KR880001108A - Cmos 입력회로 - Google Patents

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KR880001108A
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cmos
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Inventor
씨. 포스 리챠드
Original Assignee
이반 밀러 레르너
엔.브이.필립스 글로아이탐펜파브리켄
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Abstract

내용 없음

Description

CMOS 입력회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따르는 주요 CMOS-입력회로도, 제2도는 본 발명에 따르는 CMOS-입력회로의 양호한 실시예. 3도는 제2도의 CMOS-입력회로의 전압시간 다이어그램.

Claims (10)

  1. PMOS-스위치 트랜지스터의 전도성 채널이 출력노드와 제1전원 단자 사이의 NMOS-로드 트랜지스터 수단과 직렬로 접속되는 입력 CMOS-반전기를 포함하는 CMOS-입력회로에 있어서, NMOS-로드 트랜지스터 수단이 실제적으로 PMOS-스위치 트랜지스터가 전도적일 때 로드 전류를 한정하는 것을 특징으로 하는 CMOS-입력회로.
  2. 제1항에 있어서, 입력 반전기의 NMOS-트랜지스터가 게이트가 입력 반전기의 입력에 접속되는 또다른 NMOS-트랜지스터를 통하여 제2전원 단자에 접속되며, 입력 반전기의 NMOS-트랜지스터와 또 다른 NMOS-트랜지스터의 노드가 궤환 트랜지스터 장치를 통하여 제1전원 단자에 접속되어 궤환 트랜지스터 장치가 입력 반전기의 출력 신호에 의헤 제어되도록 하는 것을 특징으로 하는 CMOS-입력회로.
  3. 제2항에 있어서, 입력 반전기의 출력이, 출력이궤환 트랜지스터 장치의 제어입력에 접속되는 제2반전기 회로의 입력에 접속되는 출력을 갖는 제1반전기 회로의 입력에 접속되는 것을 특징으로 하는 CMOS-입력회로.
  4. 제3항에 있어서, 반전기 회로가 CMOS반전기인 것을 특징으로하는 CMOS-입력회로.
  5. 제2항에 있어서, 궤환 트랜지스터 장치가 게이트가 상호 직렬로 접속되는 NMOS-트랜지스터에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는 CMOS-입력회로.
  6. 제4항에 있어서, 제1 반전기의 PMOS-트랜지스터가 다이오드로써 접속되는 NMOS-트랜지스터 장치와 게이트 전극이 제2반전기의 출력에 접속되는 PMOS-트랜지스터 장치를 통하여 제1전원 단자에 접속되는 것을 특징으로 하는 CMOS-입력회로.
  7. 제4 또는 6항에 있어서, 제1 반전기의 PMOS-트랜지스터가 실제적으로 입력 반전기의 PMOS 트랜지스터와 동일한 W/L 비율을 갖는 것을 특징으로 하는 CMOS-입력회로.
  8. 제2항에 있어서, 궤환 트랜지스터 수단이 게이트가 상호 직렬로 접속되는 두 NMOS-트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 CMOS-입력회로.
  9. 제1항에 있어서, NMOS-로드 트랜지스터 수단이 폭/길이 비율이 PMOS-스위치 트랜지스터의 폭/길이 비율의 1/5배인 것을 특징으로 하는 CMOS-입력회로.
  10. 제1항에 있어서, NMOS-로드 트랜지스터 수단이 다이오드로써 접속되는 NMOS-트랜지스터인 것을 특징으로 하는 CMOS-입력회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019870006297A 1986-06-25 1987-06-22 Cmos 입력회로 KR880001108A (ko)

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