KR860008652A - 평형 차동 증폭기 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

평형 차동 증폭기
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 평형 차동 증폭기의 한 실시예에 대한 회로 다이어그램.
제3도는 제2도에 도시된 평형 차동 증폭기의 동작을 설명하는데 도움이 되는 파형 다이어그램.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
10,20:차동증폭기, 11,12,15,21,22:N채널 MOS FET, 13,14,24:P채널 MOS FET.

Claims (10)

  1. 전류 미러 회로를 각각 가지며, 각각의 게이트에 평형 입력 신호가 인가되는 제1차동MOS FET 및 제2차동 MOS FET로 구성된 제1차동증폭기와 전류 미러회로를 각각 가지며, 각각의 게이트에 상기 제1차동 증폭기에 인가되는 신호와는 극성이 반대인 평형 입력 신호가 역시 인가되며, 제2차동 증폭기의 제2차동 MOS FET의 출력단자와 제2차동 증폭기의 제4차동 MOS FET의 출력단자 사이에서 평형 출력신호가 얻어지는 제3차동 MOS FET및 제4차동 MOS FET로 구성된 제2차동 증폭기를 구비하는 평형 차동증폭기에 있어서, (1)제1정전류원 MOS FET는 상기 제1,2,3 및 4차동 MOS FET의 각 전류원 단자에 접속되며, 상기 MOS FET의 게이트는 제1차동 증폭기의 상기 제1차동 MOS FET의 출력 단자에 접속되며, (2)제2정 전류원 MOS FET도 역시 상기 제1,2,3 및 4차동 MOS FET 각각의 전류원 단자에 접속되며, 상기 MOS FET의 게이트는 제2차동 증폭기의 상기 제3차동 MOS FET의 출력 단자에 접속되어서 상기 제1 및 제2정 전류원 MOS FET의 각 게이트에 인가되는 전압은 서로 위상이 다른 상태가 되는 것을 특징으로 하는 평형 차동 증폭기.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2정 전류원 MOS FET의 동작 점은 포화 영역과 불포화 영역 사이의 경계선 부근에서 정해지는 것을 특징으로 하는 평형 차동 증폭기.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1정 전류원 MOS FET를 통해 흐르는 전류와 상기 제2정 전류원 MOS FET를 통해 흐르는 전류의 총합은 평형 차동 증폭기에 인가되는 평형 입력 신호의 DC전압 변동에 관계없이 거의 일정한 것을 특징으로 하는 평형 차동 증폭기.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2정 전류원 MOS FET 각각의 게이트에 인가되는 전압은 크기에 있어서는 동일하나 위상은 반대가 되어 상기 제1 및 제2정 전류원을 통해 흐르는 전류의 총합은 거의 일정한 것을 특징으로 하는 평형 차동 증폭기.
  5. 제1차동 MOS FET 및 제2차동 MOS FET를 포함하고, 각각의 MOS FET가 전류 미러회로에 결합되며, 상기 제1 및 상기 제2차동 MOS FET 각각의 입력이 제1극성 관계에서 평형 입력신호를 수신하는 제1차동 증폭기와, 제3차동 MOS FET 및 제4차동 MOS FET를 포함하고, 각각의 MOS FET가 전류미러회로에 결합되며, 상기 제2 및 제3차동 MOS FET 각각의 입력이 상기 제1차동 증폭기에 인가된 역극성 관계에서 평형 입력 신호를 수신하는 제2차동 증폭기 및 상기 제1차동 증폭기의 상기 제2차동 MOS FET의 출력단자 및 상기 제2차동 증폭기의 상기 제4차동 MOS FET의출력단자 사이에서 평형 출력 신호를 제공하기 위한 출력 회로로 결합되며, 적어도 상기 제1 및 상기 제2차동 MOS FET 각각의 전원단자에 결합된 제1정 전류원 MOS FET와 적어도 상기 제3 및 상기 제4차동 MOS FET 각각의 전원 단자에 결합된 제2정 전류원 MOS FET 및 상기 제1 및 상기 제2정전류 MOS FET를 통하여 흐르는 각각의 전류의 총합이 상기 평형 입력 신호에서의 변화에 관계없이 일정하도록 인가됐을 때 상기 제1 및 상기 제2정 전류원 MOS FET 각각의 게이트를 각각의 위상이 벗어난 전압 신호로 바이어스 하기 위한 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 평형 차동 증폭기.
  6. 제5항에 있어서, 상기 바이어스 수단이 상기 제1 및 상기 제2정 전류원 MOS FET를 상기 제1 및 상기 제2정 전류원 MOS FET를 위해 불포화 영역 및 포화 영역 사이의 경계선 가까이에서 동작되도록 하는 것을 특징으로 하는 평형 차동 증폭기.
  7. 제5항에 있어서, 각각의 상기 바이어스 수단이 상기 제1 및 상기 제2정 전류원 MOS FET의 게이트 전극과 상기 제1 및 상기 제3차동 MOS FET의 출력단자 사이에서의 회로 결합을 포함하는 것을 특징으로 하는 평형 차동 증폭기.
  8. 제7항에 있어서, 상기 출력단자가 상기 제1 및 상기 제2정 전류원 MOS FET에 바이어스 전압을 제공하기 위해 서로간에 위상이 벗어난 관계에서 변하는 순간 전압을 공급하는 각각의 상기 제1 및 상기 제2차동 MOS FET의 드레인이며, 상기 정전류원 MOS FET에 흐르는 전류의 총합이 항상 실질적으로 일정하도록 하는 것을 특징으로 하는 평형 차동 증폭기.
  9. 제5항에 있어서, 각각의 상기 정전류원 MOS FET에 드레인이 상기 제1, 상기 제2, 상기 제3 및 상기 제4차동 MOS FET의 각각의 상기 전원단자와 공동으로 결합되는 것을 특징으로 하는 평형 차동 증폭기.
  10. 제5항에 있어서, 각각의 상기 정 전류원 MOS FET의 전원 단자가 일반적으로 칩 선택 MOS FET의 드레인에 결합되는 것을 특징으로 하는 평형 차동 증폭기.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019860002648A 1985-04-08 1986-04-08 평형 차동 증폭기 KR950005169B1 (ko)

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Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3701791A1 (de) * 1987-01-22 1988-08-04 Siemens Ag Differenzverstaerker mit steuerbarer leistungsaufnahme
EP0283037B1 (en) * 1987-03-20 1992-08-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Controlled current producing differential circuit apparatus
JPH02110898A (ja) * 1988-10-20 1990-04-24 Seiko Epson Corp 半導体記憶装置
US5276369A (en) * 1989-07-20 1994-01-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Sense amplifier circuit having a bias current control means
JPH07105145B2 (ja) * 1989-07-20 1995-11-13 株式会社東芝 センス回路
JP2586723B2 (ja) * 1990-10-12 1997-03-05 日本電気株式会社 センスアンプ
US5280199A (en) * 1991-05-14 1994-01-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Differential input circuit and operational amplifier with wide common mode input voltage range
DE69319553T2 (de) * 1992-12-11 1999-02-18 Philips Electronics N.V., Eindhoven Eintakt-in-Gegentakt-Umwandler
CA2144240C (en) * 1994-03-09 1999-03-23 Katsuji Kimura Analog multiplier using multitail cell
US5491455A (en) * 1994-11-10 1996-02-13 National Semiconductor Corporation Differential-to-single ended translator that generates an output signal with very small signal distortion
US5764101A (en) * 1995-08-23 1998-06-09 National Semiconductor Corporation Rail-to-rail input common mode range differential amplifier that operates with very low rail-to-rail voltages
DE19614996A1 (de) * 1996-04-16 1997-10-23 Drazenko Dipl Ing Sukalo Polungsunabhängiger Differenzverstärker
US5821809A (en) * 1996-05-23 1998-10-13 International Business Machines Corporation CMOS high-speed differential to single-ended converter circuit
FR2762161B1 (fr) * 1997-04-15 1999-07-02 Sgs Thomson Microelectronics Comparateur a grande excursion de tension d'entree
GB9708865D0 (en) * 1997-04-30 1997-06-25 Phoenix Vlsi Consultants Ltd ECL-CMOS converter
US6252432B1 (en) * 1998-04-14 2001-06-26 Fairchild Semiconductor Corp. Differential-input/single-ended-output translator
US6529081B1 (en) 2000-06-08 2003-03-04 Zeta, Division Of Sierra Tech Inc. Method of operating a solid state power amplifying device
EP1515432A1 (en) * 2003-09-09 2005-03-16 Dialog Semiconductor GmbH Translinear amplifier
US20050285677A1 (en) * 2004-06-28 2005-12-29 Rowley Matthew D Fully balanced transconductor
US7071858B2 (en) * 2004-10-29 2006-07-04 Broadcom Corporation Method and system for a glitch-free differential current steering switch circuit for high speed, high resolution digital-to-analog conversion
TWI307212B (en) * 2005-05-06 2009-03-01 Novatek Microelectronics Corp Amplfier device and transformation device thereof
US7279974B2 (en) * 2005-06-10 2007-10-09 Texas Instruments Incorporated Fully differential large swing variable gain amplifier
JP4871590B2 (ja) * 2005-12-28 2012-02-08 パナソニック株式会社 トランスコンダクタを用いた積分器及びフィルタ回路
DE102006034560B4 (de) * 2006-07-26 2012-04-26 Infineon Technologies Ag Verstärkerstufe, Operationsverstärker und Verfahren zur Signalverstärkung
US7969224B2 (en) * 2007-03-20 2011-06-28 Honeywell International, Inc. Circuit to reduce duty cycle distortion
US20080231335A1 (en) * 2007-03-20 2008-09-25 Honeywell International Inc. Circuit to reduce duty cycle distortion
US7567124B2 (en) * 2007-06-15 2009-07-28 Sun Microsystems, Inc. Symmetrical differential amplifier
TWM594146U (zh) 2019-11-15 2020-04-21 力智電子股份有限公司 電流感測電路

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL7700969A (nl) * 1977-01-31 1978-08-02 Philips Nv Versterkerschakeling.
US4267517A (en) * 1977-12-07 1981-05-12 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Operational amplifier
JPS59186188A (ja) * 1983-04-07 1984-10-22 Fujitsu Ltd センス増幅器
US4554515A (en) * 1984-07-06 1985-11-19 At&T Laboratories CMOS Operational amplifier

Also Published As

Publication number Publication date
JPS61232708A (ja) 1986-10-17
EP0204915B1 (en) 1992-07-22
US4728900A (en) 1988-03-01
JPH0618308B2 (ja) 1994-03-09
DE3686096D1 (de) 1992-08-27
EP0204915A1 (en) 1986-12-17
KR950005169B1 (ko) 1995-05-19
DE3686096T2 (de) 1993-02-25

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