적회로
KR910010834A (ko) 증폭회로
KR840005946A (ko) 차동증폭 회로
KR940024629A (ko) 통신회로시스템
KR970063903A (ko) 연산증폭기
US7250793B2 (en) Low voltage differential signaling driving apparatus
KR940017217A (ko) 티티엘(ttl) 레벨의 입력 신호를 수신하는 입력 회로
US6084467A (en) Analog amplifier clipping circuit
JP2001168693A (ja) 二つの相補形ｍｏｓ電界効果トランジスタを含むアナログスイッチ
KR960009401A (ko) 비교기 회로
KR950016002A (ko) 3치 입력 버퍼 회로
KR960027255A (ko) 시퀀스 제어회로를 구비한 연산증폭기
KR940023028A (ko) 금속 산화물 반도체(mos) 트랜지스터를 이용한 전압/전류 변환 회로
KR890011195A (ko) 증폭회로
KR100373340B1 (ko) 박막트랜지스터-엘시디의 소오스 드라이버
KR950012459A (ko) 다(多)비트 출력 메모리 회로용 출력 회로

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid